半導体検査装置や測定器の設計制作を得意とする当社におまかせ
当社では、安全動作領域(ASO)での高電圧・高電流を試料に印加して 破壊されるか否かをチェックするL負荷試験装置を取り扱っております。 試料(DUT)の負荷としてドレインにL(インダクタンス)を接続しておき、 入力ゲート電圧を制御してDUTをスイッチング。 DUTのスイッチングによってL負荷の両端に逆起電圧が発生し、 この時の電圧と電流によってDUTの耐量試験を行います。 【既製品ラインアップ】 ■FET-901 ■FET-902 ■FET-9205 ■EF-5002 ※詳細については、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【測定仕様】 ■設定電圧範囲 ・VDS電源：0.0V～50.0V ・VG1電源：0.0V～+30.0V ・VG2電源：0.0V～-30.0V ■設定分解能 ・VDS電源：1.0V ・VG1電源：0.1V ・VG2電源：0.1V ■出力電流 ・VDS電源：40A以上 ・VG1電源：+100mA以上 ・VG2電源：-100mA以上 ■設定精度 ・VDS電源：±(1%+0.5A)以内 ・VG1電源：±(1%+0.1A)以内 ・VG2電源：±(1%+0.1A)以内 ■電源制限 ・設定電流：0A～40A ・分解能：1A ・検出時間：99uSmax 1uSステップ ■クランプ電源 ・出力電圧：999Vmax 1.0Vステップ ・設定精度：±(1%F・S+10V) ※詳細については、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社では、トランジスタやダイオード、FETを始めとした半導体素子の 耐圧や耐久性の測定器や検査装置の設計製作を行っております。 創業以来、様々な企業様へ多数の測定器を納品してまいりました。 そこから培ったノウハウにより、お客様が測定へ希望する利便性や 使い心地においては、フレキシブルな対応が出来ると自負しております。