Boschmanのシンタリング装置は、パワー半導体の高密化・効率化に貢献！
パワー半導体に求められる 高出力/高電圧/高電流/高速動作/高周波/熱容量増加/高効率化 といった要件に、シンタリング装置は対応します。 進和では2025年初旬から、シンタリングをお試しいただけるようになります。 ・シンタリングの試作から試作品評価まで、幅広くサポート致します。 ・量産向け設備の設計・仕様カスタマイズなどご相談ください。 ・シンタリング剤の持ち込みトライにも対応いたします。 ・シンタリングの前後装置もご用意しております。
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基本情報
【シンタリング剤の特徴】 熱伝導の効率化/信頼性の向上/高融点のため再溶融しないという特徴があります。 接合点の融点 ： 962℃ 接合プロセス温度 ： 250～300℃ 熱伝導率 ： >200 W/m・℃ 加圧の必要性 ： 有
価格帯
納期
用途／実績例
SiC・GaN半導体の接合にご活用いただけます。
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企業情報
当社は「金属接合」を事業の核として、自らモノづくりに携わる開発・提案型商社です。 ろう付、肉盛溶接・溶射といった接合技術による受託およびメンテナンス、 機器・材料の販売、産業機械の導入、FAシステムの構築、 さらにはエレクトロニクス関連装置の開発・製造まで、 幅広い領域を対象に展開する多様かつ柔軟な事業スタイルを実現。 今後もモノづくりの追求による独自性をさらに発揮し、産業界の発展に 貢献することを使命として、事業の拡大に邁進してまいります。
