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時代はY2O3からYOFへ！エッチング装置のエージング時間を大幅短縮、パーティクル低減、装置稼働時間が大幅アップし、生産性向上！
イオンアシスト蒸着法によるYOF膜（酸フッ化イットリウム膜）は、ドライエッチング装置部品の保護膜としてパーティクル低減、装置稼働時間を大幅にアップさせるだけでなく、これまで要したエージング時間を大幅に短縮させることができます。半導体不足が問題となっている昨今、歩留まり向上と装置稼働時間のアップは半導体製造業者にとって至上命題といえます。最先端の製造ラインに導入された、イオンアシスト蒸着法による保護膜は、ドライエッチング装置部品の保護膜として、また、定期的メンテナンスにおける再生としてご利用いただけます。
Y5O4 F7膜は表面フッ素量変化が小さいのでエッチング装置のエージング時間を大幅に短縮できます。透過率特性も優れています。
半導体製造工程の一つであるドライエッチングプロセスにおいてウェハ処理を行うと、プロセスガス自体からの生成物やエッチング時の副生成物がチャンバ内壁やチャンバ内のパーツ表面に付着するといった現象が発生すします。これら堆積物の付着によってプロセスの初期と処理後のチャンバ内表面状態が変化することにより、プロセス条件の変動が発生します。このようなプロセス条件の変動を緩和するため、従来技術では製品処理前に類似ウェハを処理して堆積物をコーティングすることによってチャンバ内表面状態を安定させる手法（エージング）が適用されていました。Y5O4 F7膜はY2O3膜に比べてプラズマ処理前後の表面フッ素量変化が小さいのでエッチング装置のエージング時間を大幅に短縮し、装置稼働時間を上げることに寄与します。
可視光から紫外線領域まで透明、イオンアシスト蒸着によるアモルファスアルミナ膜は非常に緻密でバリア膜として使えます。
イオンアシスト蒸着によるアモルファスアルミナ膜が結晶の粒子が50nm以下で均一な微細構造の超緻密な酸素バリア膜です。可視光から紫外線領域まで透明ですので様々な用途に使うことができます。
