高熱伝導率セラミックス基板
高熱伝導率アルミナ(Al2O3)基板、AlN基板
●アルミナ(Al2O3)基板 厚さ:0.38mm~ メタライズ化:MoMn、W、Ni、Ag、Au ●AlN基板 熱伝導率170W/m・k~ 厚さ:0.38mm~ メタライズ化:Cu、Ti/W、Pt、Ag、Au 安価に挑戦します。
- Company:ルータ株式会社
- Price:~ 1万円
Last Updated: Aggregation Period:2025年08月20日~2025年09月16日
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高熱伝導率アルミナ(Al2O3)基板、AlN基板
●アルミナ(Al2O3)基板 厚さ:0.38mm~ メタライズ化:MoMn、W、Ni、Ag、Au ●AlN基板 熱伝導率170W/m・k~ 厚さ:0.38mm~ メタライズ化:Cu、Ti/W、Pt、Ag、Au 安価に挑戦します。
各種メタライズが可能!独自の焼成技術と加工技術によるAlN基板をご紹介
古河電子が取り扱う『AlNスライス基板』をご紹介します。 高電気絶縁性を持ち、各種メタライズが可能。 Siにマッチした熱膨張係数を有し、熱衝撃に強く、 急熱・急冷に耐えます。 【特長】 ■熱伝導・熱放射率が大きく、放熱性が高い ■Siにマッチした熱膨張係数を有する ■熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える ■高電気絶縁性 ■各種メタライズが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
成膜技術と薄膜加工技術を需要が高まるサブマウントに応用!
当社では薄膜磁気ヘッド(HDD・FDD)や光学プリズム部品の製造で 培った成膜・薄膜加工技術を応用発展させ、セラミック基板などの母材に 合わせた薄膜電極・抵抗膜・はんだ膜などを高精度な微細回路パターンで 形成することができます。また、立体面へのパターニングや厚膜Cuめっきも対応可能です。 お客様は日本に限らず、アジア・欧米など世界各国でお使いいただいております。 これからも益々新しい技術を開発していきます。 ■標準基板材料(熱伝導率 W/m・K) AlN (170~230) AlN/Cu(~270) SiC (~370) ■アプリケーション レーザーダイオード(LD)実装基板 発光ダイオード(LED)実装基板 フォトダイオード(PD)実装基板 ■レーザー市場用途 可視光半導体レーザー 光通信(FTTx・データセンター・モバイル基地局) 民生産業用(センサー・LiDAR・レーザー加工・医療) 照明(プロジェクター・自動車ヘッドライト) など
活性金属ろう付け(AMB)基板の世界市場:アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)、 ...
本調査レポート(Global Active Metal Brazed (AMB) Substrates Market)は、活性金属ろう付け(AMB)基板のグローバル市場の現状と今後5年間の展望について調査・分析しました。世界の活性金属ろう付け(AMB)基板市場概要、主要企業の動向(売上、販売価格、市場シェア)、セグメント別市場規模、主要地域別市場規模、流通チャネル分析などの情報を収録しています。 活性金属ろう付け(AMB)基板市場の種類別(By Type)のセグメントは、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)、その他を対象にしており、用途別(By Application)のセグメントは、パワー電子、自動車電子、家電、航空宇宙、その他を対象にしています。地域別セグメントは、北米、アメリカ、ヨーロッパ、アジア太平洋、日本、中国、インド、韓国、東南アジア、南米、中東、アフリカなどに区分して、活性金属ろう付け(AMB)基板の市場規模を算出しました。 主要企業の活性金属ろう付け(AMB)基板市場シェア、製品・事業概要、販売実績なども掲載しています。
高い絶縁性、放熱性、信頼性を保有!パワーデバイス用の厚銅セラミックス基板
『AMB基板』は、AMB (Active Matal Brazing) AMB法で厚銅を セラミックスに接合させた基板です。 高い絶縁性、放熱性、信頼性を有する、パワーデバイス用の 厚銅セラミックス基板です。 【仕様】 ■基材:窒化珪素(Si₃N₄) 窒化アルミ(AlN) アルミナ(Al₂O₃) ■導体厚み:300 ~ 1000 μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
セラミックスを超える高熱伝導!シリコン並みの低熱膨張を実現!
SiCセラミックスと金属シリコンを複合することにより、セラミックスを超える高熱伝導とシリコン並みの低熱膨張を実現しました。 SiCやAlNを超える熱伝導率! 複合比率を変更することにより、さまざまな特性を実現できます。 表面処理(めっき)が可能で、静電チャックにも使用可能です。 セラミックスよりも大型化が可能です。 SiCとアルミの組み合わせもラインナップしてます。 ●●●詳しくはPDFカタログを参照ください。●●●
はんだ耐熱性に優れためっき電極!高信頼性・高密度・多機能な各種用途の製品を実現!
