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細く絞った電子線を試料に照射！結晶方位や結晶構造の解析もできる電子顕微鏡！
『FE-SEM（電界放射電子銃式走査型電子顕微鏡）』は、汎用SEMよりも更に細く 絞った電子線を試料に照射、走査することによって、より鮮明な拡大像などが 得られる装置です。 また、細く絞った強い電子ビームを利用して結晶方位解析法（Electron Back-Scatter Diffraction；略してEBSD）を用いると、結晶方位や結晶構造の解析を行うことも できます。 【適用対象】 ■金属材料全般 ■セラミックス ■繊維（蒸着処理必要） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像！表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
ZEISS製の「FE-SEM ULTRA55」は、GEMINIカラムを搭載しており、 極低加速電圧で高分解能観察が可能な装置です。 検出器も複数搭載されており、さまざまなサンプルの観察が可能。 2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握ができ、低加速電圧でも ⾼分解能なEDX分析ができます。 【特長】 ■⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像 ■極低加速電圧による極表⾯分析 ■表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備 ■2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握 ■低加速電圧でも⾼分解能なEDX分析 ■無蒸着による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
走査型電子顕微鏡（SEM） ■業界：自動車（試作）／半導体／ロボット
単結晶ダイヤモンドチップの刃先表面を走査型電子顕微鏡（SEM）で観察しました。 PCD（ダイヤモンド焼結体）の刃先表面も観察し、比較しました。 表面の微細な凹凸の違いがはっきりと確認できました。 この違いが加工にどのように影響するか。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大200nAの照射電流は、各種マイクロアナリシスに対応！分析能力も強化
広視野全体像から表面微細構造まで、短い時間で多くの情報を取得できる 「FE-SEM」を導入した事例をご紹介いたします。 表面微細構造、組成、結晶学的情報、形状情報など多彩な イメージング能力を装備。 複数の二次電子信号や反射電子信号が同時に取得でき、これまでより 短い時間で多くの情報を得られるようになりました。 【事例概要(抜粋)】 ■導入製品：HITACHI製SU7000 ・電子源：ZrO/Wショットキータイプエミッター ・二次電子分解能：0.8nm(加速電圧 15kV)、0.9 nm(加速電圧 1kV) ・加速電圧：0.1～30kV ・倍率：20～2,000,000倍(装置スペック) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
