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全反射条件ではX線の侵入長が光電子の脱出深さよりも短くなるためHAXPESの検出深さはX線の侵入長で決まる！
硬X線光電子分光(HAXPES)は、これまで軟X線領域での測定が主流であった 光電子分光を硬X線領域で行うことでバルク敏感な測定が可能となり飛躍的な 進歩を遂げました。 一方で、表面状態の分析を目的としてX線の全反射条件下でのHAXPES測定も 行われています。 全反射条件ではX線が全反射臨海角で入射するため、物質中へ侵入できる深さが 制限されます。この特性をHAXPESに適用すると原子層レベルの界面酸化層や 偏析不純物の結合状態の分析が可能となります。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
Si基板上のSiO2表面酸化膜について、光電子分光から酸化膜厚を算出！
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は非常に重要な項目の1つです。 そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。 表面が薄い酸化膜で覆われているような試料の場合、多くの元素の光電子ピークは 酸化物成分と基板成分に対応して2つのピーク構造を示します。各成分のスペクトル 強度を測定することによって酸化膜の膜厚を見積ることができます。 非破壊にて膜厚を求める分析手法はいくつかありますが、他の手法に比べ、 特定箇所の膜厚の見積りが可能であるところが、この手法の特長です。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
光電子のエネルギーおよび強度を測定することにより、原子の同定・定量が可能！
「X線光電子分光(XPS)」は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える 表面分析手法です。 材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も 評価可能であり、中和銃を用いることで絶縁物表面も測定可能であるため、 種々の材料表面の解析に広く利用されています。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【特長】 ■数nmの最表面の組成分析(Li～)が可能 ■感度は、0.1atomic％程度 ■電子状態分析(化学結合・価数・ギャップなど)が可能 ■絶縁物・有機物の測定が可能(非破壊分析) ■測定領域は、数十～数百µmφ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
極表面の化学組成・結合状態・価数などの情報を得ることができる！
XPS分析の錠剤への応用についてご紹介いたします。 X線光電子分光(XPS)は、X線を試料に照射した際に放出される電子を観測し、 試料内に存在した電子の情報を取り出す分析手法で、極表面の化学組成・ 結合状態・価数などの情報を得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■数nmの最表面の組成分析(Li～)が可能 ■感度は、0.1atomic％程度 ■電子状態分析(化学結合・価数・ギャップなど)が可能 ■絶縁物・有機物の測定が可能(非破壊分析) ■測定領域は、数十～数百μmφ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
金属部材の変色部分の原因調査では、最表面状態の定性分析と表面酸化膜の厚さや深さ方向の分布などXPSによる評価が非常に有効！
変色した銅部材表面のXPS分析についてご紹介いたします。 銅の変色の原因は、腐食物の生成による場合のほか、表面酸化膜の厚さの違い (光の干渉現象による発色)が原因となる場合もあるので、X線光電子分光(XPS) による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も実施すると有効です。 添付のPDF資料にて、銅部材の表面定性分析と深さ方向分析を実施し、変色部分と 正常部分の比較を行った事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【銅表面の変色状態評価】 ■X線光電子分光(XPS)による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も 実施すると有効 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
