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パワートランジスタ(設計) - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products

パワートランジスタ Product List

1～12 item / All 12 items

Displayed results
【RF設計者向け/半導体EOL】再設計を回避するためのサポート

【RF設計者向け/半導体EOL】再設計を回避するためのサポート

アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエンドtoエンドサポート/製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。 製品ポートフォリオ： BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 VHFプッシュプルパワーVDMOSトランジスタ BLF3G21-30 UHFパワーLDMOSトランジスタ BLF404 UHFパワーMOSトランジスタ BLF521 BLF521 - UHFパワーVDMOSトランジスタ BLL1214 LバンドラダーLDMOSトランジスタ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。

  • その他半導体

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パワートランジスタ『CGD65B200S2』

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65A055S2』

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65A130S2』

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載

『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー

ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ

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『600V エンハンスモード GaN HEMTs』

『600V エンハンスモード GaN HEMTs』

スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT

Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源（SMPS）向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品
  • その他半導体

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【半導体継続供給】AmpleonのVDMOS RFパワー製品

【半導体継続供給】AmpleonのVDMOS RFパワー製品

Ampleon 認定：VDMOS ポートフォリオ

ロチェスターエレクトロニクスは、アンプレオンとの協業により、通信、ISM、航空宇宙そして防衛通信などのアプリケーションに向けて、同社のVDMOS RFパワー製品の継続供給ソリューションを提供します。 VDMOS製品は非常に頑丈で、熱抵抗が低いため、MRIシステム、プラズマ・ジェネレータ、Lバンドレーダーシステム、非セルラー通信などの高速で高出力のスイッチング・アプリケーションに最適です。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。

  • 基板設計・製造

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【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート

【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート

現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターエレクトロニクスはSTマイクロエレクトロニクスとパートナーシップを締結しております。 このパートナーシップの下、ロチェスターではSTマイクロエレクトロニクスの設計に対して拡張された製品ライフサイクルの管理を提供しています。 これには供給が制限される時期における現行品である重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます： ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • その他半導体

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パワートランジスタ『CGD65B130S2』

パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化

『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる

『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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