更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
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★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
2023年1月より量産リリース！ GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
小さくて薄いパッケージDFN56の登場。
アバランシェに強い製品ながら８A,600VのMOSFET. 小型化された電源に最適です。
アバランシェに強い製品です
GEN1シリーズ 他のパッケージタイプもございます
汎用MOSFET(VDSS＝~60V、ID=～0.7A)ラインナップ紹介！
汎用MOSFETのご紹介です。 本製品は汎用のMOSFETのため様々な用途に使用できます。 ターゲットアプリケーションとしてはLED駆動、モーター駆動、リチウムイオン充電制御、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。 製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5～2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。 またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりますので、新規採用はもちろん、他社品のEOLに対する代替品としてもご検討可能です。 一部、車載対応の製品もございますので、詳細はチラシをご覧頂くか、当社営業までお問い合わせお願いします。
低電圧駆動MOSFETラインナップを拡充中！
携帯電話をはじめとするモバイル機器では、消費電力を減らして 駆動時間の長時間化を図るため、回路の損失低減が必要と なっており、低電圧駆動のMOSFETが求められています。 当社では、第一弾として、ウエハプロセスの最適化により、 1.8V、1.5V駆動品を拡充し、第二弾で1.2V、第三弾で0.9V までの開発を予定しております。
モーター駆動などのスイッチング素子として利用！大電流の高速のスイッチに好適
『MOSFET』(モスフェット)とは、電界効果トランジスタ(FET)に 金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。 ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を 行うことが可能。 モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、 特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK4017(Q) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET SSM3K7002FU(F) ■onsemi Nチャンネル MOSFET BS170 ■onsemi Nチャンネル MOSFET 2N7000 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD18541F5』
54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：1.53mm×0.77mm ■低プロファイル：高さ0.35mm ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定条件が違います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 SiCのダイオードについて知りたい方はしるとくレポNO.12をご覧ください。 【掲載内容】 ■Si-MOSFET・IGBT・SiC-MOSFETの比較例 ■ON抵抗だけで比較しない ■SiCに置き換える場合には、駆動電圧を変更することも注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
一部機能のみを抜き出して意図した動作をするか確認！簡単な事例をご紹介します。
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ WTIではお客様のご要望に合わせて設計開発を行っておりますが、今回は 原理検証についてお話しします。 ここでの原理検証とは本格的な製品設計を開始する前に基本動作や特性の確認を 行うことを指しています。 新規開発のご依頼があった際に、技術的課題があると思われる場合には、 原理検証から始められることをご提案することもあります。 【掲載内容】 ■原理検証について ■「突入電流防止用のMOSFETが意図通りに機能するか」の確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
台湾製マザーボードでの搭載実績が多い、ニコセミコンダクター社製品をご紹介！
当社で取り扱う、ニコセミコンダクター社の製品をご紹介します。 ニコセミコンダクターは、1998年に設立された台湾製マザーボードでの搭載実績が多い 台湾のMOSFETメーカーです。 ラインナップは低耐圧（12V～40V）、中耐圧（60V～400V）、高耐圧（400V～900V）があり、 パッケージはPDFN･SOT23からTO252･TO220まで幅広くご用意しております。 下記PDF資料は製品リストとなっております。リスト以外の製品も ございますので、ご用命の際はセイワまでお気軽にご連絡下さい。 【ニコセミコンダクター社 主要製品】 ■MOSFET ■PFCコントローラ ■電源IC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を実現
『FMG50AQ120N6』は、TO-247-4Lパッケージ(絶縁)のSiC MOSFETです。 両面はんだ接合による配線抵抗の低減と強固な接合を実現。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、高いノイズ耐性がございます。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
