Simulation for ion species, depth and concentration.
Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth and concentration?" And "What depth distribution of dopant ions will be given at the specified energy and dose." , We can provide a simulation. (This service presupposes a request for ion implantation.)
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基本情報
Ion implantation simulation ・ Single profile Calculation implantation conditions from depth and concentration ・ Box profile Calculation of multi-step implantation conditions Other simulations ・ Diffusion after heat treatment Profile calculation before and after heat treatment ・ Multi-layer structure calculation Optimization of film thickness such as SiO2 However, the simulation does not guarantee the profile or concentration after implantation.
価格情報
****** Please feel free to contact us about fee of implantation service.
納期
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用途／実績例
We support many universities, institutes and corporates for implantation projects.
企業情報
イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。 最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーをめざしています。