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構造解析(si) - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products

Last Updated： Aggregation Period:2025年11月19日～2025年12月16日
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構造解析 Product List

1～15 item / All 19 items

Displayed results
【DL可STEM/EDS】STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

【DL可STEM/EDS】STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます

STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。

  • 半導体検査/試験装置
  • 受託解析
  • その他半導体

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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。

  • 受託解析
  • メモリ

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Infineon製IGBT6構造解析、プロセス解析レポート

Infineon製IGBT6構造解析、プロセス解析レポート

InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品を解析！

当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート 　・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 　・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) 　・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート 　・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他の各種サービス

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顕微分光膜厚計の構造解析

顕微分光膜厚計の構造解析

傾斜モデルを用いた薄膜の構造解析

OPTMでは単一層内に存在する厚み方向で屈折率が変化する膜の解析に対応しております。

  • 傾斜モデルを用いた薄膜の構造解析.jpg
  • 分析機器・装置

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顕微分光膜厚計　傾斜モデルを用いたITOの構造解析

顕微分光膜厚計　傾斜モデルを用いたITOの構造解析

傾斜モデルを用いたITOの構造解析

液晶ディスプレイなどに用いられる透明電極材料であるITO（Indium-tin-oxide）は、製膜後のアニール処理（熱処理）によって導電性や色味が向上します。その際、酸素状態や結晶性も変化しますが、この変化は膜の厚みに対して段階的に傾斜変化することがあり、光学的に組成が均一な単層膜として見なすことができません。 このようなITOに対し、傾斜モデルを用いて、上部界面と下部界面のnkから、傾斜の度合いを測定した事例を紹介します。

  • 傾斜モデルを用いたITOの構造解析-1.jpg
  • 傾斜モデルを用いたITOの構造解析-2.jpg
  • 分析機器・装置

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技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。

【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ

  • 受託解析
  • 受託測定
  • 技術書・参考書

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レポート　アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析

レポート　アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析

Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です。

本レポートは、Mediatek MT6592 オクタコア (8コア) アプリケーションプロセッサの詳細構造解析です。 MT6592は、ARM Cortex-A7プロセッサを搭載し、「真のオクタコア」と謳 (うた) われるSoCで、GPUは4コアARM MaliTMを採用し、フルHDディスプレイ、最大1、600万画素のカメラ、マルチモード セルラーモデム、デュアルバンド801.11n Wi-Fiなどをサポートしています。 MT6592は、8層メタル(7 Cu、1 Al)構造、high-kメタルゲート(HKMG)、ゲート長 28nmのTSMCによるHPM CMOSプロセスを使用して製造されています。 【特徴】 ○トランジスタのチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアルワーク ファンクション メタルゲート ○nMOS(NiSi)およびpMOS(NiSiGe)ソース/ドレイン領域、およびlow-k層間絶縁膜 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • 解析サービス

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FEM応力構造解析

FEM応力構造解析

３Dロボットシュミレーション、FEM応力構造解析など、最先端システムの活用によリ、生産性や品質の向上を図っています。

FEM解析モデリングには、HYPER MESH　を使用しております。 熟練技術者から若手まで幅広い層の技術者集団が、安定した品質と、最新の技術を提供いたします。 設計からシュミレーション、解析、ロボットティーチングまで、お任せください。

  • その他産業用ロボット
  • 組立機械
  • シミュレーター

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CAD/CAE Simulation 構造解析

CAD/CAE Simulation 構造解析

『安心』『迅速』『丁寧』なSOLIDWORKS製品のサポート／トレーニング／サービスをご提供しております。

圧倒的な使いやすさを誇る構造解析ツールです。有限要素法解析（FEA）を用いてCADモデルを仮想的に検証することで、製品の実際の物理的挙動を予測できます。線形、非線形静的および動的機能を提供します。

  • その他

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Adesto RM24EP128KS CBRAM の構造解析

