SiC MOSFET FMG50AQ120N6
高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
MOSFET - メーカー・企業24社の製品一覧とランキング
更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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MOSFETのメーカー・企業ランキング
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- インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 東京都/電子部品・半導体
- オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
- イサハヤ電子株式会社 大阪府/電子部品・半導体
- 4 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫 グループ会社 エレクトロン（長野県松本市） 東京都/商社・卸売り
- 5 リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社 神奈川県/電子部品・半導体
MOSFETの製品ランキング
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- パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- インフィニオン最新世代SiCパワー半導体 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫 グループ会社 エレクトロン（長野県松本市）
- 4 ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』 イサハヤ電子株式会社
- 5 D2PAK-7パッケージ搭載 SiC MOSFET 1200V インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
MOSFETの製品一覧
61～75 件を表示 ／ 全 142 件
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MOSFET R9シリーズ
航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFETs）と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs
ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装（SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、 スルーホール（TO-254、 TO-257）の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較 【従来品】 【R9シリーズ】 ■RDS(ON)＝30（ｍΩ） ■RDS(ON)＝18（ｍΩ） ■Qg＝45（ｎC） ■Qg＝45（ｎC） ■ID＝22(A) ■ID＝40(A） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：日本パナトロニック株式会社
- 価格：応相談
大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】
産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献！
東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
- 企業：マウザーエレクトロニクス
- 価格：応相談
ディスクリートパワーMOSFET【リテルヒューズ】
高電圧シリーズやPチャンネルMOSFETなど、幅広くラインアップ！
ウルトラジャンクションシリーズや高電圧シリーズなどといった Littelfuse (リテルヒューズ)の『ディスクリートMOSFET』を取り扱っております。 リテルヒューズの製品は、家電から自動車および産業施設に至るまで、 電気エネルギーを使用するアプリケーションにおける重要な コンポーネントとなっています。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【ラインアップ】 ■ウルトラジャンクションシリーズMOSFET ■PolarシリーズMOSFET ■トレンチシリーズMOSFET ■高電圧シリーズMOSFET ■PolarQ3シリーズMOSFET など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
- 企業：マウザーエレクトロニクス
- 価格：応相談
デュアルNチャンネルオートMOSFET『SQJ264EP』
TrenchFETパワーMOSFETシリーズの一部！SO-8Lパッケージタイプに収められています
『SQJ264EP』は、車載用アプリケーションを対象に調整された AEC-Q101認定のMOSFETです。 これらのデュアルNチャンネルMOSFETは、TrenchFETパワーMOSFETシリーズの 一部です。また、SO-8Lパッケージタイプに収められています。 その他の製品に関する詳細は、当社までお問い合わせください。 【特長】 ■車載用アプリケーションを対象に調整 ■AEC-Q101認定 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：マウザーエレクトロニクス
- 価格：応相談
【EOL品継続供給】70億個以上のオンセミ製品供給
オンセミコンダクター製品の継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミコンダクターより認定された正規販売代理店及び製造メーカーです。 パワー、アナログやインテリジェント・センシング・ソリューションなど70億個以上の在庫を保有し、オンセミ製品の継続供給をサポートしています。 オンセミはモトローラの半導体製品部門がスピンオフとして1999年に設立、ロチェスターエレクトロニクスとはその以前1981年からパートナーシップを組んでいます。 さらに、近年Catalyst、 SanyoそしてFairchildの買収により、これらのレガシー製品の継続供給も可能になりました。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
【EOL品再生産】オンセミ製品の継続供給サポート
現行品でリードタイムの長い製品である製品群を18億個、8、000種類の在庫を保有
ロチェスターは、オンセミより認定された正規販売代理店および製造メーカーであり、37億個以上の在庫と37、000個の製品群を保有しています。 包括的なオンセミポートフォリオには、パワーコントローラとレギュレータ、パワーMOSFETとIGBT、クロックジェネレータ、センサおよびその他多くが含まれています。 ・スイッチレギュレータ ・LDOs/リニアレギュレータ ・スーパーバイザ/リセット ・MOSFET など 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、オンセミなどのオリジナル半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。
車載用1200V CoolSiC MOSFET
温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に合わせて設計
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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OptiMOS 5 BiC 80V Power MOSFET
SuperS08（PQFN 5mm x 6mm）パッケージを使用！システムコストを削減します
『OptiMOS 5 BiC 80V Power MOSFET（BSC019N08NS5）』は、 堅牢性の向上に加えて、さらに高い電力密度を実現し、 システムコストの削減と性能向上のニーズに応えています。 当製品は、通信用電源や サーバー用電源の同期整流用に特化して 設計されています。 最大175°Cの高い動作温度の高い信頼性を誇り、RDS（on） により、 高い電力密度と効率を実現します。 【特長】 ■全負荷温度の低減 ■並列接続数の削減 ■オーバーシュート低減 ■システムの電力密度向上 ■コンパクト化 ■システムコスト削減 ■エンジニアリングにかかるコストおよび手間の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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パワーMOSFET『StrongIRFET 2』＜産業機器向け＞
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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低耐圧MOSFET『OptiMOS PD』
低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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MOSFET『650V CoolMOS CFD7』
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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OptiMOS 6 パワーMOSFET
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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