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高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CMOSなどの基盤に好適！ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤
アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが 埋め込まれている ■ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、 パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレード ■ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体製作にご提案：ICやMEMS応用、従来の厚エピや反転エピなどからの材料代替に、費用対効果が高い材料として提供いたします。
【SOIウエハー】：（Silicon-On-Insulator） 100-200mmの厚膜、または<1um以下の薄膜のデバイス層を持つSOIウエハーを供給いたします。 特長： ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 【SiliconーSilicon貼合わせ】：リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供します。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 抵抗レンジ：1mΩ-cmから10kΩ-cm 特長： ■N、P型素材、オリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リーク小、高品質、ワープ小、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつき＜+/-0.5um ■高濃度から低濃度の遷移レベルを鋭くまたはソフトなど調整が可能
技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス
当社は、MEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーです。 詳しくはカタログかホームページの情報をご覧ください。 在庫情報などもご確認できます。
