半導体製造装置の製品一覧
- 分類：半導体製造装置
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１００万回繰り返しても壊れない！確実動作と高耐久性・低価格のマットスイッチ。工作機械のオプションなどにも。納期ご相談ください。
- センサ
直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような高抵抗も対応可能！薄化、チップ加工もアレンジいたします！
- その他半導体
- 加工受託
- ウエハー
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- CVD装置
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
VOXIA compact X線CT撮影装置
コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- エッチング装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
TGV ガラス微細加工技術 LIDE （Laser Induced Deep Etching)
- その他半導体製造装置
マイクロウェーブ展2025 出展のご案内
マイクロウェーブ展2025 出展概要 【会期】2025年11月26日（水）~28日（金）10:00-17:00 【会場】パシフィコ横浜 展示ホール 【弊社ブース】展示ホールD M-08 ■ LPKF Laser & Electronics 社製品 ■ 【展示品】 ・高周波アプリケーション向け基板加工機「LPKF ProtoMat S104」 高周波およびマイクロ波アプリケーションのスペシャリスト。PCB試作加工に必要なすべての機能が装備されています。 ・LPKF ガラス微細加工 LIDE 技術「Vitrionシリーズ」加工サンプル LIDE技術を使用したガラスの微細穴あけ加工＝LIDE※工法ではガラスをレーザーで改質の後、エッチングプロセスにより穴を生成し、 マイクロクラックやチッピングのない安全工法を実現しています。 事前参加登録は下部の関連リンクをクリック☟※事前の来場登録が必要となっております。 技術相談等お気軽にお声がけ下さいませ。皆様のご来場を心よりお待ちいたしております。 2025年10月 株式会社ブルックスジャパン 担当：遠山・礒部
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
- 加熱装置
- 電気炉
- アニール炉
VOXIA compact X線CT撮影装置
コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。
- CVD装置
◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃ 真空・大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- エッチング装置
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃__超高温ウエハーアニール専用（6inch〜8inch）真空・大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）
◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換アニール（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用
