更新日： 集計期間:2025年06月25日～2025年07月22日
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MBE成膜機構や表面熱分析機構、RHRRD結晶構造解析システムなどで構成されています！
当製品は、「MBE法」と「表面熱分解法」を併用したグラフェン結晶薄膜 成長機構とRHEED/LEED表面分析機構を連結したinsituシステムです。 6H-SiC微傾斜([1-100]4°off]基板の(0001)面(Si面)を用いて、 グラフェンの成長を行った際、回折パターンよりグラフェンの形成を 確認。 また、顕微Raman測定でもグラフェンの形成を確認しました。 【構成】 ■「グラフェン薄膜成長用高温Kセル」を備えたMBE成膜機構 ■「SiC基板を熱分解する加熱ホルダー」による表面熱分析機構 ■RHRRD結晶構造解析システム ■LEED表面観察システム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
X線光電子分光分析装置
X線光電子分光分析装置をご用意しております。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
高速、簡単、正確、非破壊の表面接触角分析装置。 ダイン値にとって代わる、表面エネルギー（濡れ性）を測定します。
ブライトサインス社USAのSurface Analyst 5001 は、ハンディー式完全表面分析装置で、水接触角を分析することで製造業者が接着、コーティング、シーリング、塗装、印刷、または洗浄用途の材料表面の品質を定量化できるようにします。スタンドアロンモデル（非ネットワーク仕様）、現場で手持ち式で測定します。対象材料はウェブ（紙、フィルム、炭素繊維の複合材料）や3D部品材料（鉄、アルミ、非鉄金属やプラスチックなど）なんでも可能です。
結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可能！
『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。 結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。 【特長】 ■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される ※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易 ■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単 ※極薄膜の解析も可能 ■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる ■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし ■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※依頼分析も賜っております。
結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可能！飛行時間型原子散乱表面分析装置【依頼分析賜ります！】
『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。 結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。 【特長】 ■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される ※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易 ■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単 ※極薄膜の解析も可能 ■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる ■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし ■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※依頼分析も賜っております。
金属薄膜作製に好適なEBエバポレーターなどを搭載した表面構造分析装置！
『超高真空表面構造分析装置』は、半導体やモデル触媒等における LEED回折像、オージェ分析、昇温脱離分析が行える表面分析装置です。 分析計にはLEED/AES質量分析計を搭載しており、金属薄膜作製に適した EBエバポレーターなどを装備しています。 ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【仕様】 ■表面分析系：LEED/AES ■蒸発源：超高真空エバポレーター「AEVシリーズ」 ■ガスソース：水素クラッキング銃「AEVシリーズ」 ■試料加熱：直接通電加熱式（TC コンタクト式サンプルホルダー） ■試料マニピュレーター：X,Y,Z,θ,面内回転軸の5軸操作 など ※詳細はお問い合わせください。
