ゲルマニウムアバランシェフォトダイオード(Ge APD)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード、赤外フォトディテクタを製造している世界的な会社
■小口径：40μm ■波長感度域：800nm～1800nm ■リニア及びガイガーモード動作 ■高感度 ■高信頼性ファイバピグテール(シングル／マルチモード) ■電子冷却可能 ■各種パッケージ：TO-46、サブマウント
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ダイオード - 企業45社の製品一覧とランキング
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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企業ランキング
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- MHIパワーエンジニアリング株式会社 兵庫県/産業用機械 高砂事業部
- 旭テック株式会社 大阪府/電子部品・半導体 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 鞍山雷盛電子有限会社 中国/電子部品・半導体
- 4 株式会社オプトロンサイエンス 東京都/光学機器
- 5 新光電子株式会社 東京都/電子部品・半導体
製品ランキング
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- 工場内IoT・医療業務系での境界制御データダイオードOWCD MHIパワーエンジニアリング株式会社 高砂事業部
- 逆流防止ダイオード DKA40AA220 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- シリコンフォトダイオード KD834 新光電子株式会社
- 高耐圧 逆流防止ダイオード DKA40BA300 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 4 生産制御，工場内監視IoT用データダイオード OWCD３ｉ MHIパワーエンジニアリング株式会社 高砂事業部
製品一覧
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ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
紫外発光ダイオード (UV-LED)
◆ 紫外LED (UV-LED) ◆ 308nm 325nm 340nm ◆ 皮膚治療・樹脂硬化・センシング
【ベアチップ（ベアチップ単体、サブマウント付ともに供給可能）Bare Chip】 卓越した技術によって製造された高品質ベアチップです。チップサイズは3種類、オプションでサブマウント付仕様も選択可能です。 ・小型（500μm×500μm）ベアチップ、中型（750μm×780μm）ベアチップ、大型（1000μm×1000μm）ベアチップ ※サブマウントを付けた状態での供給も可能ですのでお問い合わせ下さい。 【TO メタルキャン (TOパッケージ) To Metal Can】 ・金属キャンによる堅牢な高信頼（ハーメチック）仕様です。口径はφ5mmとφ9mmがあり、配光角も6°～145°(全角)からお選びいただけます。 【気密SMD】 3.5mm×3.5mmの業界標準サイズのSMDパッケージに、10mWクラスの中型チップあるいは大型ハイパワーチップを搭載した製品です。 ・ミドルパワーSMD（中型：750μm×750μmチップ搭載）、ハイパワーSMD（大型：1000μm×1000μmチップ搭載）
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm
■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
シリコンアバランシェフォトダイオード
◆高速レスポンス◆高バンド幅◆低ノイズ◆低バイヤス電圧◆ハーメチックTO-パッケージ◆優れた感度・高い応答デバイス
◆シリコンアバランシェフォトダイオード ◆フラットミラーまたはボールレンズで使用可能 シリコンアバランシェフォトダイオードは、インパクトイオン化利得を達成するために、内部の乗算を使用します。その結果、優れた感度を発揮する、高い応答デバイスの最適化されたシリーズです。 OSI社は、光ファイバアプリケーション用の平らなWindowsまたはボールレンズで使用可能な検出器のいくつかのサイズを提供しています。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード
◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Siポジションセンサーフォトダイオード
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
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InGaAs大口径フォトダイオード
◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯：1100-1620nm ◆IR感度ディテクター
アクティブエリアサイズが1mm 1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Si高速フォトダイオード
◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様
高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
レーザダイオード
レーザダイオード
ドイツ First Sensor社（ファーストセンサ社）のレーザダイオード635～905 nmと幅広い波長ラインナップでシングル、マルチモード共に用意しております。 また各LDに合ったPD APDも用意しておりセットでのご提案対応させていただきます。
- 企業：丸文株式会社
- 価格：応相談
赤外発光ダイオード KL857
高出力の赤外発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込みました！
赤外発光ダイオード KL857は、高出力の赤外発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだ赤外発光ダイオードです。 高出力赤外LED（λp：940nm）を使用し、TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用光源、光電スイッチ用光源などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
- 企業：新光電子株式会社
- 価格：応相談
平行光 赤色発光ダイオード KL3095
高出力の赤色発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込みました！
平行光 赤色発光ダイオード KL3095 は、高出力の赤色発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだ赤色発光ダイオードです。 超高出力赤色LED（λp：660nm）を使用し、TO-46メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。 エンコーダ用光源、フォトセンサ用光源、光電スイッチ用光源などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
- 企業：新光電子株式会社
- 価格：応相談
定電流ダイオード(CRD) Eシリーズ
LED輝度安定用の定電流供給に最適！
定電流ダイオード(以下 ＣＲＤ:Ｃurrent Regulative Diode）は、その名前が示すように電圧が変動しても一定の電流が供給可能なダイオードです。１Ｖ以下の低電圧から１００Ｖの高電圧までの広い電圧範囲で常に一定の電流を流すことが出来る部品です。加える電圧の変動、負荷抵抗の変化、リップル電圧に係ることなく負荷に一定の電流を供給が出来ます。一般に定電流回路は構成が複雑で複数の部品が必要です。 また、設計も簡単ではありませが、ＣＲＤは、たった１個の部品で定電流特性が簡単に実現可能です。
- 企業：フルタカパーツオンライン （フルタカ電気株式会社
- 価格：応相談
定電流ダイオード(CRD) Sシリーズ
電圧が変動しても一定の電流が供給可能！超低価格ダイオード！
定電流ダイオード(以下 ＣＲＤ:Ｃurrent Regulative Diode）は、その名前が示すように電圧が変動しても一定の電流が供給可能なダイオードです。１Ｖ以下の低電圧から１００Ｖの高電圧までの広い電圧範囲で常に一定の電流を流すことが出来る部品です。加える電圧の変動、負荷抵抗の変化、リップル電圧に係ることなく負荷に一定の電流を供給が出来ます。一般に定電流回路は構成が複雑で複数の部品が必要です。 また、設計も簡単ではありませが、ＣＲＤは、たった１個の部品で定電流特性が簡単に実現可能です。
- 企業：フルタカパーツオンライン （フルタカ電気株式会社
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GHｚ帯 高周波ダイオード
GHｚ帯 高周波ダイオード
宇宙通信から、商用まで高周波ダイオードーをOEM供給してきた 米国、Massachusetts Bay Technologies社製の高周波ダイオードー 【特徴】 ○オリジナル製品だけではなく カスタマイズしたオーダーメイドの製造も可能 ○他社ダイオードーの同等品の設計製造が可能 ○原価低減や製造中止に対応可能 ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
- 企業：株式会社電販
- 価格：応相談
