薄膜測定用「分光エリプソメーター」。多様な薄膜の高精度測定に対応。
ＣＣＤ検知器による高速・広波長範囲計測（１９０−１７００ｎｍ）、ダブルモノクロメーターを用いた高光分解能測定（１９０−２０５０ｎｍ）のシステム選択が可能です。 多様なオプション（赤外分光エリプソメエーター、ＧＸＲ等)の追加で、より高精度な測定を実現します。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
ＣＣＤ検知器による高速・広波長範囲計測（１９０−１７００ｎｍ）、ダブルモノクロメーターを用いた高光分解能測定（１９０−２０５０ｎｍ）のシステム選択が可能です。 多様なオプション（赤外分光エリプソメエーター、ＧＸＲ等)の追加で、より高精度な測定を実現します。
価格情報
-
納期
用途／実績例
半導体用薄膜−ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ｃ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、ＳＯＩ、ｌｏｗ−ｋ、ｈｉｇｈ−ｋ、ＳｉＧｅ、２−６系多層膜、３−５系多層膜等 光学薄膜−誘電体多層膜、レンズコーティング、位相ミラー、位相シフター、フォトニクス等 表示デバイス用薄膜−ＴＦＴ液晶、ＰＤＰ、有機ＥＬ等 その他、様々な薄膜が測定可能です。
企業情報
あらゆる産業分野の多様化・高度化するニーズに総合力でお応えします。
