CAEの製品一覧
- 分類：CAE
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
2024/4/10（水）～2024/4/12（金）名古屋 ものづくり ワールド 2024出展のご案内
三和式ベンチレーター株式会社は、ポートメッセなごやで開催される 2024ものつくりワールド（名古屋）に出店いたします。 弊社も大型冷風機、涼暖ビエントの展示をおこないます。 日時：2024/4/10～2024/4/12 開場：AM10:00~ 場所：名古屋ポートメッセ（第１展示会場） ※弊社ブース：19-1 お時間が御座いましたら、ご来場頂ければ幸いです。
劇物フリーのエポキシ樹脂硬化温度について
当社では、劇物フリーのエポキシ樹脂への変更に伴って、硬化時に 発熱する温度についても再確認するため、測定を行いました。 多量に樹脂を使用する場合、当社では、発熱防止処理を施して樹脂包埋を していますが、発熱防止処理を施さないと、硬化中に138℃まで発熱。 多量の樹脂でも発熱防止処理を施せば、硬化中の発熱を30℃以内に 抑えることができました。
化学分析 おまかせサービス
当社で取り扱う『化学分析 おまかせサービス』をご紹介いたします。 製品上の異物やシミなどの成分分析を⾏う際、有機分析が適しているのか、 無機分析が適しているのか、また、有機・無機分析の中でもどの分析が好適 なのか、分析手法の選定についてお困りのお客様へ、一括サービスを提供。 分析装置はそれぞれ測定できる対象が異なるため、情報をもとに、 目的に合った手法を選ぶ必要があります。
COG実装の導電粒⼦形状観察
COG実装の導電粒⼦形状観察についてご紹介します。 ICと液晶パネルはACF(異⽅性導電フィルム)を⽤いたCOG⽅式により実装。 核に樹脂ボールを使⽤し、その表面に導電のための⾦属層(ニッケルや⾦など) が成膜されており、接続時に粒⼦が適度に変形し、ICとパネルを電気的に接続。 粒⼦の変形具合や接続状態を確認するため、断面観察を⾏ったところ、 粒⼦変形量は「中」であり、適度な変形具合であることがわかりました。 平面⽅向と断面⽅向から導電粒⼦の変形具合を確認することで表⽰不良との関連性 を探ることができます。パネル関連の不具合調査はお気軽にご連絡ください。
パワーモジュールパッケージ樹脂のひずみ測定
当社にて、基板に実装された状態のパワーモジュールと、実装していない 状態のパワーモジュールの表面にそれぞれひずみゲージと温度計を貼り付け、 ひずみ測定を実施した結果をご紹介いたします。 実装モジュールではやや温度変化が遅く、呼応してひずみの変化も 遅い様子が観察されました。実装されることで、モジュールへの熱の 伝わり方が遅くなっているためと考えられます。 アイテスでは温度サイクル試験や温湿度サイクル試験を行い、その際に 実装部品に生じるひずみを同時に測定することが可能です。お気軽に ご相談ください。
液晶中の微量金属元素分析
信頼性試験前後のパネルを用いてICP測定を行い、定量化を行った事例を ご紹介します。 LCDの液晶分子はパネル内で配向しており、電圧により液晶の配向状態が 変わる事で表示が制御されます。金属元素のようなイオン性物質がパネル 内部に存在すると液晶が正しく駆動せず表示不良が発生。 イオン性物質は、製造時の混入や長期使用で増加することが知られており、 定量化して把握する事がパネル品質として重要です。 金属イオンは、ICP分析を用いることで定量分析を行うことが可能であり、 前処理方法や検出感度の違いにより、ICP-AES/MSを使い分けて行います。 【解析内容】 ■ICP-AES分析による金属元素含有量の比較 ■ICP-MS分析による金属元素含有量の比較 詳しくは下記関連製品・カタログよりご覧いただけます。
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
Talos F200E導入のお知らせ
当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。