更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
31～37 件を表示 ／ 全 37 件
300mmウェハをそのまま測定できます
TOF-SIMSには有機物、無機物を同時評価、微小領域に対応、最表面を感度よく分析できる、300mmウェハのまま評価可能という特徴があり、洗浄工程での残渣調査などに力を発揮します。 Si表面の有機汚染の除去効果の分析事例をご紹介します。XPSでアミン系有機物は極微量であることが確認されている試料について、TOF-SIMS分析を行いました。微小領域においても、このように極微量の成分まで測定可能です。
〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基礎的な解説を充実。また表面分析を用いた代表的な事例を掲載。
表面分析のご検討に役立つ基礎解説・分析事例をまとめてご紹介します。 お手元に置いて、分析サービスのご検討にぜひご活用ください。 ★ご希望の皆様全員に無料でプレゼント★ 【お問い合わせ】より、「カタログ送付希望」にチェックを入れてお申し込みください。 ※【PDFダウンロード】よりダイジェスト版をご覧頂けます。
Niめっきの膜厚や濃度測定、表面汚染レベル測定などXPS、AES、GD-OES各装置での表面分析および測定事例をご紹介します
当事例集では、『表面分析』にかかる事例をご紹介します。 「めっき基板の洗浄評価（GD-OES測定）」の目的や手法と結果をはじめ、 「XPSによる表面汚染分析」の特長や分析事例、「鉄サビの分析 （ラマン分光分析）」の特長や分析事例など多数掲載。 他にも、解析結果や状態解析、組成測定などご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■めっき基板の洗浄評価（GD-OES測定） ■XPSによる表面汚染分析 ■酸化銅の状態解析（XPS・AES分析） ■鉄サビの分析（ラマン分光分析） ■変色したステンレスの組成調査 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
代表的な表面分析であるEPMAやAESなどを解説した技術資料
技術資料『表面分析の概要』は、近年、製品開発や不具合の対応などで益々重要になっている、表面や界面の構造・組成の把握に用いられている、様々な「表面分析方法」について掲載した資料です。 本資料では、表面分析の基礎の基礎として、代表的な表面分析であるEPMAやAES、XPS、SIMS、TOF-SIMSを簡潔に解説しています。 【掲載内容】 ■表面分析の種類と特徴 ・EPMA ・AES ・XPS ほか 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
市販のマンガン酸リチウムを用いて、Mn価数を解析した事例などをご紹介
『-LIBの分析-ESCAによるMn価数解析』についてご紹介した技術資料です。 市販のマンガン酸リチウムを用いてMn価数を解析した事例を、図表と共に わかりやすく掲載しています。 【掲載内容】 ■概要 ■分析事例の紹介 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
有機成分および活物質表面の分布評価、定性分析
リチウムイオン二次電池の正極表面における成分の偏析や被膜の形成は、電気容量に影響する一因と なります。正極として用いられるLi（NiCoMn)O2（NCM）について、AESによる微小領域マッピングおよびXPS、TOF-SIMSによる有機成分（バインダー）や活物質表面被膜の定性分析を行った事例を紹介いたします。これらの手法では、測定までの一連の処理をAr雰囲気下で行い、試料の変質を抑えた分析が可能です。
![研究開発を加速する、[新]表面分析サービス開始！](https://image.mono.ipros.com/public/product/image/480/2001535453/IPROS2944828896955495055.jpg?w=280&h=280)
最表面だけでなく、30nmの深部まで ～表面と材料内部の化学状態を同一箇所・非破壊で定量評価！～
XPS/HAXPESによる新サービスを6月より開始しました！ 複雑化する材料や微細構造試料に対し、表面から材料内部（～30nm）までの組成・化学結合状態を、同一箇所・非破壊で評価できます。 ・着目の元素や分析対象領域・深さに応じてX線源（Al Kα/Mg Kα/Ga Kα/Cr Kα）を使い分け、適切な測定条件での評価を実現 ・大気非暴露測定、 Arモノマー/GCIBスパッタエッチング、加熱前処理の併用が可能 ・UPS/LEIPSによる半導体試料の電子状態評価（イオン化ポテンシャル/電子親和力/バンドギャップ）が可能
