更新日： 集計期間:2025年11月19日～2025年12月16日
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熱分解GC/MS法によるLED封止材の構造解析
エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性、絶縁性に優れ、機械的強度も高いため、電子機器の絶縁材料、接着剤、塗料、建築材料など種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性が無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例ではLEDの封止材として使用されているエポキシ樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。主剤および硬化剤の構造を反映した熱分解生成物が得られ、本樹脂はビスフェノールA/酸無水物型のエポキシ樹脂と推定されました。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
試験結果を再現！コントロールポイントの座標値を設計変数とした最適化計算を実施
塑性ポアソン比－相当塑性ひずみ関係を2本のBézier曲線で表現しています。 コントロールポイントの座標値を設計変数とした最適化計算を実施。 試験結果の再現を試みています。 下記関連リンクでは、最適化計算前・後をグラフでご紹介しておりますので ぜひご覧ください。 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
木質バイオマス成分「リグニン」を対象とした各種分析が可能です。
リグニンは木質バイオマスの約3割を占める芳香族高分子成分であり、石油化成品原料の代替品やエンジニアリングプラスチックへの利用可能性に注目が集まっています。本資料では木材からの抽出に始まり化学構造解析までリグニンの総合的な評価事例を紹介します。 測定法 ：NMR・LC/MS・GC/MS 製品分野：環境・バイオテクノロジ・高分子材料 分析目的：組成評価・同定・化学結合状態評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
ピークが重複する複雑な有機化合物の構造解析が可能です。
NMRを用いた有機化合物の構造解析では、一般的に1次元NMR (1H-NMR・13C-NMR)のほかに1次元NMR のピーク同士の相関を確認できる2次元NMRを用いてピークを帰属することで化合物の構造を決定します。しかし、類似構造を多数含む糖類などの化合物では2次元NMRでもピークが重複するため解析が困難です。このような場合には3次元NMRが有効です。 本資料ではオリゴ糖をモデル化合物として、3次元NMRを適用した事例を紹介します。
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
温度可変領域－196℃～600℃！高分子構造変化のメカニズムに迫ります
当社では、高温・低温ラマン構造解析を行っております。 高分子材料の熱的物性の変化や吸着物による物性低下の原因を 温度可変ラマンによる分子構造解析で明らかにします。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■温度可変領域：－196℃～600℃ ■試料部：ガラス窓付き密閉セル ■その他：マッピングも可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
X線CTと画像解析技術により、毛髪の定量評価が可能です
ヘアカラーや紫外線、加齢などの影響によりダメージを受けた毛髪は構造変化が起こっており、これらの構造変化を計測することはヘアケア製品の研究開発に重要です。 本事例では、X線CTを用いて毛髪の構造を観察しました。さらに、得られたCT断面像を画像解析することで、コルテックス部分の空隙体積、キューティクル間隔をヒストグラム化しました。このように、X線CTと画像解析を組み合わせることで、毛髪の三次元構造を定量的に評価することが可能です。 測定法： X線CT、計算科学・AI・データ解析 製品分野：バイオテクノロジ・医薬品・化粧品 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
製品の三次元構造を測定、解析することで品質管理に役立てます！
弊団では、3Dプリンター造形物の三次元構造解析を承っております。 設計図と製造品の違いを把握することは、品質管理において 重要なプロセス。X線CT測定を行うことで、3Dプリンターにて 印刷した造形物と設計図との三次元構造的な「ズレ」の比較が 可能となり、出来栄えを評価することができます。 本事例では、樹脂系材質の成形品について評価していますが、 X線が透過する金属系材質の成形品についても同様の評価が可能です。 【測定法・加工法】 ■X線CT法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。
本レポートは、20 nm ノード QualcommMDM9235 モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235 は第 4 世代の Qualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20 nm CMOS プロセスを使用して製造された Qualcomm 初のモデムです。 MDM9235 は 4G LTE-A Cat. 6データレート (301.5 Mbps) および 4k ビデオコンテンツをサポートするためQualcomm Snapdragon 805 アプリケーションプロセッサと対になっています。 MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です。
本レポートは、Mediatek MT6592 オクタコア (8コア) アプリケーションプロセッサの詳細構造解析です。 MT6592は、ARM Cortex-A7プロセッサを搭載し、「真のオクタコア」と謳 (うた) われるSoCで、GPUは4コアARM MaliTMを採用し、フルHDディスプレイ、最大1、600万画素のカメラ、マルチモード セルラーモデム、デュアルバンド801.11n Wi-Fiなどをサポートしています。 MT6592は、8層メタル(7 Cu、1 Al)構造、high-kメタルゲート(HKMG)、ゲート長 28nmのTSMCによるHPM CMOSプロセスを使用して製造されています。 【特徴】 ○トランジスタのチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアルワーク ファンクション メタルゲート ○nMOS(NiSi)およびpMOS(NiSiGe)ソース/ドレイン領域、およびlow-k層間絶縁膜 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品を解析！
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 ・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) ・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート ・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