セラミックヒーター、光通信用パッケージ、LED用パッケージ、センサーパッケージ、SMDパッケージなどの用途で高密度・多機能な各種用途の製品化を実現します。
高耐熱・高強度!DPCメッキ法を用いたセラミックス配線基板
『DPC基板』は、一般的な厚膜印刷基板より高耐熱・高強度な セラミックス配線基板です。 DPC (Direct Plated Copper)メッキ法を用いた基板で、 アルミナ(Al₂O₃)、窒化アルミ(AlN)、窒化珪素(Si₃N₄)、 ガラスなど各種材料に対応しています。 【仕様】 ■基材:アルミナ、窒化アルミ、窒化珪素、 ガラスなど各種材料に対応 ■導体厚み:10 ~ 100 μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
セラミックス基板に薄膜集積回路パターンを形成します。
アルミナ純度99.9%を用いることで、次世代無線通信システムに必要とされる30GHz帯域動作を可能にする、微細回路パターン (line/space=30um/30um) を提供します。 【薄膜集積回路】 各種セラミックス基板に集積回路をパターニンング致します。 ●サイドパターン(0.3t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ●導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載可能 ●独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低誘電損失・低雑音の回路形成が可能 ●基板材料として、窒化アルミニウム(ALN)基板、石英基板なども対応 【高品位アルミナ基板】 ●緻密 ●3点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ●電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい
マイクロ波帯で誘電損失が小さいセラミックス基板、マイクロ波用誘電体基板、曲がるセラミックスを製造から薄膜パターン形成まで一貫生産
【高品位アルミナ基板】 ○緻密 ○3点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ○電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい 【ジルコニア基板】 ○高強度、高靭性 ○弾性変形能が大きい曲がるセラミックス 【高誘電体基板】 ○比誘電率が高いためアルミナ基板にくらべ高周波回路の小型化を図ることが可能 ○高周波帯域でも誘電損失を小さい 【薄膜集積回路】(各種セラミックス基板に回路形成) ○エアーブリッジ、サイドパターン(0.5t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ○導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載が可能 ○独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより 高周波帯域での低損失・低雑音の回路形成が可能 ○基板材料として、高誘電体基板、窒化アルミニウム基板(AlN基板) 石英基板なども対応
マイクロ波帯でも損失の少ないセラミック基板から薄膜パターン形成まで一貫生産。試作から量産まで高品質の製品を低価格・短納期で提供。
各種スルーホール加工、スリット加工された基板上に回路形成した薄膜集積回路部品を提供いたします。 【特徴】 ○サイドパターン(0.38t以上)、AuSn半田パターンの形成 ○導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載 ○独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低損失・低雑音の回路形成が可能 ○基板材料:窒化アルミニウム基板(AlN基板)、石英基板等 ○基板メーカーだから出来るトータルな技術開発・品質保証・問題解決 ○製品機能、仕様に応じた品質を提供し、短納期・設計変更にも迅速に対応致します。 その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
AlN(窒化アルミ)基板、Al2O3(アルミナ)基板などをご用意!
当社で提供する「AlN基板・Al2O3基板」を紹介いたします。 放熱性、絶縁性に優れるAlN基板を製造量中国No.1のメーカーより仕入れており、日本でも実績は多数ございます。 熱伝導率が200W/m・k、230W/m・kのAlN基板も提供可能、レーザー加工なども相談可能です。 また、リードタイムもお届けまで4週間程度と短くなっています。 【ラインアップ】 ■AlN(窒化アルミ)基板(170W/m・k~230W/m・k) ■96% Al2O3(アルミナ)基板 ■99.6% Al2O3(アルミナ)基板 ■AlN(窒化アルミ)各種成形品 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
安価なサファイヤ基板上に、“超高品質”な窒化アルミニウム膜を作製可能!
紫外発光素子は、蛍光灯の代替、高密度DVD、生化学用レーザ、光触媒による公害物質の分解、He-Cdレーザ、水銀灯の代替など、次世代の光源として幅広く注目されている。 この紫外発光素子は、ワイドギャップ半導体と呼ばれるAlGaN系窒化物半導体からなり、サファイアなどの異種基板上に積層される。一方、サファイア上に成長したAlN膜には多数の貫通転位が存在し品質が悪いといった課題があった。 本発明は、サファイア上に成長したAlN膜を有する基板をN2/CO混合ガス中で熱処理して形成するといった簡単な方法でAlN膜の結晶性を飛躍的に向上させるものである。
どのような指標で部品選定をしたらいいのか、LNAの選定基準についてご紹介!
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 無線の受信特性に影響する重要部品の一つであるLNA(Low Noise Amplifier) について、”どのような指標で部品選定をしたらいいのかを教えて欲しい”と お客様からご要望をお伺いすることがあります。 そこで、今回はLNAの選定基準について、お話をさせていただきます。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■(1)省電力の要求を考慮したデバイスの選定 ■(2)NF、P1dBに着眼して選定 ■(3)Gain、IP3に着眼して選定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
AEC-Q100 grade 2及びVDA 6.3 車載部品規格適合 GNSS高利得LNA
GNSS マルチバンドを実現できるAEC-Q100*1grade 2 及びVDA6.3*2 に適合する製品のラインアップを強化してきました。 NJG1187A-A は、1.5 GHz 帯(1559~1610 MHz)及び1.1~1.2 GHz 帯(1164 MHz~1300 MHz)で対応可能な、高利得かつ低雑音指数を特⾧とするLNA(Low Noise Amp)製品で、GNSS 受信機器の受信感度の向上や測位時間の短縮に貢献します。 また、一段目と二段目のLNA の整合をパッケージ外部で行っているため、用途に合わせて柔軟に回路構成を変更可能です。 本製品のパッケージは、ウェッタブルフランクパッケージを採用する事で、自動外観検査の導入が容易になります。 *1 AEC-Q100は、車載用電子部品の信頼性の世界基準の規格。 *2 VDA6.3はドイツ自動車工業会が規格化したプロセス監査