GaN基板(正方形)
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
- 企業:株式会社豊港 半導体材料事業部
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年10月08日~2025年11月04日
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窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
窒化物半導体結晶のブールを形成し、より安価にGaNを作製可能に
近年、発光ダイオードやレーザなどの発光素子に用いる半導体材料として、III族窒化物半導体(GaNやInGaN)が着目されている。この窒化物半導体は、赤外光から紫外光の広い波長範囲に対応するバンドギャップエネルギーを有し、青色や緑色などの発光ダイオードや、発振波長が紫外域から赤外域の半導体レーザの材料として有望視されている。しかし、窒素の気相・固相間の平衡蒸気圧が従来からあるIII-V族半導体材料に較べて数桁高いため、GaN単結晶基板を安価で作製することはできない。また、「自立基板」と称されるGaN基板を用いる方法もあるが、現状の作製技術では高いコストを要するといった課題がある。 本発明によって、より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製することが可能となった。本発明では、成長基板の主表面上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程から、複数の窒化物半導体自立基板を作製する工程までの、全7工程を備える。
単結晶サファイアの結晶成長から切断、研削・研磨、PSS加工、GaNエピ成長、特殊加工まで一貫して行っております!
同人産業では主にキロプロス(Kyropoulos)法のサファイア材料を提供しております。 弊社のサファイア基板は、国内工場で生産している他、海外の優良メーカーにて委託生産しております。
小型化が進むパワーデバイスに適した大電流基板!
『異型銅厚共存基板』は、同一層に300μmの厚銅箔と70μmの薄銅箔を 共存させ、途中で切り替えることができる大電流基板です。 組立工数や部品点数の削減を実現。 小型化の進むGaNやSiCに代表されるパワーデバイスにも好適です。 【特長】 ■300μmと70μmを途中で切り替え可能 ■300μmと70μmは入り組んでいてもOK ■銅インレイの組み合わせ可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
豊富な銅箔厚ラインアップで数アンペア~数百アンペアの電流値に対応可能!
『大電流基板』は、数十~数百アンペアの大電流を流すことができる 厚銅箔のプリント基板です。 従来の銅厚105~240μmを超える、300μm、400μm、500μmの銅厚を 使用した「超厚銅大電流基板」や、小型化の進むGaNやSiCに代表される パワーデバイスにも適した「異形銅厚共存基板」などをご用意しています。 【特長】 ■300umの場合、同一層に50umの薄銅箔の共存が可能 ■500um以上は内層や外層から銅箔のみ基板の外へ引き出すことが可能 ■基板内での露出も可能 ■端子加工・折り曲げ加工・基板の立体化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
単結晶ニョウブ酸リチウム(LN / LiNbO3)のインゴット、ウェハー、特殊加工をご提供いたします。
商品名:単結晶ニョウブ酸リチウム(LN / LiNbO3) サイズ:Φ2”、Φ3”、Φ4”、Φ6” 方位:指定可能 厚み:250um、350um、500um、指定可能 仕上げ:片面ミラー、両面ミラー、他 数量:10枚~、量産対応可能 製造:日本製、中国製
電子部品の開発から生産工程にて必要とされる、様々なプリント基板へのニーズにお応えします!
当社で取り扱っている「電子部品評価用プリント基板」についてご紹介します。 電子部品メーカー様のエンジニアリングチェーン・バリューチェーンの 各工程において必要とされる、様々なプリント基板のご提案が可能です。 プリント基板の開発に纏わる業務を一気通貫でご提供。LDIプロセスにより パターンとソルダーレジスト(SR)共に高精度仕上げができます。 【お客様にとってのメリット】 ■プリント基板の開発に纏わる業務を一気通貫でご提供可能 ■LDI(Laser Direct Imaging)プロセスによりパターンと ソルダーレジスト(SR)共に高精度仕上げが可能 ■原画・フィルム版・スクリーン版レスによりEOLの概念がなく、 いつでも受注可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
結晶育成~加工まで自社内で一貫生産。加工歪層のない高品質な結晶基板表面
【エピタキシャル成長に最適】 薄膜成長用酸化物基板は、1980年代から高温超電導薄膜やGaNなどの基板として、SrTiO3やサファイア基板を提供をはじめ、科学技術の向上に貢献し続けております。 エピタキシャル成長用基板は、結晶性、基板表面の平滑、平坦性とともに最表面の結晶格子歪の有無が重要です。 弊社は長年の技術蓄積により、結晶育成から加工まで自社内で一貫生産しています。高精度な加工技術により、高品質な結晶基板表面に仕上げて提供を続けております。 標準的な仕様は常に在庫を持つようにしており、ご発注後10日間程度でお届けしております。 ご希望に合わせて面方位、形状、OFF角度などをオーダーメイドすることも行っておりますので、ラインアップにない仕様の製品も取り扱っております。お気軽にお問い合わせください。 ※詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
窒化ガリウム(GaN)基板の世界市場:サファイアオンGaN、SiオンGaN、SiCオンGaN、GaNオンGaN、その他、 ...
