更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析することが可能
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『情報メモリーVAM32』を取り扱っております。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
専用の読出器が不要で、パソコンなどを使用して容易に解析できます
『情報メモリーVAM32II』は、 リレー式踏切設備の動作状態を 記憶・読出・データ解析することができる装置です。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示。 時刻補正用GPS内蔵タイプと非内蔵タイプの2種類
『情報メモリーVAM32III』は、リレー式踏切設備の動作状態を 最大32接点分記憶(読出・データ解析)することができる装置です。 USBメモリーで簡単に読み出せて、PCでの解析が容易。 GPS内蔵タイプは、 時刻補正出力を有しています。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■記憶容量を120 000変化まで増量 ■USB伝送またはRS-232Cで読出が可能 ■自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示 ■表示部で機器ナンバー等が確認可能 ■オプションのモバイルプリンタを使用し、現場で印刷可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ピン数の少ないクワッドSPIを使用することで基板スペースを節約します！
『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
医療機器メーカーが満足するUSBドライブ。
医療業界特有の要求を深く理解し、信頼性、安全性、互換性を考慮して設計されており、さまざまな医療機器とのシームレスな統合を実現しています。 OEM/ODMのお客様には、BOMを修正し、すべての規制基準に準拠してサポートします。 *IMI(International Microsystems Incorporated)とのサポート
高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上！
当社で取り扱う「4Mb 16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を ご紹介いたします。 「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100 000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による 信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
入力条件数は32条件、100 000変化分のデータを保存することができます
『情報メモリVAM32』は、リレー接点入力により踏切設備の動作を 記憶する装置です。 LAN通信により、遠隔で記憶データを取得することが可能。外線入力 コネクタは従来の「VAM32」から変更ありませんので、置き換えて 使用することができます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■LAN通信により、遠隔で記憶データを取得可能 ■入力条件数は32条件、100 000変化分のデータを保存可能 ■既存の「VAM32」解析ソフトを使用して現場で直接解析可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電流クランプセンサによりリレー動作の条件を読み取りますので、設置が容易
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『非接触形踏切メモリー』を取り扱っております。 電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップします。(常温で完全充電時) 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■電流クランプセンサによりリレー動作の条件を読み取るため設置が容易 ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ■タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産
インフィニオン S29GL512N10FFAR20は、サイプレス MirrorBit 製品の512Mビット(64Mバイト)フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVCCまでのI/O範囲を提供します。13mm×11mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃～+85℃動作に対応し、AEC-Q100グレード3に認定されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度 －40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
業務用メモリの5つの安心・安全
・管理者/ユーザの2重パスワード ・不正利用させないPC指定機能（MACアドレス指定） ・本体内部で利用ログデータを記録 ・セルフ消去で使用者の消し忘れの防止 （PCから抜き取った時点で自動消去） ・専用アプリ不要（アプリは本体に内蔵） ・全てのファイルを自動で暗号化(AES256） ・ファイル削除は常に完全物理消去 ・パスワードによるセキュリティの確保 ・万一の紛失時も不正アクセス/分解時点で自動消去の実行 (本体の内蔵電池が外された時点で自動消去）
ECCを内蔵した高信頼性4Gb DDR3メモリーシリーズ
ゼンテルジャパン社は、2003年にPowerchipグループによって設立され、2019年に独立し、Zentelブランドを継承しています。PC、民生、通信、産業および車載機器のお客様に対して、洗練されたメモリ製品を継続的に提供しています。 A3T4GF30CBF(x8)/A3T4GF40CBF(x16)はECC内蔵DDR3 4Gb製品です。この製品は、高信頼性が求められるシステム設計においてISO/IECで定義される機能安全要件を満たす最適なソリューションです。ECC内蔵DDRは、ECCで修正できない障害を直接SoCに通知し、システム障害率を低減します。また、従来のシステムでは、障害判定をSoCで行い、作業メモリ用DDRとは別にECC用DDRを必要とするため、コスト削減が難しいという課題がありましたが、ECC内蔵DDRはコンポーネント数を削減し、部品や実装コスト、消費電力、EMIを効率的に抑制します。
