更新日： 集計期間:2025年11月05日～2025年12月02日
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JAXA関連プロジェクトで多数採用。ハイブリッドDC-DCコンバータ、EMIフィルタ、MOSFETなどをラインアップ
当社では、International Rectifier HiRel Products社製の 航空・防衛・宇宙分野向けのパワー半導体や電子部品を取り扱っております。 ハイブリッドDC-DCコンバータやEMIフィルタ、MOSFETなど、 高信頼性と耐環境性能に優れ、国内外の様々なプロジェクトで 採用実績がある製品のご提供が可能です。 【International Rectifier HiRel Products社製品の実績】 ■JAXA関連プロジェクトに多数採用 ■宇宙関連プロジェクトにパワー半導体を3万個以上納品 ■宇宙関連プロジェクトにDC-DCコンバータを500個以上納品 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
現行品でリードタイムの長い製品である製品群を18億個、8、000種類の在庫を保有
ロチェスターは、オンセミより認定された正規販売代理店および製造メーカーであり、37億個以上の在庫と37、000個の製品群を保有しています。 包括的なオンセミポートフォリオには、パワーコントローラとレギュレータ、パワーMOSFETとIGBT、クロックジェネレータ、センサおよびその他多くが含まれています。 ・スイッチレギュレータ ・LDOs/リニアレギュレータ ・スーパーバイザ/リセット ・MOSFET など 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、オンセミなどのオリジナル半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
狭いVGS(th)レンジ！エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保
『TOLTパッケージのOptiMOS5 80V/100V』は、高出力アプリケーションや 小型電気自動車などのメインインバーターに適した半導体です。 エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保。 高出力性能を備えた電子制御ユニットが、以前にも増してパワーステージの 上面冷却で設計されているため、インフィニオンはこの新しい要件を サポートする専用パッケージで、MOSFETラインアップを補完しました。 【特長】 ■上面冷却に特化したTOLTパッケージ ■最小のRDS(on)は80Vで1.1mΩ、100Vで1.5mΩまで低下 ■低いパッケージ抵抗と浮遊インダクタンスの最小化 ■狭いVGS(th)レンジ ■様々なアプリケーションの電源要件に対応する多様なRDS(on)オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください
『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計 電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度～2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです！ ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、エアコン室内機のコントローラ用電源回路やモータ駆動回路を迅速設計！
新電元はマイナスイオン発生器や自動クリーニング機の電源回路までしっかりご提案します。家庭用エアコンの室外機は、コントローラ用電源のほか、送風ファン駆動回路、クリーニング駆動回路、マイナスイオン発生器用回路など、特徴的な機能を一体化した専用性の高い回路設計になります。省エネ性能の高いスタンバイモード搭載のフライバック制御ICも欠かせません。 家電量販店で選ばれるエアコンは、特に省エネ性能が大きなポイントになります。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です！ ■新製品の開発は最新の電源回路で！ 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失＆合理化設計。電源回路提案に強い！
SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体（MOS）接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス 量子効果デバイス
炭化ケイ素（SiC）は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC（ダイヤモンド）の“いいとこ取り”をした材料です！ さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
確かな経験と蓄積された技術により開発！各種整流ダイオードや高圧ツェナーなどを掲載
当カタログでは、当社で取り扱う半導体をご紹介しております。 小型薄型で、実装面積が小さい「一般整流ダイオード」をはじめ、 通信工業用として高い信頼性を有する「シリコンバリスタ」等を掲載しています。 高耐圧ダイオードモジュールは医療機器市場に、大電流ダイオードモジュールや スナバーモジュールは鉄道や産業機器に、表面実装ダイオードはカメラ・ 携帯機器・通信機器に、そしてカスタムモジュールは自動車に、幅広い分野で 採用されています。 【掲載内容（抜粋）】 ■一般整流ダイオード ■高速整流ダイオード ■超高速整流ダイオード ■シリコンバリスタ ■高耐圧整流ダイオード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性
TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介
【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定
オンセミコンダクター製品の継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミコンダクターより認定された正規販売代理店及び製造メーカーです。 パワー、アナログやインテリジェント・センシング・ソリューションなど70億個以上の在庫を保有し、オンセミ製品の継続供給をサポートしています。 オンセミはモトローラの半導体製品部門がスピンオフとして1999年に設立、ロチェスターエレクトロニクスとはその以前1981年からパートナーシップを組んでいます。 さらに、近年Catalyst、 SanyoそしてFairchildの買収により、これらのレガシー製品の継続供給も可能になりました。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
電動車向けパワー半導体製造で躍進目覚ましい
当社は、「富士電機（株）の”パワー半導体”事業戦略と今後の展開」のセミナーを開催します。 炭素中立を目指す世界的な再エネ化・省エネ化、電化・電動化の潮流の中で、富士電機は近年電動車向けおよび再エネ・省エネ向けパワー半導体に力を入れ伸長させてきている。欧米日を主とした世界の強豪がひしめき、中国メーカーも勢力を伸ばしてきているパワー半導体市場の中で、特に電動車向けパワー半導体を伸長させてきた富士電機のパワー半導体の事業戦略と今後の展開について、現在の主力パワー半導体であるIGBTと今後の成長が期待されるSiC MOSFETの市場動向と技術動向を含めて詳説する。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2024年11月25日(月) 13:30 - 15:30(開場13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：富士電機株式会社 半導体事業本部 フェロー（工学博士） 藤平 龍彦 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
