SiC MOSFET 2000 V
グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！
『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