本調査レポート(Global Gallium Nitride (GaN) Substrates Market)は、窒化ガリウム(GaN)基板のグローバル市場の現状と今後5年間の展望について調査・分析しました。世界の窒化ガリウム(GaN)基板市場概要、主要企業の動向(売上、販売価格、市場シェア)、セグメント別市場規模、主要地域別市場規模、流通チャネル分析などの情報を収録しています。 窒化ガリウム(GaN)基板市場の種類別(By Type)のセグメントは、サファイアオンGaN、SiオンGaN、SiCオンGaN、GaNオンGaN、その他を対象にしており、用途別(By Application)のセグメントは、医療、自動車、家庭用電化製品、一般照明、軍事・防衛を対象にしています。地域別セグメントは、北米、アメリカ、ヨーロッパ、アジア太平洋、日本、中国、インド、韓国、東南アジア、南米、中東、アフリカなどに区分して、窒化ガリウム(GaN)基板の市場規模を算出しました。 主要企業の窒化ガリウム(GaN)基板市場シェア、製品・事業概要、販売実績なども掲載しています。
化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。
2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています
RISC Qseven モジュール用開発ボード
・24-bit LVDS パネルサポート ・1 PCIe x1 ・1 SATA, 4 UART, 1 RJ-45, 4 USB 2.0 (with 1 OTG) ・HD オーディオコーデック ・デュアルCAN bus ・VGA および HDMI 出力をサポート ・オンボードSD カードスロット, SIM カードスロットRoHSCOMPLIANT2002
ケニックシステムオリジナルのLEDバックライト電源基板です。
「KSLBC-4(D4)」はデンシトロン製のSVGA、VGA液晶向けのLEDバックライト電源基板です。 【特長】 ・ON/OFFや輝度調整など、汎用マイコンで簡単に設定可能です。 ・過電圧保護機能内蔵のデバイスを使用しているので、LEDが断線しても、デバイスは保護されます。 ・67×20mmと小型・軽量です。
ケーブル障害の位置測定や原因を判定する測定器!配線チェックに最適。
配線のトラブル(断線・短絡)の発生箇所を調べます。 ケーブル端から敷設長さを測定が可能なため、線材の在庫管理にも有効です。 --------------------------------------------------------------------------- 株式会社古賀電子 神奈川県平塚市南原2-9-19 TEL:0463-34-2334 info@kogadenshi.co.jp Facebookページ:http://www.facebook.com/kogadenshi
作成したヒストグラムはSiTCPでPCへ転送!下側に放熱アルミブロックを配置する構造です
KEK様のFPIXプロジェクトをお手伝いさせていただきました。 測定器開発室で開発された、Si-APD用チップからの信号を収集するための 基板で、信号はFPGAで0.5nsでサンプリングされてFPGA内でヒストグラム化。 作成したヒストグラムはSiTCPでPCへ転送されます。FPGA等の放熱を 効率よく行うために部品のほとんどを下側に配置し、下側に放熱 アルミブロックを配置する構造になっております。 【実績概要】 ■サービス:ハードウェア開発 ■お客様:高エネルギー加速器研究機構 様 ■場所:KEK PF ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
お客様との綿密なお打ち合わせにより、ご要望に沿った、ご満足頂ける 設計・製造を行います。もちろんアフターケアも万全です!
主に基板回路設計・製造、論理回路設計、機構設計・製造など承ります。 【開発事例】 ・P-THIN-GEM 中性子を利用した物質の2 次元画像とTOF(Time-Of-Flight)情報を測定できる中性子検 出器です ・8ch-5Gsps-Digitizer アナログ信号を最大5Gsps の速度でアナログメモリに書込みます ・BRoaD III 信号ロジックの検証、入力切替、複数の論理回路の出力の比較が容易に行えるモジュールです ・ADC-SiTCP 16ch の平衡アナログ入力を40Msps でデジタイズ可能なADC 基板です ・水分供給用アクリルチェンバー 近畿大学様向け放電実験用ケース。水分を供給した状態の放電の様子を見るアクリルケースです ★その他FPGA を用いた回路設計(VeriLog)ハードウェアTCP を組込んだ機器開発を得意としております。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。