貫通電極で高機能・高次元化が期待！技術の現状や課題、当社の技術をご紹介
TSVは近年、半導体の3次元実装で注目を集めています。 近年の半導体開発の動向より、IC(集積回路)の高集積化は3次元に 実装する方向に開発が進んでいく見込みです。その際に、 TSV(シリコン貫通電極)などの基板の垂直方向に電極を形成する技術は、 半導体分野の3次元化に大きく貢献することを期待。 当コラムでは、半導体分野の動向から、TSV技術、そして当社が 開発している「ガラス貫通電極(TGV)」についてご紹介いたします。 【掲載内容(抜粋)】 ■TSVは半導体の3次元実装に重要な技術！現状と課題についてご紹介 ■半導体の開発は3次元実装の方向へ ■半導体の3次元実装に重要な技術！ ※コラムの詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【その他掲載内容(抜粋)】 ■TSV(Through-Silicon Via、シリコン貫通電極)とは？ ■TSVの開発背景 ■TSVの半導体におけるメリット ■TSVの作製プロセス ■(1)Via first ■(2)Via-Middle ■(3)Via last ■TSV(半導体)の現状の課題について ※コラムの詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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1946年の創立以来、技術開発の研鑚と革新を重ね、持続的に時代や市場の激しい変化を予測しながら、表面処理における最先端のニーズに応え続けています。とくに、要求機能の付加を基本に、密着性、耐食性、精度など高度な技術と品質が 要求される 「電気めっき」「無電解めっき」を中心としためっき加工における技術・管理水準は業界でもトップレベルとしてカスタマーから高い評価と信頼を得ています。 ※2024年4月1日に「ヱビナ電化工業(株)」より社名変更しました