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メーカー問わず、どんな装置でもお気軽にお問い合わせ下さい！
お客さまに安心して製品をご使用いただくためには信頼できるサポート体制も不可欠です。 北野精機ではお客さまにご使用いただいている装置の状態を最良に保つため、充実したサポート体制を整えています。 お客さまの製品使用環境や、さまざまなニーズに合ったサービスを適正なコストで提供いたします。 【各種装置・ユニット類】 ○蒸着装置（MBE・CVD・EB・スパッタなど） ○分析装置（STM・FIM・TEM・AESなど） ○各種マニピュレーター ○各種試料搬送機構 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
MBE成膜機構や表面熱分析機構、RHRRD結晶構造解析システムなどで構成されています！
当製品は、「MBE法」と「表面熱分解法」を併用したグラフェン結晶薄膜 成長機構とRHEED/LEED表面分析機構を連結したinsituシステムです。 6H-SiC微傾斜([1-100]4°off]基板の(0001)面(Si面)を用いて、 グラフェンの成長を行った際、回折パターンよりグラフェンの形成を 確認。 また、顕微Raman測定でもグラフェンの形成を確認しました。 【構成】 ■「グラフェン薄膜成長用高温Kセル」を備えたMBE成膜機構 ■「SiC基板を熱分解する加熱ホルダー」による表面熱分析機構 ■RHRRD結晶構造解析システム ■LEED表面観察システム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
白色干渉搭載レーザ顕微鏡や顕微ラマン分光測定装置など！分析機器を多数掲載
当資料では、さまざまな分析機器を一覧表にしてご紹介しております。 「高分解能ガスクロマトグラフ質量分析装置(HRGC/HRMS)」をはじめ、 「超薄膜スクラッチ試験機」や「マイクロビッカース硬さ試験機」など 豊富に掲載。 また分析項目は、分子量分布や分離分析といった“材料分析関連”と、 放射線測定や悪臭分析などの“環境測定分析関連”がございます。 ぜひ、ダウンロードしてご覧ください。 【掲載機器設備（一部）】 ■超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡-EDS(FE-SEM/EDS) ■走査電子顕微鏡-エネルギー分散形特性X線分析装置(SEM-EDS) ■エネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDX) ■紫外可視近赤外分光分析装置(UV-VIS-Nir) ■フーリエ変換赤外分光分析装置(FT-IR) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サンプル本来の状態を評価することが可能
■特徴 ? 大気非暴露下でサンプルを扱うことで、反応性の高いサンプルについても変質・変化を最小限に抑えることが可能 ? 大気非暴露下での切断・剥離・測定面出し加工により、大気の二次汚染・酸化を抑えることが可能 ? 大気非暴露下で評価可能な手法： SIMS、TOF-SIMS、AES、XPS、SEM、TEM、STEM、Raman、XRD、FIB 等
雰囲気の影響を最小限に抑えた総合的な評価解析が可能です
有機デバイスは酸素や水に影響されやすい材料を使用したデバイスです。MSTでは雰囲気の影響を最小限に抑えたサンプル搬送・加工方法・測定環境を整え分析を行っており、より真に近い状態評価が可能です。XPS分析で有機膜と電極の界面の状態評価を評価しました。有機膜表面に存在するチタニアの組成、結合状態を確認できます。TOF-SIMS分析でバルク・へテロ構造有機薄膜太陽電池の有機膜中のP3HT (p型有機半導体)とPCBM (n型有機半導体)の分散状態を深さ方向で確認しました。
雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です
p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT:PSS層との界面において、アニール前ではPCBMが偏析していることがわかりました。
不活性ガス雰囲気下で前処理からXPS測定まで行います
バッファー層/Alq3界面を物理的に剥離（ピーリング）し、剥離面（バッファー層側）のXPS分析を行いました。不活性ガス雰囲気下でピーリングすることで化学構造を破壊せずに界面を露出でき、さらに不活性ガス雰囲気を保ったままXPS装置に搬入することで剥離後の変質（酸化・吸湿など）を抑えました。バッファー層の主成分はLiFで、その一部が酸化している可能性が示唆されました。雰囲気を制御することで、成膜方法・処理方法・有機層の違い等によるAl、 Li等金属元素の酸化状態を評価することが可能です。
