更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
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次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。
株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』 のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も 約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも 使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 【特長】 ■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い ■絶縁破壊電圧も約10倍 ■耐圧1600V ■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生 ■各種光デバイスにも使用される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶成長からウェハーまでHEXATECH社自社で製造！結晶欠陥の少ない高品質なウェハーを安定供給
HEXATECH社は、米国ノースカロライナ州にある窒化アルミニウム （AlN）ウェハーの開発・製造会社です。 高品質なブール（インゴット）を成長させる製造技術・レシピ技術に 強みを持っております。 大口径化・α値（紫外線吸収係数）の低減ロードマップに沿って、 市場ニーズに合ったウェハーを開発・製造しております。 【特長】 ■世界最高級品質の単結晶AlNブール(インゴット)を 生み出す独自の結晶成長プロセス ■非常に少ない欠陥 ■III族窒化物半導体において画期的な性能を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
少量ウエハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハーフinchから450mmまで幅広く取り扱っております！
【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウエハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウエハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウエハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等） ＊SOIウエハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウエハへ加工することも可能です。 ＊パーティクル管理されていないダミーウエハ（コインロール）も取り扱っております。 ＊各種加工：成膜・グラインダー(30μm以下も可能）ダイシング・エッジ部面取り加工・サイズダウン・パターニング・シリコン及び化合物半導体ウェーハ再生（リクレイム）・再洗浄、測定及び分析サービス等も対応可能。 シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料・ウエハケース、トレイ、ダイシングテープなどの周辺用品もお問合せ下さい。 国内外より仕様に合う製品をお探しいたします。 他社でお買い上げ済みのウエハに加工をして納品させていただく事も対応可能です。
半導体製作にご提案：ICやMEMS応用、従来の厚エピや反転エピなどからの材料代替に、費用対効果が高い材料として提供いたします。
【SOIウエハー】：（Silicon-On-Insulator） 100-200mmの厚膜、または<1um以下の薄膜のデバイス層を持つSOIウエハーを供給いたします。 特長： ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 【SiliconーSilicon貼合わせ】：リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供します。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 抵抗レンジ：1mΩ-cmから10kΩ-cm 特長： ■N、P型素材、オリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リーク小、高品質、ワープ小、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつき＜+/-0.5um ■高濃度から低濃度の遷移レベルを鋭くまたはソフトなど調整が可能
SiCウェハーを1枚から低コストで提供！納期は最短2週間から。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで提供できます。
『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いため放熱性に優れている 【提供ウェハ】 ８インチ N型 Production ４H-SiC ８インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ N型 Production ４H-SiC ６インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ高純度半絶縁性ウエハー ４H-SiC ６インチ N型 P-MOS ４H-SiC ６インチ N型 P-SBD ４H-SiC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような高抵抗も対応可能！薄化、チップ加工もアレンジいたします！
直径は３０ｍｍ程度～8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。 センサー用FZウエハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウエハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT･ダイオード等に利用されています。 ＊Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。 ウエハへの加工も可能です。 仕様） 仕上げ: as ground 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 Ingot length (mm) : 200 - 400 第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二OF(mm) : N.A. タイプ：N-type Lifetime(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032±700,00 RRV [%] : N.A. ＊在庫は複数本ございます。
