CoolMOS SJ MOSFETの利点
ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能
『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。 ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、 ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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MOSFET - メーカー・企業26社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり
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MOSFETのメーカー・企業ランキング
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- インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 東京都/電子部品・半導体
- イサハヤ電子株式会社 大阪府/電子部品・半導体
- 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫 グループ会社 エレクトロン（長野県松本市） 東京都/商社・卸売り
- 4 オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
- 4 リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社 神奈川県/電子部品・半導体
MOSFETの製品ランキング
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- 【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫 グループ会社 エレクトロン（長野県松本市）
- パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- Goford Semiconductor リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社
- 4 「CoolMOS S7」QDPAKおよびTO-220パッケージ インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 5 SOT-89パッケージ大電流MOSFET イサハヤ電子株式会社
MOSFETの製品一覧
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60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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「CoolMOS S7」QDPAKおよびTO-220パッケージ
よりコンパクトに、より簡単に設計可能！TCOコストやBOMコストの低減を実現
「600V CoolMOS S7 SJ MOSFETファミリー」は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と市場で低いRDS(on)を特長として 最適化されています。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 トップサイド冷却により伝導損失を最小限に抑え、電力密度を 最大化する、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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SiC MOSFET 2000 V
グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！
『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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SiC MOSFETディスクリート 650 V/107 mΩ
家電製品や低電力産業用モーター制御のような低電力システムにおける高効率設計にも好適！
TOLL(HSOF-8)パッケージの当製品は、インフィニオンのCoolSiC技術の 長所を活用しています。 TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生 インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、 MOSFETの高い周波数での駆動や、高電力密度を実現します。 D2PAKパッケージに比べて熱インピーダンスが低減され、革新的な .XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、 価格性能比を最適化します。 【特長】 ■業界標準パッケージ - JEDEC産業用アプリケーション認定 (J-STD20 および JESD22) ■小型サイズ ■熱インピーダンスの低減 ■.XT相互接続 ■低寄生インダクタンス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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SSO8パッケージ搭載 車載用80V MOSFET
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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パワーブロック パッケージのパワーMOSFET
2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！
『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V
Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！
『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V
ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！
新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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パワーMOSFET CoolSiC G1 750 V
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET
強化された保護機能！正確で迅速な長期モニタリングが可能です
『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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Nチャンネル パワーMOSFET 40 V
高い信頼性および堅牢性！バッテリー管理システム(BMS)に適しています
『Nチャンネル パワーMOSFET 40 V』は、OptiMOS 7トレンチ技術を 採用した製品です。 既存のOptiMOS 6 40 V製品に比べ、RDS(on)は40％低減されており、 SuperSO8パッケージを使用することで、DirectFET(L)ソリューションに 比べてPCB面積を50％削減し、並列化の必要性をなくします。 RDS(on)を大幅に低減しているので、BMSアプリケーションにとって大きな 利点となります。これにより電力密度の向上、システム効率の改善、システム コストの削減を容易に実現します。 【主な特長】 ■最高クラスのSuperSO8パッケージ40VパワーMOSFET ■優れたRDS(on) ■業界標準のフットプリント ■広い安全動作領域(SOA) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET
★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。
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ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
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ICE20N60 20A, 600V POWER MOSFET
★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
