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イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)

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最終更新日:2025年05月20日

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
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R&D用特殊仕様から量産向けまで対応可能!一般的なグリッドと比較して約3倍の長寿命化

当社で取り扱う、「イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)」を ご紹介いたします。 標準的なエントリーモデルから、膜厚均一性等の精密な制御が可能な ハイエンドモデルまでラインアップ。企業、アカデミアでの研究開発向けに、 グローブボックス付属等の特殊仕様にも対応します。 また、R&Dのラボスケールから量産まで対応し、難エッチング材料のエッチング プロセスや、デュアルイオンガンシステムを搭載した様々な材料の均一性及び 膜厚分布を重視した成膜が可能です。 【特長】 ■標準的なエントリーモデルから、膜質等の精密制御の可能な  ハイエンドクラスまで、要求性能に合わせたモデルのご提案が可能 ■R&D、アカデミアでの研究用途に、グローブボックスの接続やその他の  特殊仕様にも対応が可能 ■膜厚均一性は200mmウェーハで<0.6%(3σ)達成 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)

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基本情報

【その他の特長】 ■Marathon gridsは、一般的なグリッドと比較して3倍の長寿命化達成  (他社製品への搭載可) ■独自技術によりRFシャントおよびアノード消失を防止したイオンガンを搭載 ■プラズマCVD、ドライエッチャー等の当社装置とのクラスター化も可能 ■複数ターゲットの搭載、デュアル・イオンガン・システムによるイオンアシスト機能等、  多彩な機能を選択可 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯

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用途/実績例

【用途】 ■FeNi,FeCoなどの強磁性体やPZT,AlScN,LiTaO3,LiNbO3などの強誘電体を始めとした  難しいエッチングプロセス ■Ta,Ti,W等の金属膜をはじめ、Ta2O5,Nb2O5等の酸化膜や、様々な材料の薄膜をバルクに  近い密度と高純度、優れた均一性での成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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イオン・ビーム・エッチング装置

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当社は、プラズマ技術を応用したエッチング、成膜、切断装置に加え、 ICP, RIE, DSE, IBE, IBD, PECVD, HDPCVD, HDRF F.A.S.T.-ALD装置の販売、 並びに、当該装置に関するカスタマーサービスの提供しております。 米国フロリダ州に本社を構える、Plasma-Therm LLCは、1974年に設立。 設立以来、48年間プラズマ技術を応用した半導体製造装置の製造・販売を 行っています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en

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