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  6. ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』

ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』

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最終更新日:2024年10月09日

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
  • 公式サイト

ウェーハステージの傾斜/回転機能により、フィーチャーセッティングが可能!

『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールによる 精細な薄膜成膜アプリケーションを実現したイオンビーム成膜プロセスを 可能にするダメージフリーイオンビーム成膜ソリューションです。 独自開発のMarathon-grids技術の応用をはじめとしたメンテナンス周期の 延長は生産上重要な要素であり、現在お使いの既存のシステムに 設置することも可能。 ターゲットは設定したエネルギーのイオンビームでスパッタリングされるため 広いプロセスウィンドウを有します。 【特長】 ■RFシャントによるイオンソースの短絡を防止するREDEPブレーカー ■イオンソースのアノード消失を防止する補助電極システム ■機械式シャッターが不要なバーチャルシャッターの採用による  パーティクル削減 ■2つ中和器を一体化したのDual PBN(オプション) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

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ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』1.JPG

ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』

ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』1.JPG
ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』1.JPG
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基本情報

【その他の特長】 ■イオンビームスパッタはロングスロー方式を採用し、低圧、高指向性のスパッタプロセス ■最大8ターゲットの装着が可能 ■イオンソースからのイオンビームは、集束グリッドを通過してターゲットに照射される  (2MHz ICPイオンソース、ディッシュ型3グリッドイオン光学系を使用) ■300eV〜1500eVのイオンエネルギーと最大420mAのビーム電流 ■ターゲットに対して0度から90度までの傾斜角度が可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

価格帯

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用途/実績例

【用途】 ■磁性層の高精度成膜に使用(NiFe、FeCo、CoFeB、Pd、Co) ■MTJ用メタル層・誘電体層の成膜に使用(MgO、Al2O3、Ru) ■メタライゼーション層の成膜に使用(TiW、Ti、Ta、W) ■高屈折率及び低屈折率酸化物 の成膜に使用(SiO2、Ta2O5、Nb2O5、TiO2 ■EUVマスクブランクス超薄膜多層膜の成膜に使用(Si、Mo、Ru) ■高温ボロメトリック・サブストイキオメトリック膜の成膜に使用(Vox、TiOx) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

企業情報

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

電子部品・半導体

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当社は、プラズマ技術を応用したエッチング、成膜、切断装置に加え、 ICP, RIE, DSE, IBE, IBD, PECVD, HDPCVD, HDRF F.A.S.T.-ALD装置の販売、 並びに、当該装置に関するカスタマーサービスの提供しております。 米国フロリダ州に本社を構える、Plasma-Therm LLCは、1974年に設立。 設立以来、48年間プラズマ技術を応用した半導体製造装置の製造・販売を 行っています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en

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