電子顕微鏡のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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電子顕微鏡 - メーカー・企業41社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年11月19日~2025年12月16日
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電子顕微鏡のメーカー・企業ランキング

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  1. 株式会社アイテス 滋賀県/電子部品・半導体
  2. アズサイエンス株式会社 松本本社 長野県/商社・卸売り
  3. 株式会社ロンビック 三重県/樹脂・プラスチック
  4. 4 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定
  5. 5 JAPAN TESTING LABORATORIES株式会社 岐阜県/試験・分析・測定

電子顕微鏡の製品ランキング

更新日: 集計期間:2025年11月19日~2025年12月16日
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  1. Talos F200E導入のお知らせ ※12月サービス開始 株式会社アイテス
  2. TEM・SEMによるプラスチック、樹脂材料観察事例 株式会社ロンビック
  3. JSM-IT210 走査電子顕微鏡 アズサイエンス株式会社 松本本社
  4. 4 日本電子 卓上電子顕微鏡 JCM7000 丸文通商株式会社
  5. 5 JEM-1400Flash 電子顕微鏡 アズサイエンス株式会社 松本本社

電子顕微鏡の製品一覧

91~105 件を表示 / 全 148 件

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【導入事例】高分解能観察と分析機能の両立を実現したFE-SEM

最大200nAの照射電流は、各種マイクロアナリシスに対応!分析能力も強化

広視野全体像から表面微細構造まで、短い時間で多くの情報を取得できる 「FE-SEM」を導入した事例をご紹介いたします。 表面微細構造、組成、結晶学的情報、形状情報など多彩な イメージング能力を装備。 複数の二次電子信号や反射電子信号が同時に取得でき、これまでより 短い時間で多くの情報を得られるようになりました。 【事例概要(抜粋)】 ■導入製品:HITACHI製SU7000 ・電子源:ZrO/Wショットキータイプエミッター ・二次電子分解能:0.8nm(加速電圧 15kV)、0.9 nm(加速電圧 1kV) ・加速電圧:0.1~30kV ・倍率:20~2,000,000倍(装置スペック) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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[SEM]走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子(Secondary Electron;SE)像、反射電子(BackScattered Electron;BSE)像、透過電子(Transmitted Electron;TE)像の観察が可能 ・加速電圧0.1~30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能(装置による) ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能  EDX検出器による元素分析が可能  電子線誘起電流(EBIC)を測定し、半導体の接合位置・形状を評価  電子後方散乱回折(EBSD)法により、結晶情報を取得可能  FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能(Slice & View)  冷却観察・雰囲気制御観察

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【分析事例】CIGS薄膜太陽電池バッファ層界面の観察

超高分解能STEMによるZn(S、 O、 OH)/CIGS接合界面の結晶構造評価

Csコレクタ付きSTEM装置を用いて接合界面を直接観察することで、原子レベルでの結晶構造評価が可能です。今回、CIGS薄膜太陽電池のバッファ層にZn(S、O、OH)を用いた系でバッファ層/CIGS界面のHAADF-STEM像観察を行い、構造を評価しましたので紹介いたします。 その結果、バッファ層にCdSを用いた試料に比べ、接合部の結晶構造が不鮮明で、エピタキシャル接合にはなっていないことが示唆されました。

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【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

FFTM法による格子像解析

Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFTM解析により、(1)画像のx、 y方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)データ分布のヒストグラム表示、(5)空間分解能5nmで0.5%の歪の検出、が可能です。 化合物ヘテロ接合多層膜試料に適用した例を示します。

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【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流(EBIC)を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面のEBSDを測定することにより、起電流の分布と結晶粒との対応をとりました。

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【分析事例】CIGS膜の結晶粒評価

SEMによる結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト化・大面積化・高品質化を期待されている次世代の太陽電池として開発が進められており、その際に結晶情報が必要とされています。EBSD法ではCIGS膜の結晶粒評価が可能です。 EBSD法で得られる結晶情報は主に配向性・結晶粒径などです。

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【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜)が確認できます。

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球面収差補正機能

TEM:透過電子顕微鏡法

球面収差補正機能(=Csコレクタ)つきSTEM装置では、原子レベルでの高分解能観察・高感度分析が可能です。分解能は約0.10nmです。

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【分析事例】液体中微粒子の構造・分散具合評価

クライオSEMを用いた液体状試料の断面構造観察

液体に分散させて用いる微粒子の粒径・構造を評価する際、従来は液体を乾燥させて粉体として微粒子を取り出し、電子顕微鏡を用いて測定しておりました。しかしながら、実際に用いる液体中で微粒子がどのように分散しているのかを調べるには不向きな測定法でした。 そこで、液体試料内で微粒子がどのように分散しているかを直接評価するため、クライオ加工+SEM観察を行って評価した事例をご紹介します。

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【分析事例】TEM・EDX・EELSのアイシャドウ成分元素分析

ナノオーダーの形態観察・元素分析が可能

透過型電子顕微鏡(TEM)はμm~nmオーダーの形態観察・元素分析が可能です。 アイシャドウは固体粒子の集まりなので、そのままTEMによる分析を行いました。 TEM観察後、視野内の特定箇所についてEDX分析を行い、構成元素から材料を推定しました。 さらに、EELS分析により結晶型を区別することが可能です。

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【分析事例】微細トランジスタの構造評価

Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察

TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のMPUトランジスタ部の高分解能(HR)-TEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。3次元的な構造を持つFinFETのような微細な多層構造でも、Csコレクタ付TEMを用いることで素子の構造や元素分布を明瞭に観察することが可能です。

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【分析事例】固体高分子燃料電池触媒材料の形態観察・成分分析

SEM・STEM・EDXによる触媒粒子の評価

燃料電池の電極は、カーボンに触媒であるPt粒子またはPt合金(PtRu等)粒子が担持されています。この触媒粒子は数nmと微細構造のため、形態観察、組成分析にはSEMやTEM分析が用いられています。 初期状態での評価の他に通電後の劣化として合金組成の変調、Ruの溶出、触媒粒子径の増大が報告されていますが、これらの評価に高空間分解能でのHAADF観察やEDX分析が非常に有効です。また、SEM観察では担体のカーボンの形状や触媒粒子の存在状態を確認することができます。

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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL(フォトルミネッセンス)マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察(HAADF-STEM像)を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。

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【分析事例】STEM・EDXと像シミュレーション結晶構造評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります

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【分析事例】DRAMチップのTEM・SEMによる構造解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。

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