省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18ｍ離して設置することができます。
本装置は、4/5/6 及び 8 インチ・ウェハーに対応しており、プラズマ CVD 法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。 基本構成は、プロセス・モジュール及び RF ジェネレータ・モジュール（高周波,低周波各 1Set ）、バキュームポンプ・モジュールの 3 モジュールで構成され ます。
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