XPS・UPSを用いた結合状態・電子状態評価
IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 複数の金属元素から構成されるため、プロセスによってどのように組成や結合状態、電子状態がどのように変化するかを把握しておくことが重要です。 XPS・UPSを用いてIGZO膜表面の組成・結合状態・電子状態を評価した事例をご紹介します。
高分子フィルムの水酸基評価
高分子フィルムの接着性や濡れ性といった特性を制御するにあたって、表面に存在する極性官能基(アルコール基)を定量的に評価することは非常に重要です。XPSは定量的な評価に最適ですが、ピーク位置が隣接している酸化状態(C-O-C)と水酸化状態(C-OH)を切り分けて定量することが困難です。 MSTではポリビニルアルコール（PVA）について化学修飾法を用いてアルコール基のみを選択的に反応させた後に、XPSにて定量することが可能です。PVA中のアルコール基を無水トリフルオロ酢酸（TFAA）によって化学修飾して評価した事例を紹介します。 測定法：XPS・化学修飾 製品分野：電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
微小領域の面分析による分布の均一性評価と有機物の同定・推定
撥水処理における撥水面の状態は、フッ素系化合物が島状（アイランド状）に分布しているか均一に分布しているかの違いで異なります。そこで、TOF-SIMSを用いて、フッ素系化合物の分布の観察を行いました。その結果、不均一に分布していることがわかりました。また、1μm角の領域で定性分析を行うこと で、フッ素系膜はKrytoxであることがわかりました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・組成分布評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
C1s波形解析を使用したsp2/(sp2+sp3)比の評価
高硬度・高耐摩耗性等の特長から、幅広い分野で活用されてるDLC（ダイヤモンドライクカーボン）膜は、グラファイトとダイヤモンドの中間に位置した材料であり、膜中のsp2（グラファイト構造）とsp3（ダイヤモンド構造）を分離して求められるsp2/(sp2+sp3)比は、膜の特性を決定する重要な要因の一つとなります。 このsp2/(sp2+sp3)比について、XPSのC1sスペクトルを波形解析することで評価した例をご紹介します。
XPS：X線光電子分光法 AES：オージェ電子分光法
XPSとAESは表面敏感な分析手法でありサンプル表面の評価に広く用いられますが、イオンエッチングを併用することで深さ方向の分析が可能となります。 深さ方向分析を行うにあたり、測定したい領域やサンプルの材質に応じてXPSとAESを適切に使い分けることが、目的に沿った分析を行う上で重要です。 XPSとAESの深さ方向分析の特徴について、SUS不動態膜の分析を例として比較します。
XPS・SEM・TEMを用いた多角的な評価
燃料電池の電極は、カーボン担体に触媒粒子が担持された構造をしています。担体や触媒粒子がどのような状態にあるか評価することは、劣化メカニズム解明や設計指針の検討に欠かせません。 触媒被毒（酸化）の状態評価には、XPS分析が有効です。また、触媒凝集や粒成長の評価にはSEM・TEM観察が有効です。 複数の分析手法を組み合わせることにより、多角的な評価をご提案します。
フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価
試料搬送時の汚染及び酸化の影響についての知見は、検出深さがnmオーダーの表面分析において重要です。そこで、保管方法の違いによる汚染･酸化の影響をSiウエハにおいて検討致しました。 薬包紙・アルミホイル保管では、一般的に見られる二次汚染による有機物のピークは弱い傾向が見られます。試料保管・搬送時にアルミホイルのつや無し面で包んで保管すると、他の保管方法に比べて汚染、酸化を抑制することができます。
水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可能です
金属の異物を定性評価したい場合、最表面のみを分析すると異物表面に存在する酸化膜の情報となってしまうため、異物そのものの情報が得られないことがあります。 TOF-SIMSにより深さ方向に分析を行うことで、酸化膜より深い位置にある異物そのものの組成・状態評価が可能です。 本資料では、Al系の異物と思われる3箇所の状態を評価した事例をご紹介します。
