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EBSD法による解析例

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最終更新日:2025年06月26日

株式会社アイテス
株式会社アイテス
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EBSDパターン(菊池パターン)、金ワイヤーボンド接合部の解析例をご紹介します

EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 例えば、SEM中で試料を大きく傾斜し電子線を照射したとき、試料が結晶性 の物であれば、試料内で電子線回折が生じます。そのパターンを指数付け することでその点の結晶方位を求めることが可能となります。 結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ■結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EBSD法による解析例

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基本情報

【金ワイヤーボンド接合部 解析例】 ■逆極点図方位マップ(Inverse Pole Figure:IPFマップ) ■逆極点図を基にした結晶方位マップ ■Grain Reference Orientation Deviation:GRODマップ ■結晶粒内での結晶方位差によるマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

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Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

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アイテスは、日本アイ・ビー・エム野洲事業所の品質保証部門を母体として1993年に設立されました。 日本アイ・ビー・エム野洲事業所での最先端電子部品の不良解析・信頼性保証で培った技術力を基盤にして、半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える様々な商品、サービスを国内、海外のお客様へ提供してまいりました。

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