ウエハースケール グラフェン合成装置【nanoCVD-WGP】

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから、高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用いただけます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーターは、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）

USB接続式小型赤外線温度センサー 電源不要 PCからUSBバスパワーで給電 付属の専用ソフトでパラメータ設定・データ管理 【概要】 標準付属の「CalexConfig」をインストール、あとはUSBケーブルでWindowsPCに接続するだけ。Plug&Play感覚で簡単にPC上でセンサの測定パラメータ設定、測定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 【特徴】 ◎ USBデータロギング ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答 ◎ 測定波長領域8〜14μmをカバー ◎ 小型Φ18mm x 45mm 【その他仕様】 ◉ 視野角： ・PMU21：2:1 ・PMU201：20:1 ◉ 温度範囲： -20℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8-14um ◉ 放射率：0.2〜1.0 ◉ 電源：不要 ◉ 本体寸法：Φ18mm（径） x 45mm（長さ） ◉ 重量：約85g ◉ USBケーブル1.5m

テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, ALD, PVD（スパッタ・真空蒸着）等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）