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産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献！
東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
高電圧シリーズやPチャンネルMOSFETなど、幅広くラインアップ！
ウルトラジャンクションシリーズや高電圧シリーズなどといった Littelfuse (リテルヒューズ)の『ディスクリートMOSFET』を取り扱っております。 リテルヒューズの製品は、家電から自動車および産業施設に至るまで、 電気エネルギーを使用するアプリケーションにおける重要な コンポーネントとなっています。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【ラインアップ】 ■ウルトラジャンクションシリーズMOSFET ■PolarシリーズMOSFET ■トレンチシリーズMOSFET ■高電圧シリーズMOSFET ■PolarQ3シリーズMOSFET など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
TrenchFETパワーMOSFETシリーズの一部！SO-8Lパッケージタイプに収められています
『SQJ264EP』は、車載用アプリケーションを対象に調整された AEC-Q101認定のMOSFETです。 これらのデュアルNチャンネルMOSFETは、TrenchFETパワーMOSFETシリーズの 一部です。また、SO-8Lパッケージタイプに収められています。 その他の製品に関する詳細は、当社までお問い合わせください。 【特長】 ■車載用アプリケーションを対象に調整 ■AEC-Q101認定 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に合わせて設計
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperS08（PQFN 5mm x 6mm）パッケージを使用！システムコストを削減します
『OptiMOS 5 BiC 80V Power MOSFET（BSC019N08NS5）』は、 堅牢性の向上に加えて、さらに高い電力密度を実現し、 システムコストの削減と性能向上のニーズに応えています。 当製品は、通信用電源や サーバー用電源の同期整流用に特化して 設計されています。 最大175°Cの高い動作温度の高い信頼性を誇り、RDS（on） により、 高い電力密度と効率を実現します。 【特長】 ■全負荷温度の低減 ■並列接続数の削減 ■オーバーシュート低減 ■システムの電力密度向上 ■コンパクト化 ■システムコスト削減 ■エンジニアリングにかかるコストおよび手間の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 15A , 600V GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 32A , 600V フルパックで0.1ohm を切る低オン抵抗を実現。
アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 25A , 650V TO220FullPak パッケージ
アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