Adesto RM24EP128KS CBRAM の構造解析

Adesto RM24EP128KS CBRAM の構造解析

Adesto は、省電力、省コストのフラッシュメモリーに代わる技術を提供し、家電、センサー、モニターなどのコネクテッドホーム機器向けに長いバッテリー持続時間を実現しています。CBRAM は省コスト、省電力を提供し、フラッシュメモリーの有力な後継デバイスと見られています。Adesto の CBRAM は省電力性に優れ、CMOS 互換性があり、ディスクリートおよび組み込みメモリー用途向けに製作されています。 TechInsights の 構造解析レポートには、デバイス構造の詳細な LbL (layer-by-layer) 法解析、製造プロセス、組成物だけでなく、一般的特徴のクリティカルディメンション測定、ゲート長およびゲートピッチ、チャネル長、拡散層深さおよびウエル深さ、フィールド酸化膜厚さおよびゲート酸化膜厚さなどが含まれます。

  • その他電子部品

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レポート　MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

レポート　MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。

本レポートは、20 nm ノード QualcommMDM9235 モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235 は第 4 世代の Qualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20 nm CMOS プロセスを使用して製造された Qualcomm 初のモデムです。 MDM9235 は 4G LTE-A Cat. 6データレート (301.5 Mbps) および 4k ビデオコンテンツをサポートするためQualcomm Snapdragon 805 アプリケーションプロセッサと対になっています。 MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • 解析サービス

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アンシス・ジャパン株式会社　構造解析製品総合カタログ

アンシス・ジャパン株式会社　構造解析製品総合カタログ

1つの製品のあらゆる構造的側面のシミュレーションを実施！

Ansysは、世界中の企業・研究機関で導入されているマルチフィジックスCAEです。構造・振動・電熱・電磁界・圧電・音響・熱流体・落下衝撃などの物理現象や、それらを組み合わせた連成問題を、エンジニアが目的にあわせて柔軟に解析することが可能です。構造解析製品総合カタログでは、モデリング「3次元CADインターフェース」、メッシュ生成ツールのほか、陽解法による落下・衝突解析ツール「Ansys LS-DYNA/Ansys Autodyn」、最適化ツール「Ansys DesignXplorer」など、多数掲載しております。詳しくはお問い合わせまたはカタログをご覧ください。 ＜Ansysの個人情報の取り扱いについて＞ 登録することにより、この プライバシー通知 (https://www.ansys.com/ja-jp/legal/terms-and-conditions) に準拠して、この事象/資産および関連するコミュニケーションを提供する目的で、これらの 条件 (https://www.ansys.com/ja-jp/legal/privacy-notice)および個人データの処理に同意したことになります。

  • ソフトウェア（ミドル・ドライバ・セキュリティ等）
  • 構造解析

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【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価

【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価

微小領域のXRD測定が可能

照射X線をΦ400μmに絞ってXRD測定を行うことで、面全体ではなく所定の領域を狙って結晶情報を取得した事例をご紹介します。 プリント基板サンプルのXRD測定の結果、測定箇所（１）～（3）全てでCuとBaSO4が検出され、電極である測定箇所（１）ではAu由来のピークが検出されました。XRFによる測定結果とよく一致しています。 このように組成や結晶性の異なる数百μmの領域を狙って結晶構造を同定することが可能です。 測定法：XRD・XRF 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成評価・同定・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

  • 受託解析

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透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析

透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析

EBSD：電子後方散乱回折法

薄片化した試料でEBSD分析を行うことにより、従来のバルク試料よりも高い空間分解能を得ることができます。

  • 受託解析

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Xe-プラズマFIBによる構造解析

Xe-プラズマFIBによる構造解析

数百μmの広い領域を対象に精密加工/構造評価が可能

高い位置精度かつ広域の断面作製を実現し新しい大容量解析アプリケーションとして活用できます 大面積中の小さな構造でも狙って加工でき、広域の構造解析が可能

  • 受託解析

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