装置サイズを可能な限りコンパクト化！安定した成膜処理と低パーティクルを実現
『A200V』は、少量多品種から大量生産までカバーするφ150・φ200mm ウェーハ対応の枚葉式常圧CVD装置です。 フェイスダウン式成膜方法の採用により優れた膜厚均一性、パーティクル 制御、埋め込み性能を発揮し、SiH4をベースとしたシリコン酸化膜を成膜。 また、TEOS-O3、SiH4-O3もオプション対応が可能な装置です。 【特長】 ■フェイスダウンポジション ■コンパクトな装置デザイン・構成 ■メンテナンス性と高い生産性の両立 ■優れた膜厚均一性と埋め込み性 ■オペレーターが加熱部分に直接接触しないよう安全性を確保 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様(一部)】 ■サイズ：890mm(W)×2300mm(D)×2250mm(H) ■膜厚均一性：≦±2％(面内、面間) ■温度：300℃～450℃(オゾンプロセスでは150℃～350℃) ■対応ウェーハサイズ：8インチまで可能 ■スループット(参考値)：14枚/hour(500nm成膜時) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
株式会社天谷製作所は、1970年に横型バッチ式常圧CVD装置を開発・販売して以来、半導体製造用の成膜装置として使用される常圧CVD装置を中心に事業を展開してまいりました。 近年では、新しい分野への挑戦として、太陽電池製造用の高生産性常圧CVD装置を開発・販売しました。 今後も、新技術の開拓に取り組み、常圧ＣＶＤ装置のオンリーワン企業を目指します。