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複合技術で未来を創造する日本エクシード株式会社
日本エクシード株式会社は、主に半導体材料、酸化物材料、化合物材料、 金属材料の精密研磨加工及び洗浄を行っている会社です。 超平坦化技術・超薄化技術・超無歪み化技術・超清浄化技術・超平滑化 技術の5超の研磨技術を有し、すべての結晶材料の研磨加工を可能として おります。 素材ごとに独自の加工技術を用いた比類ない精度と品質で、あらゆる素材 の研磨ニーズにお応えします。 【事業内容】 ■半導体材料、酸化物材料、化合物材料、金属材料の精密研磨加工及び洗浄 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
様々なサイズ、厚みに応じた研磨加工が可能です。
SOIウエーハに関しては大口径(12"φ)化が着実に進み、現在では小口径では出来ない最新技術が素材で開発されている一方、 後工程(デバイス工程)のラインは小口径(8"φ以下)での対応となり、大口径素材が持つ最新技術が生かせない状況です。 日本エクシードではこれらのニーズに応えるべく、たえず技術向上を図ると共に、量産ベースでの生産体制を確立しています。 また、SOIウエーハのサイズダウンも可能です。 【加工詳細】 ■材料名：各種口径Siウエーハ，SOIウエーハ，単結晶・多結晶シリコン部品材料（ドライエッチング装置用電極，フォーカスリングなど ■対応サイズ ・Φ12.5mm～Φ200mm ・3mm×3mm～156mm×156m ・矩形も対応可 ・仕上がり厚み：25μm～ ・平坦度：TTV1μm以下 ・パーティクル：0.2μm20個以下 ・表面粗さ：0.3nm以下 ・膜厚制御可能 ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。
様々なサイズ、厚みに応じた研磨加工が可能です。 ブロック状素材&厚みが数cmのものも対応可能です。
加工素材実績 ・Ge ・C ・MnZn ・フェライト ・TeO2 ・SrTiO3 ・LaGaO4 ・LaSrGaO4 ・NGO ・Y2Fe5O12 ・Y3Al5O12 ・BGO ・樹脂材料
ウエハの薄化なら日本エクシードにお任せください!!
加工実績 ・Si 4インチ 25um～ ・Si 6インチ 50um～ ・GaAs 3インチ 20um～ ・LT(タンタル酸リチウム) 2インチ 25um～
数百種類以上の半導体素材の研磨を扱っている技術を紹介！各種ウェーハの研磨プロセス・洗浄・加工技術を写真や分析事例などで紹介中！
当資料では、日本エクシードの各種ウェーハの研磨プロセス・洗浄・加工技術を写真や分析事例などで紹介しています。 長年にわたる研磨加工の経験の上に独自の研究開発を幾度も繰り返し、単結晶と名の付く様々な素材を手掛ける技術力を 高次元で実現し、今では数百種類以上の半導体素材の研磨を扱う存在となりました。 研磨加工プロセスの研磨工程をはじめ、薄化加工技術を用いたSi特殊加工や加工素材などを掲載。 当社は、様々な加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【加工素材一覧】 ■酸化物材料：LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）、ZnO、 水晶、サファイア、サファイア再生、etc ■化合物材料：GaN、 SiC、GaP、GaAs、GaSb、ZnS、ZnTe、etc ■金属素材：SUS、Au、Ag、Cu、W、Ti、Al、etc ■その他：Ge、C、MnZnフェライト、TeO2、樹脂材料、etc 【掲載内容(抜粋)】 ■研磨加工プロセス(代表例) ■研磨工程のご紹介 ■洗浄工程のご紹介 ■Si特殊加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。
化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや 高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、 パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする事も行っています。 【加工詳細】 ■加工素材 ・SiC ・GaN ・GaP ・GaAs ・GaSb ・ZnS ・ZnSe ・ZnTe ・パターン付きウェーハの裏面加工など ■仕上がり厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。
様々な酸化物半導体結晶の研磨加工が可能です。
弊社では、加工技術を量産で対応出来る能力を持ち合わせております。 又、青色発光ダイオードやレーザーダイオードに用いられる基板の研磨加工も行っています。 用途に応じた加工スペックを満足すべくラッピング、ポリッシング加工を量産ベースで行っています。 【加工詳細】 ■材料名：LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）、ZnO、 水晶、サファイア、サファイア再生、etc. ■加工素材：LiNbO3(LN)、LiTaO3(LT) ・ZnO ・水晶 ・Al2O3(サファイア) パターン付きウェーハの裏面加工、再生加工など ■対応サイズ ・Φ63mm～Φ150mm ・3mm×3mm～100mm×100mm ■仕上がり厚み：20μm～ ■平坦度：TTV：5μm以下 ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。
ヘイズのない超平滑な面を実現！研磨加工プロセスをご紹介します
半導体材料や金属材料などの精密研磨加工及び洗浄を行う日本エクシードの 研磨・洗浄工程をご紹介いたします。 研磨工程では、1次研磨・2次研磨・3次研磨の3段回に分けて研磨を 行うことで、ヘイズのない超平滑な面を実現致します。 洗浄工程では、人が介在しないためクリーン度が保たれた状態で 洗浄を行い、パーティクルなどの汚染を除去します。 【研磨加工プロセス】 ■受け入れ検査 ■貼り付け工程 ■1次研磨工程 ■2次・3次研磨工程 ■洗浄工程 ■測定工程 ■検査工程 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体レベルの表面粗さ！平滑化技術を用いた精密研磨加工
日本エクシードは、平滑化技術を用いた精密研磨加工を行って おります。 その他にも、レーザーコンフォーカル機能による微細構造測定など、 レーザー顕微鏡を使用した微小形状評価技術を有しています。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■平滑化技術を用いた精密研磨加工 ■半導体レベルの表面粗さ ■Cu：Ra 0.16nm ■Al：Ra 0.20nm ■Nb：Ra 0.74nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
