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SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低電圧MOSFET
アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国（カリフォルニア州サンノゼ）、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。
1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。
1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。 香港、オーストラリア、シンセンおよび江蘇省にオフィスがあります。 当社は、パワーMOSFET製品の研究開発と販売に常に力を注いでいます。 私達はエネルギー効率、移動性および市場に費用効果が大きいプロダクトを提供する信頼性に焦点を合わせます。
高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 15A , 600V GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 32A , 600V フルパックで0.1ohm を切る低オン抵抗を実現。
アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 25A , 650V TO220FullPak パッケージ
アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチングが可能！大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介！
当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、 ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
熱設計が簡略化され、より高い効率を実現できます
『200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET』は、高効率アプリケーションに 好適な低RDS(on)MOSFETです。 当製品は、TO-220、TO-247-3L、TO-263とよびTO-268HVパッケージで、 60～220Aの公称定格電流でご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【メリット】 ■低イオン抵抗RDS(on)により導通損失を低減 ■低い熱抵抗RthJCにより熱設計が簡略化 ■高アバランシェエネルギー容量EASがもたらす高いサージ耐量 ■ゲート電荷量Qgの減少によるゲートドライバ要件を低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低静電容量と低ゲート電荷！高速で信頼性の高いボディダイオード
当社で取り扱う、700V 炭化ケイ素 (SiC) MOSFET『MSC015SMA070』 をご紹介します。 低静電容量と低ゲート電荷であり低い内部ゲート抵抗(ESR)による⾼速 スイッチング速度で接合温度 TJ(max)＝175℃でも安定した動作し信頼性 の高いボディダイオードまた優れたアバランシェ耐性を備えております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低静電容量と低ゲート電荷 ■低い内部ゲート抵抗 (ESR) による高速スイッチング速度 ■高いジャンクション温度、TJ(max)＝175℃でも安定した動作 ■高速で信頼性の高いボディダイオード ■パッケージ：D3PAK、TO-247、TO-247-4L、ダイ ■RoHS 対応 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
FMG50AQ170N6
株式会社三社電機製作所製『SiC MOSFET(TO-247-4L)』は、 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵した産業用パワー半導体です。 高電流密度へ対応。独自の端子構造による配線抵抗の低減と強固な接合を 実現し、従来比で4倍以上の電流密度に到達するSiCチップの性能を引き出します。 また、パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を 実現します。 【特長】 ■絶縁構造と高放熱を実現する好適パッケージ ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
