MOSFET - メーカー・企業17社の製品一覧とランキング

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MOSFETのメーカー・企業ランキング

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インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社東京都/電子部品・半導体
イサハヤ電子株式会社大阪府/電子部品・半導体
モリ電子工業株式会社大阪府/電子部品・半導体
4 武蔵野物産株式会社東京都/電子部品・半導体
5 アスコット株式会社大阪府/電子部品・半導体

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MOSFETの製品ランキング

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パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
株式会社三社電機製作所製　SiC　POWER　MOSFET モリ電子工業株式会社
アクティブクランプ型MOSFET イサハヤ電子株式会社
4 パワーMOSFET『CoolMOS P7』インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

MOSFETの製品一覧

16～30 件を表示／全 76 件

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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が向上します。【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
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低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
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StrongIRFET2パワーMOSFET60V

高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供

『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。低速および高速の両スイッチング周波数に好適。当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な選択肢を提供します。【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
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スイッチング電源

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CoolMOS SJ MOSFETの利点

ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能

『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
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60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」

幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能

「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の両スイッチング周波数に適しています。この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な選択肢を提供します。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
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ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。

企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージです。【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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ICE20N60　20A, 600V POWER MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージです。【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージです。【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMOSFET

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージです。【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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汎用MOSFET

汎用MOSFET(VDSS＝~60V、ID=～0.7A)ラインナップ紹介！

汎用MOSFETのご紹介です。本製品は汎用のMOSFETのため様々な用途に使用できます。ターゲットアプリケーションとしてはLED駆動、モーター駆動、リチウムイオン充電制御、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5～2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりますので、新規採用はもちろん、他社品のEOLに対する代替品としてもご検討可能です。一部、車載対応の製品もございますので、詳細はチラシをご覧頂くか、当社営業までお問い合わせお願いします。

企業：イサハヤ電子株式会社
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【ディスクリート】MOSFET　ラインアップ一覧

モーター駆動などのスイッチング素子として利用！大電流の高速のスイッチに好適

『MOSFET』(モスフェット)とは、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を行うことが可能。モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK4017(Q) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET SSM3K7002FU(F) ■onsemi Nチャンネル MOSFET BS170 ■onsemi Nチャンネル MOSFET 2N7000 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
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SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品

・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)

企業：旭テック株式会社大阪本社/東京支店/名古屋営業所
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MOSFET　R9シリーズ

航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFETs）と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs

ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装（SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、　スルーホール（TO-254、 TO-257）の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較【従来品】　　　　　　　　　　【R9シリーズ】 ■RDS(ON)＝30（ｍΩ）　　　　■RDS(ON)＝18（ｍΩ） ■Qg＝45（ｎC） ■Qg＝45（ｎC） ■ID＝22(A) ■ID＝40(A） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。

企業：日本パナトロニック株式会社
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