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解析 Product List and Ranking from 45 Manufacturers, Suppliers and Companies

Last Updated: Aggregation Period:2025年07月16日~2025年08月12日
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解析 Manufacturer, Suppliers and Company Rankings

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  1. ユーロフィンFQL株式会社 神奈川県/サービス業
  2. 株式会社アイテス 滋賀県/電子部品・半導体
  3. 株式会社ナックイメージテクノロジー 東京都/産業用電気機器
  4. 4 株式会社ダイコーテクノ 広島県/その他
  5. 5 株式会社ヒューリンクス 東京都/ソフトウェア

解析 Product ranking

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  1. 破壊解析 | パワーモジュールのパッケージ開封(デキャップ) ユーロフィンFQL株式会社
  2. 【おためし50%オフ】ハイスピードカメラレンタル&受託計測・解析 株式会社ナックイメージテクノロジー
  3. 研究者のためのグラフ作成・データ解析『KaleidaGraph』 株式会社ヒューリンクス
  4. 口腔内細菌叢解析『歯周病疾患検査サービス』 瑞輝科学生物株式会社
  5. 4 【分級技術】 分級前粒子 FPIA-3000よる画像解析 株式会社セムテックエンジニアリング

解析 Product List

331~345 item / All 659 items

Displayed results

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理-裏面研磨-  各種サンプル形態に対応します。  Siチップサイズ:200um~15mm角 ■不良箇所特定-裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-  IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応  エミッション解析:~2kV まで対応  *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-  予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し  リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

  • 受託解析
  • トランジスタ
  • 分析機器・装置

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sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出!dC/dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C:Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の      可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV:拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 受託解析
  • その他受託サービス

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EBSD法によるCu結晶解析

Cu板における圧縮前後での変化を観察!圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます

EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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フレキシブル基板(FPC)のEBSD解析

屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所などが分かる、EBSD解析をご紹介します!

フレキシブル基板(FPC)のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 受託解析

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LEDの故障解析

高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用!不点灯や輝度劣化の原因を調査

当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、(a),(b)点灯観察、 (c)樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験(輝度分布観察) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Liイオン電池セパレータの解析

高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について確認しました!

市販のLiイオン電池に使用されているセパレータについてFT-IR分析にて、 材料分析を行った後、高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について 確認しました。 資料では、Liイオン電池セパレータの材料分析や高温環境下における セパレータの状態変化観察をグラフや写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池セパレータの材料分析 ■高温環境下におけるセパレータの状態変化観察 ・セパレータを135℃の一定温度で時系列的に断面の状態変化を  FIB/SEMにて観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 受託解析

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角型Liイオン電池の構造解析

光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて観察!詳細な構造の解析や元素分析等が可能

市販の角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて 観察することにより、詳細な構造の解析や元素分析等が行えます。 資料では、Liイオン電池の全体構造及びSEM観察や極低加速FE-SEMによる Liイオン電池の詳細構造観察を写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池の全体構造及びSEM観察 ■極低加速FE-SEMによるLiイオン電池の詳細構造観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • その他受託サービス

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ナイロン6.10の構造解析

特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで解き明かしていきます!

アイテスでは『ナイロン6.10の構造解析』を行っています。 ナイロンはしなやかさを備え、絹に近い感触を持ち、その一方で、 「鋼鉄より強く、クモの糸より細い」という天然繊維にない高い強度や 耐久性を持ちます。 その特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで 解き明かしていきます。 【ナイロン6.10 界面重合反応機構】 1.塩素の電子吸引により隣接炭素の電子が不足 2.アミンの非共有電子が炭素を求核攻撃する 3.酸素原子が活性化して不安定な中間体を形成 4.塩化水素が脱離して、アミド結合を形成 5.界面重合が進み、ポリマー化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託解析

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海外製ディスプレイの不良解析

不良解析の実績多数!現象の確認から不良発生メカニズムの推測など、詳細な解析が可能

当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 液晶ディスプレイ

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電子機器を中心とした受託解析サービス

電子機器・家電製品から住宅環境まで、受託解析サービスを従来よりも低価格でご提供します

設計したものを実際に製作してみたら、予想しなかった部品の発熱や振動で困ったことはありませんか?どのように放熱したらよいのか?振動対策は?図面からは読めない、実際に作ってみないとわからない熱や振動、応力。しかし、何度も試作を繰り返すのは時間もコストもかかる・・・ そんなときに有効なのがコンピュータによる解析シミュレーションです。SiM24は高品質な解析シミュレーションを低価格でスピーディにご提供。研究開発・製作現場の時間及びコスト削減に貢献いたします。

  • 応力解析
  • 熱流体解析
  • 受託解析

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熱解析サービス(熱シミュレーション)

熱解析サービス(熱シミュレーション)

長年の経験と実績に基づき、熱設計の観点から熱解析/熱対策提案に重点を置いたサービスを提供。 半導体デバイス開発及びシステム機器開発をバックグランドとしたサービス提供が行なえます。 受託解析から実測システム販売まで幅広いサービスを提供。 (熱シミュレーション) 【詳しくはカタログダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください】      ↓ ↓ ↓            ↓ ↓ ↓

  • 温湿度関連測定器
  • シミュレーター
  • 受託解析

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LC/MS多変量解析による リンゴジュースの製品特性解析

多変量解析を用いた試料間比較により、製品特性や劣化成分を評価します。

品質管理の一環として、産地や品種に特徴的な成分、ロット間で不良原因となっている成分などについて調べたい場合、複数の試料間での比較が必要になります。LC/MS測定で得られたデータを多変量解析を用いて統計的に処理することで、多数の成分の中から試料に特徴的な成分を見つけることができます。今回は多変量解析の一つである主成分分析(PCA分析)を用いて、リンゴの品種が異なるリンゴジュース3製品間で特徴的な成分について調査した事例をご紹介します。

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  • 受託測定

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リートベルト解析(Rietveld analysis)とは

XRD等の測定データの解析から結晶内原子配置等の詳細な情報が得られます

リートベルト解析とはXRD(X線回折法)や中性子線回折法の測定データを解析する手法の一種です。既存手法による格子定数・空間群などの同定に加え、試料の結晶構造モデル(候補)がある場合は単位格子内部の原子配置など、より詳細な結晶構造情報を得ることが可能です。

  • 受託解析

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質量分析を利用した複数のSNP解析

マスアレイ法により、複数のSNP(一塩基多型)を同時に解析できます

本手法は、MALDI-TOF-MSの質量分析を利用した遺伝子解析法であり、一度の測定で複数のSNP箇所の解析が可能です。最大40か所のSNPを、190サンプル同時に測定できます。 分析全体の流れとしては下記フローに準じて実施します。標的のSNP領域の質量ピークが重ならずに増幅するように設計したプライマーと、各SNP箇所の一塩基のみ伸長するように設計したプライマーを用いて、DNA断片に質量の違いを生じさせ、検出された質量ピークから塩基を決定します。

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  • 受託解析
  • 受託測定

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