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ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
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ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET
2023年1月より量産リリース！ GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
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ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
- 企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICE8N60LK, 13A,600V DFN56 新登場！！
小さくて薄いパッケージDFN56の登場。
アバランシェに強い製品ながら８A,600VのMOSFET. 小型化された電源に最適です。
- 企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
- 価格：応相談
ICE8N60T, 8A,600V TOLLパッケージが登場！
アバランシェに強い製品です
GEN1シリーズ 他のパッケージタイプもございます
- 企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
- 価格：応相談
汎用MOSFET
汎用MOSFET(VDSS＝~60V、ID=～0.7A)ラインナップ紹介！
汎用MOSFETのご紹介です。 本製品は汎用のMOSFETのため様々な用途に使用できます。 ターゲットアプリケーションとしてはLED駆動、モーター駆動、リチウムイオン充電制御、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。 製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5～2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。 またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりますので、新規採用はもちろん、他社品のEOLに対する代替品としてもご検討可能です。 一部、車載対応の製品もございますので、詳細はチラシをご覧頂くか、当社営業までお問い合わせお願いします。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
低電圧駆動MOSFET
低電圧駆動MOSFETラインナップを拡充中！
携帯電話をはじめとするモバイル機器では、消費電力を減らして 駆動時間の長時間化を図るため、回路の損失低減が必要と なっており、低電圧駆動のMOSFETが求められています。 当社では、第一弾として、ウエハプロセスの最適化により、 1.8V、1.5V駆動品を拡充し、第二弾で1.2V、第三弾で0.9V までの開発を予定しております。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
高電流容量を実現したTO-251MOSFET
48Vバッテリーのハイサイドスイッチに最適！
INJ0D10AH2は、高許容損失パッケージにPch MOSFETを搭載し、大電流・高負荷用途に対応したMOSFETです。TO-251パッケージは、基板への挿入実装が容易で、修理・交換にも適しています。さらに、ヒートシンクや放熱板との組み合わせにより、高い放熱性と柔軟な熱設計を実現できます。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
【ディスクリート】MOSFET ラインアップ一覧
モーター駆動などのスイッチング素子として利用！大電流の高速のスイッチに好適
『MOSFET』(モスフェット)とは、電界効果トランジスタ(FET)に 金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。 ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を 行うことが可能。 モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、 特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK4017(Q) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET SSM3K7002FU(F) ■onsemi Nチャンネル MOSFET BS170 ■onsemi Nチャンネル MOSFET 2N7000 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
- 価格：応相談
『CSD18541F5』
60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD18541F5』
54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：1.53mm×0.77mm ■低プロファイル：高さ0.35mm ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
- 企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
- 価格：応相談
『CSD22206W』
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
- 企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
- 価格：応相談
【資料】しるとくレポNo.99＃SiCのMOSFETについて
MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定条件が違います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 SiCのダイオードについて知りたい方はしるとくレポNO.12をご覧ください。 【掲載内容】 ■Si-MOSFET・IGBT・SiC-MOSFETの比較例 ■ON抵抗だけで比較しない ■SiCに置き換える場合には、駆動電圧を変更することも注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社Wave Technology
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【資料】しるとくレポNo.106＃原理検証のご紹介
一部機能のみを抜き出して意図した動作をするか確認！簡単な事例をご紹介します。
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ WTIではお客様のご要望に合わせて設計開発を行っておりますが、今回は 原理検証についてお話しします。 ここでの原理検証とは本格的な製品設計を開始する前に基本動作や特性の確認を 行うことを指しています。 新規開発のご依頼があった際に、技術的課題があると思われる場合には、 原理検証から始められることをご提案することもあります。 【掲載内容】 ■原理検証について ■「突入電流防止用のMOSFETが意図通りに機能するか」の確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社Wave Technology
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【NIKO SEMICONDUCTOR】MOSFET 製品リスト
台湾製マザーボードでの搭載実績が多い、ニコセミコンダクター社製品をご紹介！
当社で取り扱う、ニコセミコンダクター社の製品をご紹介します。 ニコセミコンダクターは、1998年に設立された台湾製マザーボードでの搭載実績が多い 台湾のMOSFETメーカーです。 ラインナップは低耐圧（12V～40V）、中耐圧（60V～400V）、高耐圧（400V～900V）があり、 パッケージはPDFN･SOT23からTO252･TO220まで幅広くご用意しております。 下記PDF資料は製品リストとなっております。リスト以外の製品も ございますので、ご用命の際はセイワまでお気軽にご連絡下さい。 【ニコセミコンダクター社 主要製品】 ■MOSFET ■PFCコントローラ ■電源IC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー半導体 2000V N チャネルパワーMOSFET
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
- 企業：ジェイレップ株式会社
- 価格：応相談
