少額装置と小面積工場で製造可能！アライメントずれも発生しない優れた工法を実現
当社の技術『FSNIP(Free Substrate material Narrow pitch Imprinted Process)』 をご紹介いたします。 導電ペーストをインプリント工法で基板上に転写することで40μmピッチ以下、 最小10μmピッチの配線・バンプを同時形成。 転写配線のため、少額装置と小面積工場で製造することができ、また配線・バンプ 同時形成のため、アライメントずれも発生しない優れた工法を実現しました。 【特長】 ■導電ペーストをインプリント工法で基板上に転写 ■40μmピッチ以下、最小10μmピッチの配線・バンプを同時形成 ■少額装置と小面積工場で製造することができる ■アライメントずれも発生しない ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【その他の特長】 ■どんな基板にもインプリント配線・バンプ形成 ・最小配線ピッチ10μm、最小配線幅5μm、最大アスペクト比2 ・配線ピッチ、配線幅、アスペクト比を自由に設定可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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コネクテックジャパン株式会社は、バンプオンマテリアルとダメージフリーボンディングのコア技術 MONSTER PACにより、新規パッケージを創造する、プロセス開発型半導体後工程受託 OSRDAです。 半導体チップの組立、MEMSチップの製造～組立等でお困りでしたら、まず当社にご相談ください。 経験豊富な開発陣が、お客様のどんなご要望にもお応えします。