更新日： 集計期間:2025年07月09日～2025年08月05日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～11 件を表示 ／ 全 11 件
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップによるダメージ評価が可能
当社は先進の半導体技術を背景に、テストウェハのソリューションを提供し、お客様の装置・材料・プロセスの評価・開発を総合的にサポートしております。 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能となります。 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
生産用シリコンウェハと同様、自動搬送で流すだけで効果を発揮します。
『チャッククリーニングウェハ(CCW)』についてご紹介します。 当技術は、チャック上のゴミ/パーティクルを除去。簡単な使用方法で ダミーウェハのロスの低減、装置ダウンタイムの削減を実現します。 フォトリソグラフィーのほか、エッチングやスパッタリングの プロセスにおいて効果が期待できます。 【特長】 ■チャックの表面形状に合わせた3D加工も可能 ■専用のメンテナンスシートでクリーニングウェハの再生も可能 ■チャック上のゴミ/パーティクルを除去 ■生産用シリコンウェハと同様、自動搬送で流すだけで効果を発揮 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
12インチSi両面研磨ウェハー Φ300mmシリコン基板 厚み775±25um P型＜100＞ 1-100Ω・cm 両面ミラー
品質：パーティクル管理有（0.2um30個以下） 製造：日本製（Made in Japan） 納期：1-2週間
CZ法／FZ法のシリコン基板を、結晶成長からスライス、ラッピング、エッチング、研磨、酸化膜、エピーまで御対応可能です！
同人産業のシリコンウェハーは、日本国内工場で生産している他、中国メーカーにて委託生産しています。Φ2″、Φ4”、Φ6”、Φ8”、Φ12”まで全てのサイズを得意としております。 熱酸化膜、CVD酸化膜、SOI、Silicon on Siliocnエピーなども対応可能です。 BG加工(バックグラインディング）、ダイシング、刳り抜き、放電加工など特殊形状加工も対応可能です。 ※Φ600mmまでの大径シリコンインゴットやパーツ加工（MC加工）も得意としております。
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能
当社は、テストウエハの半導体技術でお客様の技術開発を支援しております。 テストウエハのサービスは、ベアSiウエハ、膜付ウエハ、パターンウエハ等を提供し、 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能、 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多様化するニーズにお応えする高品質シリコンウェハー製品
当社は、先進の技術を追求し半導体製造開発に必要不可欠な ベアウェハー、高品質薄膜ウェハー、ダミーウェハー、各種成膜ウェハー等を ご提供し、多様化するマーケットのニーズにお応えいたします。 また、ウェハー加工サービスや分析サービスも承っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【各種ウェハー製品】 ■ベアウェハー ■加工成膜ウェハー ■テスト用TEG ■パターン付き300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
CMOSなどの基盤に好適！ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤
アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが 埋め込まれている ■ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、 パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレード ■ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような高抵抗も対応可能！薄化、チップ加工もアレンジいたします！
直径は３０ｍｍ程度～8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。 センサー用FZウエハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウエハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT･ダイオード等に利用されています。 ＊Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。 ウエハへの加工も可能です。 仕様） 仕上げ: as ground 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 Ingot length (mm) : 200 - 400 第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二OF(mm) : N.A. タイプ：N-type Lifetime(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032±700,00 RRV [%] : N.A. ＊在庫は複数本ございます。
水晶原石からウエハーまで一貫した生産ラインと新しい設備でウエハーをご提供！
ファインクリスタル株式会社では、水晶振動子・センサー用、SAWフィルタ用・ 光学用の『大板水晶ウエハー』を取り扱っております。 お客様の要求に合わせた任意の切断面方位(θ1±5’以下)に対応します。 研磨は梨肌から鏡面研磨まで、板厚0.10mmの鏡面も可能です。 当社は、水晶原石からウエハーまで一貫した生産ラインと新しい設備で ウエハーを提供いたします。 【特長】 ■お客様の要求に合わせた任意の切断面方位(θ1±5’以下)に対応 ■研磨は梨肌から鏡面研磨まで可能 ■板厚0.10mmの鏡面も可能 ■一貫した生産ラインと新しい設備でウエハーをご提供 ■丸ウエハー外周面取りにも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
