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撹拌槽内のインペラ回転で発生する槽内の流体挙動を移動境界を伴ない可視化
移動境界：インペラの回転による攪拌槽内流動解析では、撹拌槽内でインペラを回転させることで発生する槽内の流体の挙動を移動境界を伴なう数値シミュレーションを行い可視化しました。撹拌槽内での流体の撹拌･混合は、化学・バイオ分野において重要な工程の一つです。 ブレードの形状等は多様な種類が見られ、撹拌槽内部を十分に撹拌･混合することが目的です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
電子機器筐体内の数値シミュレーションによる換気解析を行いました
電子機器筐体内熱気流解析では、電子機器筐体内の数値シミュレーションによる換気解析を行いました。技術力の向上に伴い電子部品は益々縮小傾向にあり、電子機器筐体内における熱の問題が不可避です。 高発熱体及びファン等の換気用部品の設置箇所によっては機器自身の性能にも深く関与します。 その知見を得るため解析を行いました。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
建築・土木、機械・電子の分野における熱流体解析にノウハウを持っています。その解析レベルとコストパフォーマンスをお試し下さい！
私どもは10数年にわたって様々な熱流体解析業務に従事し、多くのお客様 とともに汗を流し知恵を絞って、多くのノウハウと知見、及びプレゼンテーション技術を蓄積してまいりました。 私どもが提供する受託解析は、 ・ソフトを使えないユーザでも利用可能． ・時間のない時や解析作業量が大きい場合に便利． ・報告書などで初心者でも結果の解釈が可能. ・専門家が解析を行うので、結果の精度に不安がない． など、多くの利点を持っています。 私どもは、お客様との有機的なコラボレーションによって解析のレベルをより一層高めつつ、未知の現象にシミュレーションの光をあてながら新たな知識の地平を開くことをお約束します。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードして下さい。
ここが違う！輪郭形状誤差解析
Quick Visionの自動トレース機能を使い、 測定ワークの輪郭形状を点群データとして取り込むことが可能
テクノソルバ社の、機械構造物の設計向け構造解析CAEです。
宇宙用構造物の設計で培ったCFRP部材の設計・解析手法をもとに設計をサポート テクノソルバ社の、機械構造物の設計向け構造解析CAE 【特徴】 ○構造解析業務の受託 ○構造解析の技術コンサルティング ・構造解析ソフトNASTRANを実際の課題に適用するために、 解析評価手法の選択から設計の適正化まで全般にわたってサポート ○構造解析の導入コンサルティング ・構造解析の導入をご検討されるお客様に最適な解析システムをご提案 ・エンジニアのトレーニング ○構造試験に関する技術コンサルティング ・設計結果が妥当かどうかを確認するための試験評価手法をご提案 ・試験の企画・立案、試験データの分析・評価や構造解析モデルの検証、 その技術構築をサポート ●詳細は、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
間欠ノイズ、SSCなど起因の周波数揺らぎのあるノイズ、トランジェントノイズを周波数領域、時間領域の2面で解析。
EMCスキャナでスキャンしながら、 ・リアルタイムスペアナでキャプチャした「スペクトログラムデータ」を各測定ポイントごとに捕捉。 ・解析ソフト(ビューア）ではPlay機能によるアニメーション表示が解析に威力を発揮。 ・WM7000のオプションとして新登場。 ・ノイズの間欠現象、周波数揺らぎ、トランジェントノイズを周波数領域、時間領域の2面で解析。 ・新規購入時のオプション、または既存設備への追加が可能。 ・リアルタイムスペアナはテクトロニクス社RSA600/500/300シリーズ専用。
製品形状・樹脂の特性、金型設計及び成形条件の影響を事前にチェックします。
製品設計時、金型設計前に成形加工性を評価し、設計品質を上げることにより、後工程で発生する不具合を軽減し、開発工程を効率化できます。
設計品質の向上、試作や実験の工数低減、開発期間の短縮などが期待できます。
構造解析の活用により製品強度についての設計品質向上、 試作や実験の工数低減、開発期間の短縮などが期待できます。 弊社は製品や部品の強度上の問題を抱える設計者を、豊富な 専門知識と解析技術でバックアップします。
