わずかな変化で機能に大きな影響!精度が重要視されるウェファー・プロセス
当社の半導体における、ウェファー・プロセス「インゴット精製」 についてご紹介します。 半導体の製造は、1420℃に加熱された溶融シリコンのるつぼから 始まります。デュブリン回転ユニオンは、るつぼとは反対方向に 回転するプーラーロッドを冷却。 プーラーロッドの端についた種結晶が溶融物からゆっくりと持ち上がり、 時間の経過とともに直径300mm、長さ2メートルのインゴットになります。 【特長】 ■1420℃に加熱された溶融シリコンのるつぼで製造 ■るつぼとは反対方向に回転するプーラーロッドを冷却 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。