MOSFET - メーカー・企業25社の製品一覧とランキング

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MOSFETのメーカー・企業ランキング

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インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社東京都/電子部品・半導体
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社東京都/電子部品・半導体
イサハヤ電子株式会社大阪府/電子部品・半導体
4 リバウンドエレクトロニクス株式会社本社神奈川県/電子部品・半導体
5 株式会社セイワ東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫　　グループ会社　エレクトロン（長野県松本市）東京都/商社・卸売り

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MOSFETの製品ランキング

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Goford Semiconductor リバウンドエレクトロニクス株式会社本社
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
ICE8N60T, 8A,600V TOLLパッケージが登場！アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ株式会社セイワ東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫　　グループ会社　エレクトロン（長野県松本市）
5 ICE8N60LK, 13A,600V DFN56 新登場！！アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

MOSFETの製品一覧

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Power Stage100V『DHP1050N10N5』

基板面積を最大で50％削減！レベルシフトドライバを実装した対称型ハーフブリッジMOSFET

『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ集積Power Stageです。サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながらこうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップブートストラップダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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スーパージャンクションMOSFET『IPW65R018CFD7』

太陽光発電システム向けソリューション等に好適！パワー密度の向上が可能

『IPW65R018CFD7』は、TO-247パッケージに高速ボディダイオードを搭載した、 650V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFETファミリの製品です。転流本格使用に備えた優れた堅牢性を有し、産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率を向上。サーバー、テレコム、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの共振トポロジーに好適で、大幅な効率向上を実現しています。【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■650V絶縁破壊電圧 ■スイッチングロスを大幅に削減 ■RDS（on）の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 6 Power MOSFET

鉛フリーの鉛めっき、RoHS対応！オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上

『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS）アプリケーションに好適です。オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、システムコストの削減につながります。また、「OptiMOS 5」に比べて、伝導損失やスイッチング損失が低減され高い信頼性、高い電力密度を実現しています。【特長】 ■RDS（on）を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■175℃のジャンクション温度に対応 ■高いアバランシェエネルギー定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS Pチャネル MOSFET

Qfが低いため、低負荷時の効率が向上！高品質で要求の厳しいアプリケーションに好適

『OptiMOS Pチャネル MOSFET』は、中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消します。マイクロコントローラーユニット（MCU）とのインターフェースが容易。コスパの良いパッケージと、先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、価格性能比がすぐれた高性能製品を提供します。【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS（on） ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーMOSFET『CoolMOS P7』

ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能

700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに開発されています。保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから適切な製品をお選びいただけます。【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞

非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適

インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V

PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗！最大55Aまでの高連続電流対応

『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された製品です。小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が高い小型パッケージです。【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が向上します。【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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MOTIX BTN9990LV

ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現

『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を最小限に抑えます。【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、　ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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専用IC

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低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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StrongIRFET2パワーMOSFET60V

高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供

『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。低速および高速の両スイッチング周波数に好適。当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な選択肢を提供します。【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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スイッチング電源

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CoolMOS S7

よりコンパクトに、より簡単に設計可能！アクティブブリッジ整流に好適

『CoolMOS S7』は、コンパクトなSMDパッケージの高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と低いRDS(on)を特長として最適化されている製品です。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源のアクティブブリッジ整流に好適。また、トップサイド冷却により伝導損失を小さく抑え、電力密度を大きくする、効率的なSMD冷却を実現しました。【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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2次電池・バッテリー

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CoolMOS/CoolSiC/CoolGaN

アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください

『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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CoolMOS SJ MOSFETの利点

ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能

『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。