流体の流れ、温度分布を可視化！AnsysIcepakを使い解析を行い、設計の手助けをいたします
冷却対象に対するモデリングにおいて、設計者による経験値による 設計⇒試作⇒実験による測定⇒再設計⇒試作を繰り返す場合、時間と 費用の無駄が発生してしまいます。 端的に言えばその無駄を無くすために、CFD解析が必要とされています。 CFDでは入力するパラメーターさえあれば自動的に計算され、それにより 流体の流れ、温度分布が可視化されます。 当社ではAnsysIcepakを使い解析を行い、設計の手助けを致します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
業界リーダーによる静的解析（SAST）ソリューション。コーディング中にセキュリティと品質の問題をすばやく見つけて修正できます。
Coverity はスピード、使いやすさ、精度、業界標準規格への適合、スケーラビリティを兼ね備え、高品質でセキュアなアプリケーションの開発を支援します。Coverity では開発プロセス早期のコーディング時に重大な品質上の不具合およびセキュリティ脆弱性を特定できるため、修正の手間とコストが最小に抑えられます。 正確かつ具体的な修正アドバイス、およびコンテキストに応じた e ラーニングにより、セキュリティの専門知識がない開発者でも優先度の高い問題の修正方法をすばやく理解できます。Coverityは自動セキュリティ・テストを CI/CD パイプラインにシームレスに統合し、既存の開発ツールおよびワークフローをサポートします。 また、Coverity は開発の場所とスタイルに応じてオンプレミスだけでなく、スケーラブルなアプリケーション・セキュリティ・プラットフォームを SaaS モデルとして提供するクラウド・ベースの Polaris ソフトウェア・インテグリティ・プラットフォームとしても導入できます。Coverity は 22 の言語および 70 を超えるフレームワークとテンプレートをサポートしています。
ソフトウェア・サプライチェーン全体でオープンソースを保護・管理します！
『Black Duck』は、アプリケーションやコンテナでオープンソースを使用した 場合に発生するセキュリティ、ライセンス・コンプライアンス、コード品質の リスクを管理する包括的なソリューションです。 Forrester社によってソフトウェア・コンポジション解析（SCA）のリーダー として認定。 サードパーティ・コードの可視性を最大限に高め、ソフトウェア・サプライ チェーン全体、およびアプリケーション・ライフサイクル全体にわたって サードパーティ・コードを管理します。 【特長】 ■解析の精度と効率が向上 ■脆弱性を短時間で検知・修正 ■セキュリティおよび使用に関するポリシーを自動で適用 ■ソースコードなしでもオープンソースのリスクを特定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コーディング中にセキュリティと品質の重大な問題をすばやく見つけて修正できます！
『Coverity』は、スピード、使いやすさ、精度、業界標準規格への適合、 スケーラビリティを兼ね備え、高品質でセキュアなアプリケーションの 開発を支援します。 開発プロセス早期のコーディング時に重大な品質上の不具合および セキュリティ脆弱性を特定可能。修正の手間とコストが最小限に抑えられます。 また、eラーニングにより、セキュリティの専門知識がない開発者でも 優先度の高い問題の修正方法をすばやく理解できます。 【特長】 ■高速かつ高精度な解析 ■包括的なレポートおよびコンプライアンスの可視化 ■エンタープライズ環境に適したスケーラビリティとアジリティ ■ソフトウェア開発ライフサイクル(SDLC)との統合 ■ダッシュボードによる問題の一元管理 ■標準準拠と脆弱性検知を拡張 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
成形の際の不良予測・原因分析が可能！金型修正費用を低減できる樹脂流動解析！【特急対応可】
『樹脂流動解析』は、外観からは確認が難しい射出成形機から金型の内部に 射出された溶融樹脂の流れを可視化する方法です。 事前に流動解析を行うことで成形の際の不良予測や原因の分析が可能。 開発工期を短縮でき、金型修正費用を低減、カン、コツに頼らない製品設計が 可能になります。 【特長】 ■開発工期を短縮できる ■金型修正費用を低減できる ■カン、コツに頼らない製品設計が可能になる ■成形品の品質が向上する ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
