半導体製造装置の製品一覧

  • 分類:半導体製造装置

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アイソレーターをお持ちの方へ。高い薬品耐性と作業性を実現。低価格、短納期も実現可能なグローブボックス・アイソレーター用グローブ

  • TRON 1000.PNG
  • TRON 5000 black n white.JPG
  • TRON 5000.JPG
  • CSM.JPG
  • Butyl Smooth.JPG
  • 作業用手袋

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CSM3色251110★.png

【2026年5月20日(水)~22日(金)】「インターフェックスWeek東京」出展のご案内

株式会社イトーは、幕張メッセで開催される「インターフェックスWeek東京」に出展致します。 当展示会は、世界25の国と地域から医薬品・化粧品・再生医療の研究・製造に関するあらゆる製品・サービスが出展する展示会として、日本最大の規模で開催。 世界中から医薬品・化粧品メーカー、再生医療企業が来場します。 当社ではTron Power社製「グローブボックス/アイソレーター用グローブ」を出展致します。皆様のご来場をお待ちしております。

洗浄可能な、タッチレス(非接触)構造のバルブフィーダー!異物混入リスクを低減しました

  • フィーダー

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穴ピッチも20ミクロン以内を対応、材質はAC4A!電子回路製造装置の加工事例をご紹介

  • その他半導体製造装置

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新規導入した大型5軸加工機にて加工!半導体製造装置の加工事例をご紹介

  • その他半導体製造装置

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治具などを工夫して品質を安定!電子基板製造装置の加工事例をご紹介

  • その他半導体製造装置

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サイズは1060×1030×700、材質はSS400!電子回路製造装置の加工事例をご紹介

  • その他半導体製造装置

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表面を整えることにより摩擦を低減!社内設計のペーパーラップ加工機も保有

  • ウエハ加工/研磨装置
  • 手研磨・ヤスリ
  • その他研磨材

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φ450(18インチ)治具 Siウェハと同等の比重、ヤング率! 低価格!

  • ファインセラミックス
  • その他半導体製造装置

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SiC/Si複合材料をターゲット材としてご使用頂いております。

  • スパッタリング装置
  • その他金属材料
  • ファインセラミックス

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最大□800x40tのSiCセラミックス製品を高精度で提供します。装置性能向上や熱問題解消等、採用効果を実績にて紹介します。

  • ファインセラミックス
  • その他機械要素
  • その他半導体製造装置

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軽量高剛性の金属セラミックス複合材料により装置性能が向上します

  • マウンター
  • その他半導体製造装置
  • その他産業用ロボット

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実験目的にあわせたカスタマイズが可能。小型RFスパッタ装置

  • コーター

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酸化拡散、注入装置、エッチングなど!当社で行う製造装置設置などをご紹介

  • その他半導体製造装置

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マグネトロン、イオンビームなど!さまざまな薄膜蒸着ソリューションから選択可能

  • その他半導体製造装置

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電子ビーム描画装置、EUV露光装置、ナノインプリント・リソグラフィ用途 粉体と溶液の2種類を提供可能!

  • レジスト装置

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「光とレーザーの科学技術フェア2023」に出展いたします。

オプトシリウス株式会社は、「光とレーザーの科学技術フェア2023」に出展いたします。 【開催概要】 開催期間:2023年11月7日(火)~9日(木) 会  場:パシフィコ横浜(展示ホールC) 小間位置:S-10 主な展示品:レーザーパワー測定器、小型分光器、積分球、量子ドット、配光装置、高出力LED、レジスト 詳しくは以下のリンクをご参照ください。 https://www.optronics.co.jp/fair/

ロボット溶接機によるファイバーレーザー溶接動画

  • その他機械要素
  • その他半導体製造装置
  • 真空機器

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リモートソース型イオンビームスパッタ装置 リモートプラズマソースの開発メーカー

  • 20170928_160044.jpg
  • スパッタリング装置

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受託テスト成膜サービス(高品位反応膜などの試験成膜)のご案内

これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究。 次世代のMEMS用途として注目されるAlScN成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。 ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。

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