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布地や印刷物の検品に便利な、折りたたんで持ち歩けるルーペ「リネンテスター」。30mm&1と1/2吋目盛・倍率:5倍・ダブルレンズ
リネンテスターとは ： 元来は繊維（リネン）の織り上がりを検査するために作られたルーペですが、検査物が平面のもの(印刷物など)を簡易検査するときに便利です。 小さく折りたたむことが可能なので、ポケットに入れて持ち運べる簡易検品用ルーペ(対象物：平面物)をお探しの方におすすめです。 目盛は4辺の内、2辺がミリ目盛、2辺がインチ目盛になっています。 ミリ目盛は1ミリ刻み、インチ目盛は1/8インチ刻みです。 【シングルレンズとダブルレンズの違い】 シングルレンズに比べ、ダブルレンズは周囲のひずみを少なくしたものです。 レンズに目を近づけて見た場合はあまり違いはありませんが、目を離していくと違いが出てきます。
布地の検品や印刷物の検品に便利な、折りたたんで持ち歩けるルーペ「リネンテスター」。50mm&2吋目盛・倍率:4倍・ダブルレンズ
リネンテスターとは ： 元来は繊維（リネン）の織り上がりを検査するために作られたルーペですが、検査物が平面のもの(印刷物など)を簡易検査するときに便利です。 小さく折りたたむことが可能なので、ポケットに入れて持ち運べる簡易検品用ルーペ(対象物：平面物)をお探しの方におすすめです。 目盛は4辺の内、2辺がミリ目盛、2辺がインチ目盛になっています。 ミリ目盛は1ミリ刻み、インチ目盛は1/8インチ刻みです。 【シングルレンズとダブルレンズの違い】 シングルレンズに比べ、ダブルレンズは周囲のひずみを少なくしたものです。 レンズに目を近づけて見た場合はあまり違いはありませんが、目を離していくと違いが出てきます。
防塵・防水対応のUSBメモリ。 広温度範囲品もございます。
屋外や周辺環境の厳しい条件での使用を考慮したUSBメモリです。 未使用時(キャップ密封時)には粉塵や砂塵の進入を防ぎ、水没にも耐える設計となっています。 また、フラッシュメモリはSLC-NANDかMLC-NANDを選択でき、動作温度範囲も拡張できますので、用途に応じて最適なデータ保存が可能です。外観（色、ロゴ等）のカスタムを承りますので、団体や企業独自のデザインとして差別化を図ることができます。
2.5 SATA PATA SSD 緊急データ消去機能付
APRO社、高信頼、広温度範囲SSD、BONシリーズは世界各国の航空・防衛産業で使用されています。
車載向けSPI Flash Memoryをリリース致しました。
日本ISSI合同会社では、DRAM/SRAM ラインナップに続き、車載向けSPI Flash Memoryをリリース致しました。 【特長】 ○製品名：IS25LQ080B(8Mb) IS25LQ016B(16Mb) IS25LQ032B(32Mb) ○スピード：416MHz equivalent Quad SPI ○電源電圧：2.3V ～ 3.6V ○動作温度範囲：-40’C ～ + 125℃ 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
MLCをSLCとして使えるpSLCを全メモリ製品に採用することで、高性能安価を実現！
当社は、UDinfoブランドのSSD、CF、ATAカード、SDはじめ、IDE module SATA moduleなど組み込み用、産業用、工業用フラッシュメモリーを多数 取り揃えております。 品質を第一に過酷な温度環境に対応した製品を少量ロットから、大ロットまで 短納期で対応できるよう、台湾にて生産体制をとっています。 また、当社ブランド品の供給、および御社ブランドにも対応できます。 ご用命の際は、お問い合わせください。 【特長】 ■インターフェース：PCMCIA、CF、IDE、SATA、USB、SD ■幅広い使用温度範囲：－40℃～85℃ ■搭載できるNANDメモリの型式：SLC MLC Pseudo SLC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
スカイハイの S40FC004C1B2I00000 /製造中止品(EOL品)の再生産
S40F004は、コスト効率の高いe.MMC管理のNANDフラッシュメモリソリューションで、JEDEC JESD84-B51と互換性があります。4Gバイトのストレージを提供し、153ピンFBGAパッケージで提供され、-40℃~+85℃の温度範囲で動作します。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
S29GL064S80DHB020 /製造中止品(EOL品)の再生産
