良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！
『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 ・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム ・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可 ・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【特殊仕様】 ■絶縁層用カソード(1個)と電極層用カソード(2個)の計3元スパッタも仕様変更可能 (二酸化ケイ素SiO2や窒化ケイ素Si3N4,型式:SPR-015-B) ■排気系をクライオポンプに仕様変更可能 ■膜厚計で制御して積層する仕様変更可能(型式:SPR-015-B) ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
研究開発向けオーダーメイドの真空装置・機器の製作を得意としています。 オリジナル製品をはじめ、各種規格部品、メーカー製品を取り扱っております。 真空装置・機器の改造・修理・オーバーホール・移設など、ご要望をヒアリング、納得いただける提案をいたします。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
