吸収電流による抵抗異常箇所特定
吸収電流像から配線の高抵抗・オープン箇所の特定ができます。
・高抵抗異常箇所の特定可能 ・配線を流れる電流が微弱(pA) ・表面保護膜が存在しても測定可能 ・多層構造の配線でも測定可能 ・SEM観察とほぼ同条件で測定可能
- 企業:一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年10月08日~2025年11月04日
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吸収電流像から配線の高抵抗・オープン箇所の特定ができます。
・高抵抗異常箇所の特定可能 ・配線を流れる電流が微弱(pA) ・表面保護膜が存在しても測定可能 ・多層構造の配線でも測定可能 ・SEM観察とほぼ同条件で測定可能
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります
任意断面のEBIC測定で特徴があった箇所の直交断面観察
EBICとEBSDで電気的性質と結晶の関連性についての知見が得られますが、情報の深さが異なります。EBIC分布測定で電気的性質が特徴的であった箇所について、直交断面を作製し、奥行き方向のSTEM像観察を行いました。また、各結晶粒について電子回折を測定しました。これにより、電気的性質と結晶粒・結晶粒界の関係がより一層、明らかになりました。STEM観察および電子回折測定を行うことにより、特定箇所の結晶粒について局所的な情報を得ることが可能です。
1μm強の亜鉛めっきの上にクロメート層が確認!膜厚測定事例をご紹介
当社にて、クロメート処理膜の膜厚測定を行った事例をご紹介します。 有色クロメートの金属部品についてイオンミリングにより断面加工を施し、 断面を電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)で拡大観察、膜厚を計測。 FE-SEMで膜の断面を観察すると、1μm強の亜鉛めっきの上にクロメート層 が確認されます。更に拡大してクロメートの厚みを測定すると、 420nm程であることがわかりました。 【事例概要】 ■調査試料:クロメート ■断面膜厚計則:クロメート膜厚を計測 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 走査透過型電子顕微鏡(STEM)の測定手法の一つである微分位相コントラスト(DPC)-STEMは、微小部の電場を測定することが可能である。我々は、本手法をポリマーアロイに適用することで、従来の電子顕微鏡では観察が困難な相分離構造のコントラストが出現することを見いだした。 【目次】 1.はじめに 2.元素分析によるソフトマテリアルの可視化 3.DPC-STEM法の適用 4.おわりに
微小部断面加工と分析、残留応力測定などイオンミリング、FE-SEM、EBSD等による各種事例をご紹介します。資料DL可です。
当事例集では、『断面観察及び構造解析』にかかる事例についてご紹介します。 「EBSDを用いたアルミスパッタ膜の評価」の分析事例をはじめ、 「イオンミリングによる微小部断面加工」の目的や手法、試料と結果、 「はんだ断面の残留応力測定」の目的や手法、結果など多数掲載。 他にも、配向評価や断面観察結果、測定などご紹介しています。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■EBSDを用いたアルミスパッタ膜の評価 ■イオンミリングによる微小部断面加工 ■はんだ断面の残留応力測定 ■線材の残留応力測定 ■冷却(クライオ)イオンミリング断面加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能に!単結晶GaNの測定事例もご紹介
当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。 窒化ガリウム(GaN)等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。 半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡(TEM)やエッチピット法が用いられますが、 SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。 【測定事例】 ■供試材:単結晶GaN(サファイア基板上にGaNを成膜したウェハ) ■面方位:C面(0001)±0.5° ■GaN膜厚:4.5±0.5μm ■測定条件:後方散乱モード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
クライオSEMを用いた液体状試料の断面構造観察
液体に分散させて用いる微粒子の粒径・構造を評価する際、従来は液体を乾燥させて粉体として微粒子を取り出し、電子顕微鏡を用いて測定しておりました。しかしながら、実際に用いる液体中で微粒子がどのように分散しているのかを調べるには不向きな測定法でした。 そこで、液体試料内で微粒子がどのように分散しているかを直接評価するため、クライオ加工+SEM観察を行って評価した事例をご紹介します。
高倍率観察(30万倍程度まで)が可能
SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子(Secondary Electron;SE)像、反射電子(BackScattered Electron;BSE)像、透過電子(Transmitted Electron;TE)像の観察が可能 ・加速電圧0.1~30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能(装置による) ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 EDX検出器による元素分析が可能 電子線誘起電流(EBIC)を測定し、半導体の接合位置・形状を評価 電子後方散乱回折(EBSD)法により、結晶情報を取得可能 FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能(Slice & View) 冷却観察・雰囲気制御観察
試料領域での点分析、線分析、マッピングなどの分析もでき、多機能な成分分析も可能です
一般財団法人東海技術センターは『電子顕微鏡による形態観察・成分分析』を 承っております。 手間と時間のかかる前処理なしで観察ができるため、観察までの時間短縮と 観察後の成分分析の評価がしやすくなりました。 また、形態観察と同時に異なる組成の分布状態がわかる組成観察も可能。 試料中の測定したい2点間の距離計測もできます。 【特長】 ■手間と時間のかかる前処理なしで観察ができる ■形態観察と同時に異なる組成の分布状態がわかる組成観察もできる ■試料中の測定したい2点間の距離計測も可能 ■試料領域での点分析、線分析、マッピングなどの分析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析
CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流(EBIC)を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面のEBSDを測定することにより、起電流の分布と結晶粒との対応をとりました。
充電前後の電極の様子およびLiの存在・分布を評価可能
Siは高容量負極活物質の候補の一つですが、充放電時の非常に大きな体積変化のためにサイクル劣化が激しいと言われています。 充電前後のSi負極に関して雰囲気制御環境下で解体、観察をしました。更に、FIBマイクロサンプリング法により断面観察用サンプルを作成し、Csコレクタ付きSTEM装置で形状観察とEELS測定を行い、Si電極の様子と電極中のLi分布を評価しました。
コンパクトで無人運転が可能な新世代のSEMです。
日本電子株式会社 JSM-IT210 走査電子顕微鏡は、日本電子製の据え置き型としては、最もコンパクトな走査電子顕微鏡です。新開発のステージは、5軸移動がすべてモーター駆動となり、より安心でかつ迅速にご使用いただけます。 ○特長 ・試料を入れて、迷わず観察 "試料交換ナビ" ・光学像を拡大すれば、SEM像 "Zeromag" ・観察中も常に元素分析 "Live Analysis" ・多彩な自動測定 "Simple SEM" ・自動測定を強力に支える機能 ・分析をよりスピーディーに ・60 mm2 大口径EDSを標準搭載 ※詳細はPDFをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ(magnetic tunnel junction)構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程をnmレベルで分析した事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.試料と評価方法 3-1.結晶性の変化 3-2.結晶配向の解析 3-3.面内結晶配向の解析 4.まとめ 5.謝辞 6.おわりに
金属組織観察や相解析などTEM、FE-SEM、EBSD等による断面観察および構造解析に関する事例を多数ご紹介します!
当事例集では『断面観察及び構造解析』にかかる事例についてご紹介します。 「線材(ばね材)の金属組織観察」、「2相ステンレスの相解析」、「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」の目的や手法、結果などを含めた分析事例を多数掲載。 他にも、観察や相解析、絶縁膜分析や測定などご紹介しています。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■線材(ばね材)の金属組織観察 ■2相ステンレスの相解析 ■STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価 ■サマリウムコバルト磁石のEBSD測定 ■STEMによるコネクタ端子接点不良解析 ■生体試料(モルフォ蝶鱗粉)の断面観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。