インフィニオンのS29GL064Sは、サイプレスのMirrorBit製品の一部である64Mビット（8Mバイト）フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVccまでのI/O範囲を提供します。9mm×9mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃~+105℃動作に対応し、AEC-Q100グレード2認定を受けています。ロチェスターの在庫品には、その他の集積度やパッケージタイプもあります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産
SkyHigh MemoryのS40FC004C1B1I00000は、4Gバイト、3.3V、e.MCC 5.1互換フラッシュメモリです。産業用温度範囲-40℃~85℃に対応し、153ピンFBGAで供給されます。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
最大4Gbの大容幅！機能安全に対応した設計、ASIL-B準拠、ASIL-DおよびSIL2対応可能
『SEMPER NORフラッシュメモリー』は、自動車、産業機器、通信基地局等の アプリケーションに必要とされる高性能と、業界最高クラスの機能安全と 信頼性を提供します。 ASIL-B準拠およびASIL-Dに対応可能。各パーティション領域は100万回以上の 書き込み/消去サイクルまたは最大25年間にわたりデータを保持できます。 また、幅広い温度範囲(-40℃～＋125℃)に対応しています。 【特長】 ■機能安全：ASIL-B 準拠 ■長期供給 ■ソリューションハブ - SDK、キット、その他のリソース ■エコシステム - チップセットとパートナーによるサポート ■電力密度：256 Mb、512 Mb、1 Gb、2 Gb、4 Gb ■電圧：1.8 V、3.0 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
-40℃～＋105℃の拡張動作温度範囲を提供！セルフリフレッシュ型ダイナミックRAM
『HYPERRAM』は、スクラッチパッドやバッファリング目的で 拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステム向けの高速、低ピン数、 低消費電力の擬似スタティックランダムアクセスメモリです。 当製品は、HYPERBUSインターフェイスの拡張版をサポート。 また、16ビットI/Oによって、DDRモードで最大800MBpsの読み取り・ 書き込み帯域幅を提供します。 【特長】 ■動作電圧範囲：1.7V～2.0V ■HYPERBUS拡張I/O(16ビット) ■アクセス時間：35ns(max)、クロックレート：200MHz ■Double data rateリード/ライト帯域幅：800MBps ■設定可能なバーストモード ・リニアバースト、ラップレングスバースト、ハイブリッドバースト ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
遅延のない書き込みにより、バッテリバックアップなしで瞬時に不揮発性を実現！
「EXCELON F-RAM」は、シリアルNVRAM(不揮発性メモリー)を実現し、 ミッションクリティカルなデータ取得に、優れた性能と信頼性を提供します。 高速不揮発性データロギング用の小PINSPIおよびQuad SPI(QSPI) インターフェイスを備え、産業用や自動車用など、極端な温度の 過酷な環境下での使用も可能です。 【特長】 ■動作温度：1.8V～3.6Vおよび1.71V～1.89V ■専用256バイト special sector F-RAM ■24ボールFBGAパッケージでの提供 ■動作温度0℃～＋70℃(突入電流制御付きF-RAMの場合)、 -40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃ ■データ保持：＋85℃で10年、1014サイクルの耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1 048 576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
実装の信頼性と拡張性を提供するセキュアフラッシュメモリをご紹介！
『W77Q』は、標準シリアルNORフラッシュメモリを完全置換えできる セキュアフラッシュメモリです。 これまでのNORフラシュメモリと同じように使いつつ、さらに柔軟かつ 高性能なセキュリティ機能を利用可能。 小パッケージで低消費電力を要求されるシステムにセキュアストレージを 追加し、そのセキュリティレベルは、コモンクライテリアEAL2セキュリティ 認定要件を満たします。 【特長】 ■既存のシリアルSPI NORフラッシュメモリW25QJWファミリを継承 ■第三者機関による認定メモリ＝信頼を約束するソリューション ■斬新なセキュリティ機能を搭載 ■CPUを用いないピュアなデジタルロジック設計アーキテクチャー ■コスト重視のプラットフォームに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
