フォトダイオード
フォトダイオード
フォトダイオードは、超高速の光学イベントを検出するためのデバイスです。 光が当たると電気出力を生成し、内部ゲインはありませんが、広いダイナミックレンジで動作します。 PHOTEK社フォトダイオードの立ち上がり時間は100ps未満で、10mm、25mm、または40mm直径の光電入力面から選択できます。
- 企業:デルフトハイテック株式会社
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年03月26日~2025年04月22日
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フォトダイオード
フォトダイオードは、超高速の光学イベントを検出するためのデバイスです。 光が当たると電気出力を生成し、内部ゲインはありませんが、広いダイナミックレンジで動作します。 PHOTEK社フォトダイオードの立ち上がり時間は100ps未満で、10mm、25mm、または40mm直径の光電入力面から選択できます。
気密封止で高信頼性!
「CRD Eシリーズ」は小型で安定した定電流特性を供給する素子を使用しています。 DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造でDO35(300mW)パッケージを使用した小型素子です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れています。 今までのシリーズは「E-153(15mA)」が上限でしたが、「E-183(18mA)」を追加しました。これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。
シリコンフォトダイオード
OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm 1.2mmx1.2mm 2.0mmx2.0mmの3種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm) 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの3タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。
アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode
高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。
【200nmから950nmの広い波長範囲において非常に高い感度を持つフォトダイオード】
ElFys社のブラックシリコンフォトダイオードは、原子層蓄積(ALD)コーティングを組み合わせた表面ナノ構造技術により集光性を高めた、広い波長範囲において高感度に光を検出できるフォトダイオードです。 波長範囲200nmから950nmにおいて96%以上の外部量子効率を持ちます。特に紫外域(UV)においては非常に高い感度を持ち、一般的なpn結合のフォトダイオードの約2倍光応答性が優れています。
【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオード
ElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG(光電式容積脈波)モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。
高感度と高速応答を同時に実現!青紫レーザ対応高速フォトダイオード
コーデンシでは、独自技術により、新しいシリコン受光素子を開発。この新開発の受光素子は、高感度と高速応答を同時に実現するもので、青紫レーザー光に対しても高い安定性を有しております。青紫対応高速ダイオード PDZ702NB として、量産しております。
外部での電磁シールドが不要!フォトダイオードの容量を数分の一以下にし広帯域化に成功
受光システムは広帯域化すると感度が低下してしまう、また、高感度の 受光ICは外来ノイズの影響を受けやすい課題がありました。 この度、その様な課題を解決する新型受光素子の開発に成功し、広帯域化、 高感度でありながら外来ノイズの影響を受け難い受光ICを製品化しました。 当社の新型フォトダイオードは独自の構造により、従来技術の限界の 数分の一以下の超低容量化により広帯域化を実現。 内部にシールド効果を持たせることが出来るので、外部での電磁シールドを 不要とする事が出来ます。 【特長】 ■広帯域での高感度化 ■従来技術のフォトダイオードに比べ寄生容量が数分の一以下 ■外来ノイズの影響を受けない受光素子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
標準品*オンラインで購入可能【レーザダイオード】
445nmレーザダイオード Photonicland HPより簡単にご注文いただけます。 お問い合わせフォーム、またはリンクページよりご注文ください。
60Wの温度コントローラと100mA~4Aのドライバを組合わせたベンチトップインスツルメント
■フォトダイオード・モジュレーションインプット・プログラミングPDバイアス・RS-232・USBコンピュータインターフェースなどを備えている ■レーザソース向けには、プロテクションサーキット・インターロック・静電気プロテクションなどが装備されている
Low PDL InGaAs フォトダイオード
■有効径:0.3~5mm ■高感度 ■カットオフ周波数(1.7um) ■低偏波依存性損失(Low PDL) ■コネクタ付可能(FC、SC、ST、SMA)
4・8・12・16のエレメントがリニアアレイとして配置
■ファイバリボンに合わせて250umピッチのデザイン ■80umの有効径でハイスピード・低暗電流対応 ■光アイソレーション50dB ■O・S・C・Lバンドに対応
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル/デュアルステージTEクーラ ■有効径:0.3mm~5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流/低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長:1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ:TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
Extended InGaAs PD
■有口径:0.3mm~3mm ■カットオフ波長:1.9μm、2.05μm、2.2μm、2.6μm ■高シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能:両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■パッケージ:TO-46、TO-18、TO-5
High Speed InGaAs PD
■小口径:60μm~300μm ■カットオフ波長:1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ:ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