更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～15 件を表示 ／ 全 114 件
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
SI解析など、基板上で動作不良になりうる 原因を調査・対策を実施。
伝送線路シミュレーションとＥＭＩ抑制支援ツールを駆使したプリント基板設計技術。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT） OLED 車載 モニター モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si SiC GaN InP GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電気的特性評価をはじめ、光学特性評価、結晶性評価、組成評価を実施！
当社の『コンビナトリアル特性解析』では、ご要望により、組成変化に 従った種々の多点物理分析をいたします。 画像の例では、Si基板上のHfO2、Y2O3、Al2O3の正三角形の 3元コンビナトリアル組成傾斜試料にPt電極を形成してC-V、I-Vの 電気的特性を行い、高誘電率層の評価をしたものです。 上から、誘電率、フラットバンド電位、リーク電流の組成マッピングを 示しており、1試料中の246組成が同時評価できます。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【サービス内容】 ■C-V、I-V、半導体特性などなどの電気的特性評価(室温～400℃） ■透過率測定、分光エリプソメトリなどの光学特性評価 ■マイクロビームXRDを用いた結晶性評価 ■マイクロビームXRF、XPS、Auger分光などによる組成評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
対策例をご紹介！信頼と実績による好適な設計をご提案いたします
当社では、片面基板から高多層基板、ビルドアップ基板など高難度な 基板設計までをトータルに手掛けるとともに、伝送経路および ノイズシミュレーション検証にも対応しております。 信頼と実績による好適な設計をご提案いたします。 ご用命の際は当社へお気軽にご相談ください。 【解析(一部)】 ＜SI解析＞ ■品目：反射(クロストーク)／タイミング／伝送特性(Sパラメータ)等 ■ツール：Hyper LynxSI、SIwave ＜PI解析＞ ■品目：電圧降下(DC IRDrop) ■対策例 ・電源供給源となるICから供給先となるIC間の基板配線 ・電源配線幅の調整などレイアウト修正箇所の見極め ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ATAC-SeqやSingle Cell ATAC-Seqデータ解析の活用例をご紹介！
『Partek Flow』は、シーケンサーデータ解析ソフトウェアです。 シーケンサーから出力されたリード配列データを読み込んで、遺伝子の 発現量やDNAの変異などを解析することが可能です。 当製品では、Assay for Transposase-Accessible Chromatin using Sequencingや Single Cell ATAC-Seqデータの解析が可能です。 当資料では、ATAC-SeqやSingle Cell ATAC-Seqデータ解析の活用例を紹介します。 【掲載内容】 ■ATAC-Seq ■Single Cell ATAC-Seq ■ご試用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Single Cell RNA-seqのデータ解析を行う為の豊富な機能を搭載
『Partek Flow（以下Flow）』は次世代シーケンサーデータ 解析ソフトウェアです。 リード配列からバーコードやUMIのトリミング、参照ゲノム配列への アラインメント、UMIのデデュプリケーション、バーコードの絞り込みなど、 Single Cell RNA-seqの前処理に必要な機能を搭載しています。 当資料ではFlowを用いたSingle Cell RNA-seqデータ解析について ご紹介しています。 【掲載内容】 ■Single Cell RNA-seqとは ■バーコードやUMIの除去 ■UMIデデュプリケーション ■バーコードの絞り込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
設計から流路3Dモデル作成、流動解析、成型までの一連の流れがテスト可能！
アクスモールディングでは、スペシャリストが対応し、開発･設計の コンサルタンティングまで一連で請け負うことが可能です。 当社では、設計から流路3Dモデル作成、流動解析、実際の成形までの 一連の流れがテストできます。 曲面が多く複雑な、押出流路の3Dモデル作成が可能。 また、解析ソフトは日本製のHASL社のソフトを使用します。 【解析ソフト】 ■Materialfi 樹脂計算式定義 ■FLATSimulator Tダイ解析用 ■SpiralSimulator 丸ダイ解析用 ■SingleSrewSimulator 単軸スクリュ解析用 ■FlowSimulator3D 3D・異形・多層解析用 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Unity、iOS/iPadOS、Androidに対応！マーカレスでお手軽モーションキャプチャが可能な姿勢推定AIエンジン
『VisionPose Single3D』はカメラ1台で3D座標を取得し、人の骨格情報をリアルタイムに検出する姿勢推定AIエンジンのSDK（ソフトウェア開発キット）です。 キャリブレーション不要で手軽にモーションキャプチャが可能。 2D画像から3D座標を推定する技術を利用し、2D座標で最大30キーポイント、3D座標で最大17キーポイントの骨格情報を検出します。 解析から得た骨格データは、用途やジャンルを問わず商用利用や研究・開発に利用できます。 ■特長 ・カメラ1台で3D座標を手軽に取得 ・Unity、iOS/iPadOS、Android対応 ・商用利用を含め、用途に制限無し ・すぐに使える２つのアプリを標準添付 └リアルタイム骨格可視化サンプルアプリ「BodyAndColor」 └動画＆静止画解析アプリ「VP Analyzer」※iOS/iPad版とAndroid版を除く ・追加学習が可能 ※追加学習はオプションです
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ
