放熱対策用シリコーン（モメンティブ)

付加硬化型シリコーンは、耐熱性・電気絶縁性・耐候性に優れることから、電子部品のポッティングや接着、コーティング、成形など幅広い産業分野で採用されています。しかし現場では「レシピ通りに配合したのに硬化しない」「表面だけがべたついて硬化しない」「特定の治具や基材に接触した部分だけ硬化不良を起こす」といったトラブルが少なからず発生します。この現象の多くは「硬化阻害（キュアインヒビション）」と呼ばれるものです。硬化阻害は、シリコーンそのものの品質不良ではなく、周囲の環境や接触材料に含まれる微量の化学物質が、硬化反応を担う触媒の働きを妨げることで起こります。原因物質はごく微量であっても影響を及ぼすため、原因の特定が難しく、生産現場では大きな歩留まり低下やクレームにつながりかねません。 第1章：付加硬化型シリコーンの硬化メカニズム 第2章：硬化阻害とは何か・発生のメカニズム 第3章：硬化阻害を引き起こす主な原因物質・発生源 第4章：硬化阻害の見分け方と実践的な対策 まとめ 詳細は当社HPをご確認ください。

電子機器の高性能化・高密度化に伴い増加する“熱設計の難易度”に応える材料として、Momentive製 SILCOOLTIA268GF をご提案します。TIA268GFは、従来のシート型ギャップフィラーでは対応しきれない複雑形状・微細クリアランスに対して、液状ディスペンスで高精度に塗布できる熱伝導ギャップフィラーです。 高い熱伝導率（6.8 W/m·K）と、硬化後も柔軟性を保つシリコーン特性により、発熱部品の温度上昇を抑えつつ、基板や部品へのストレスを最小化します。また、TIA268GFは 1:1の簡便な混合比、23℃での作業時間1時間、70℃で1時間の高速硬化といった優れたプロセス性を備え、量産ラインでの安定したディスペンス塗布を可能にします。非スランプ性の高いペースト状で、垂直面や広いギャップでも“その場に留まる”ため、車載ECU・通信機器・産業機器など、幅広い分野の熱対策に適しています。安達新産業では、TIA268GFを用いた熱設計の最適化、塗布条件の検討、試作サポートまで一貫して対応いたします。

モメンティブ｢TSE322S｣は、1成分・加熱硬化型シリコーン接着シーラントであり、電子デバイスや光学モジュールなど、熱・機械・環境ストレスが複合的に作用するアセンブリ用途に向けて最適化された材料です。 本材料は、シロキサン骨格を基盤とした耐熱性・柔軟性・電気絶縁性に優れるシリコーンネットワークを形成し、加熱硬化により高い接着強度と寸法安定性を発現します。硬化時に副生成物を発生しないため、密閉構造や電子部品周辺でもガス腐食やボイド形成のリスクが低く、長期信頼性が求められる用途に適しています。 TSE322Sの大きな特徴は、プライマーを必要としない界面形成技術です。基材表面の極性・表面エネルギーに依存しにくい処方設計により、アルミ・銅・ステンレスなどの金属、PPS・PBT・エポキシなどのエンジニアリングプラスチック、ガラス・セラミックスといった無機材に対して、化学的・物理的な複合接着メカニズムを発揮します。これにより、異種材料を組み合わせた複雑なモジュール構造でも高い接着安定性を確保できます。 詳細は当社HPをご確認ください。

モメンティブ製｢TSE382｣ は、空気中の水分と反応して架橋反応を進行させる1成分・オキシム系縮合型 RTV（Room Temperature Vulcanizing）シリコーンであり、未硬化時は低粘度のペースト状、硬化後は架橋密度の高いシロキサンネットワーク構造を形成する弾性ゴムとなります。 オキシム系の縮合反応を採用しているため、硬化過程で酢酸などの腐食性副生成物を放出しない“中性硬化タイプ”であり、電子部品・精密機構部品に使用されるアルミ・ステンレス・亜鉛ダイキャスト・各種エンプラ（ABS、PC、PBT、エポキシなど）に対して、表面処理なしで高い接着強度を発現します。 特に、シロキサン鎖の柔軟性と低表面エネルギーにより、被着体表面の微細な凹凸へ濡れ広がり、界面密着性が高い凝集破壊型の接着モードを示します。 詳細は当社HPをご覧ください。