AFMデータ集
AFM :原子間力顕微鏡法
AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。
- Company：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- Price：応相談
顕微鏡(表面分析) - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products
Last Updated： Aggregation Period:2025年08月20日～2025年09月16日
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顕微鏡 Product List
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Displayed results
高機能材料の解析に『Materials Studio』
高機能材料などの解析シミュレーション はじめ、さまざまなタイプの材料に対応した材料開発シミュレーションソフトウェア
『Materials Studio』 量子力学(密度汎関数法)、古典力学(分子動力学計算)、 メソスケール(散逸粒子動力学計算など)、統計、分析/結晶化ツールを備えた 次世代材料開発向け分子モデリング/シミュレーションツール群。 【特長】 ■材料開発を効率化するシュミレーションソフト 業界・分野を問わず、研究、開発、設計、製造に従事される方にご利用いただけます ■さまざまなタイプの材料に対応 ■一つのGUI画面上で、結晶構造の作成、計算条件設定、計算結果表示の 全てを行うことが可能 【事例】 トライボケミカル(潤滑)反応 CFRP(炭素系素材)などの解析 結晶成長や薄膜形成、燃料電池、潤滑剤などの研究開発 触媒、ポリマーや混合物、金属や合金、電池や燃料電池など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
- Company：株式会社ウェーブフロント 本社
- Price：応相談
高分子材料研究、医薬品や電子・化学分野の異物分析や品質管理等に！
化学結合状態分析、バイオロジーからナノテクノロジー・ポリマー・最先端材料分野、電機・電子・自動車・機械・化学・薬品分野の研究等
様々な分野で活躍できる、日本電子株式会社の商品を3つご紹介いたします。 ご興味のある方はお気軽にお問い合わせください。 〇JPS-9030 光電子分光装置(XPS) 「誰もが、簡単に、直ぐに使えること」を実現した汎用型XPSです。カウフマン型エッチングイオンソースやツインアノードを標準装備の上、汎用XPSでありながら高温加熱システムやガスクラスターイオンソース等幅広い拡張性も備えています。 〇JEM-1400Flash 電子顕微鏡 高感度sCMOSカメラを標準搭載し超広視野モンタージュシステムや光学顕微鏡画像リンク機能などの強力な新機能を組み込んだ透過電子顕微鏡です。 〇JCM-7000 NeoScope ネオスコープ 卓上走査電子顕微鏡 誰でも観察・分析ができることを目指した卓上走査電子顕微鏡です。前処理不要な低真空モード、視野探しのためのステージナビゲーションシステムを備え簡単に使えます。光学像からSEM像にそのまま移行できるZeromag、観察しながら元素分析できるLive Analysis、SEM観察中に三次元観察が可能なLive 3D等の機能を搭載しました。
- Company：アズサイエンス株式会社 松本本社
- Price：応相談
［SEM］走査電子顕微鏡法
高倍率観察(30万倍程度まで)が可能
SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能 ・加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による） ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 EDX検出器による元素分析が可能 電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価 電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能 FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice & View） 冷却観察・雰囲気制御観察
- Company：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- Price：応相談
FT-IRおよびQCL顕微鏡『HYPERION IIシリーズ』
柔軟な拡張性を備える研究開発用FT-IR顕微鏡。QCL 赤外レーザーによるイメージング機能を1つの装置に組み込むことが可能です。
HYPERION II は、赤外顕微鏡における技術革新です。赤外イメージングを回折限界に到達させ、顕微 ATR における基準を作りました。さらには透過・反射・ATR のすべての測定モードにおいて FT-IR 顕微鏡と赤外レーザーイメージング顕微鏡機能 (ILIM) の両方を 1 台で実現する、世界初のシステムです。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- Company：ブルカージャパン株式会社 オプティクス事業部
- Price：応相談
【分析事例】GaN基板の表面形状分析
AFMによるステップ-テラス構造の可視化
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。 測定法：AFM 製品分野：パワーデバイス、 電子部品、 照明 分析目的：形状評価、 構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
- Company：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- Price：応相談
卓上走査型電子顕微鏡
光学顕微鏡より遥かに高分解能！ミクロでの表面観察や表面凹凸の確認に適しています
「卓上走査型電子顕微鏡」は、真空中に細く絞った電子線で試料表面を 走査し、試料から出てくる情報を検出して拡大表示させる顕微鏡です。 光学顕微鏡より遥かに高分解能で、ミクロでの表面観察や表面凹凸の 確認に好適。 また、表面観察のほかに、X線検出器を用いたEDS元素分析により、 試料表面にどんな元素がどの程度含まれているかを確認することが可能です。 【特長】 ■加工が難しい試料やそのまま観察したい試料等に有効 ■最大W100mm×D100mm×H40mmまでの試料を試験台にセットできる ■ユーセントリックホルダを活用することで、試料の傾斜・回転が可能 ■ミクロでの表面観察や表面凹凸の確認に好適 ■線検出器を用いたEDS元素分析により、試料表面にどんな元素が どの程度含まれているかを確認することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- Company：関西電力送配電株式会社 技術試験センター
- Price：応相談
電界放出型走査顕微鏡『FE-SEM』
EDXが装着されており、試料観察と同時に元素の種類・量・分布状態を調べることが可能です！
『FE-SEM』は、電子線を絞り細い電子線を試料に照射し、表面を観察する 電界放出型走査顕微鏡です。 超高分解能観察が可能。汎用SEMと同様に電子線を絞り電子ビームとして 対象に照射し、対象物の表面から放出される二次電子や反射電子を検出 することで、対象の表面の観察を実施。 また、JSM-7100Fでは、EDS及びEBSD解析装置が装着されているため、 高分解能の観察だけでなく元素分析や結晶性試料の方位解析(EBSD解析)が できます。 【特長】 ■サブミクロンオーダーでの観察が可能 ・汎用SEMより高倍率で形態観察が可能で、より鮮明な像を取得可能 ■EDX(エネルギー分散型分析装置)による定性分析 ・EDXが装着されており、試料観察と同時に元素の種類・量・分布状態を 調べることが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- Company：株式会社クオルテック
- Price：応相談
【導入事例】高分解能観察と分析機能の両立を実現したFE-SEM
最大200nAの照射電流は、各種マイクロアナリシスに対応！分析能力も強化
広視野全体像から表面微細構造まで、短い時間で多くの情報を取得できる 「FE-SEM」を導入した事例をご紹介いたします。 表面微細構造、組成、結晶学的情報、形状情報など多彩な イメージング能力を装備。 複数の二次電子信号や反射電子信号が同時に取得でき、これまでより 短い時間で多くの情報を得られるようになりました。 【事例概要(抜粋)】 ■導入製品：HITACHI製SU7000 ・電子源：ZrO/Wショットキータイプエミッター ・二次電子分解能：0.8nm(加速電圧 15kV)、0.9 nm(加速電圧 1kV) ・加速電圧：0.1～30kV ・倍率：20～2,000,000倍(装置スペック) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- Company：株式会社クオルテック
- Price：応相談
【分析事例】酸化ガリウムGa2O3イオン注入ダメージ層の評価
イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法：TEM・AFM 製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
- Company：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- Price：応相談
