エア・ウォーター・メカトロニクスの製品・サービス一覧

『深冷吸着式ガス精製装置 Model-TKA』は、液体窒素温度(-196℃)で 各種不純物を吸着除去します。 常温では吸着しないN2やCH4も吸着除去することができます。 当製品は、-196℃で液化しないガスに適用可能です。 【特長】 ■液体窒素温度(-196℃)で各種不純物を吸着除去 ■常温では吸着しないN2やCH4も吸着除去 ■-196℃で液化しないガスに適用可能 ■オプションとして精製ガスフィルタ付加可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• ガス発生装置

『ゲッター式ガス精製装置Model-UHG・URT』は、当社が開発した独自の ゲッターによりガスの高純度精製が可能です。 常温吸着式では除去困難な窒素(N2)の除去が可能です。 反応筒(ゲッター)の積算精製ガス流量および積算精製時間を表示しますので、 反応筒の残有精製能力を確認できます。 水素ガス精製装置の「UHGシリーズ」と希ガス精製装置の「URTシリーズ」を ご用意しております。 【特長】 ■高純度精製が可能 ■常温吸着式では除去困難な窒素(N2)の除去が可能 ■反応筒の残有精製能力を確認できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• ガス発生装置

当資料は、各種ガス精製装置や排ガス処理装置等の製造及び販売を 行っているエア・ウォーター・メカトロニクスの取り扱い製品を掲載した総合カタログです。 独自の触媒によりガスの高純度精製が可能な、常温吸着式精製装置 「VPEシリーズ」をはじめ、シンプルなフロー設計と、高い処理能力の パイオクリンカートリッジを組み合わせたパイオクリン乾式排ガス 処理装置「WGCシリーズ」などを掲載。 技術と信頼を通じて、先端産業と環境に貢献します。 【掲載内容】 ■精製装置 ■排ガス処理装置 ■堀場エステック製品 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問合せください。

• その他プロセス制御
• ガス回収/処理装置
• ガス発生装置

「パイオクリン」は各種の有害成分を化学的に吸着させ、排ガスから多種の有害物質を完全に 取り除きます。また、ドライタイプの除害剤のため、取扱いがきわめて簡単に行えるなど、 数々の優れた特長とメリットを備えています。 【特長】 ・水素化物系をはじめ、加水分解性の塩素系ガス/フッ素系ガスなどに対し、 　有害物質を化学的に吸着させ許容濃度以下に除害します。 ・カートリッジは、コンパクトかつ軽量であるため、スペース効率を大幅に高めるとともに、 　取付け作業もスピーディーに行えます。 ・カートリッジは、ステンレス製、FRP製をラインナップしており、使用用途により選択が 　可能です。 ・ドライタイプの除害剤を使用していますので、圧力損失が小さく、 　専用吸引ブロワー設置の必要がありません。 ・覗窓部で検知剤が変色しますので、カートリッジの交換時期を目視で確認出来ます。 ・出入口にバルブを標準装備し、着脱時の安全性を向上しております。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• ガス発生装置

独自に開発した触媒の使用により、各種半導体用ガスの精製に優れた性能を発揮します。 【特長】 ・精製筒、高性能フィルターおよびダイヤフラムバルブの一体構造によるコンパクト化を 　実現し、よりユースポイント近くでの精製が可能です。 ・高性能フィルターおよび出荷前のベーキング処理によりパーティクル/脱ガスについての 　万全の対策を施しています。 ・特別なユーティリティの必要はありません。（N型、B型は再生可能です。） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他理化学機器

本装置は、CF4、C2F6、C5F8等のPFCを始め、SF6およびHFCの完全分解が可能です。 また、ヒーター加熱方式によりプロパン等の燃焼燃料を必要とせず、 CO2の排出量を最小限に抑えることができます。 【特長】 ・付帯設備を必要としないため、省スペース、低ランニングコストを実現しました。 ・火炎、燃料が不要ですので、高い安全性があります。 ・分解温度が比較的低温のためサーマルNOxの発生がありません。 ・触媒成分がフッ素化合物の吸収固定も行うためウェットスクラバー等の後 　処理装置が不要です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• 分離装置

本装置は主にGaN製造プロセスの排ガス処理を目的とした除害装置です。 常温乾式除害と触媒分解式除害を効率よく組み合わせ、メンテナンス性向上、 ランニングコスト及び環境負荷の低減を可能に致しました。 【特長】 ・本装置はNH3を触媒分解により窒素と水素に分解、完全無害化します。 ・MOを含むGaN製造プロセス排ガス中の有毒ガスを効率的かつ安全に除害します。 ・酸化法によるNH3除害などで問題となるNOxの発生は全くありません。 ・火炎式（燃焼式）でない為、プロパン供給設備や排水設備は必要ありません。 　（但し、A20分解筒は水冷式を採用しております。） ・除害後のガス中は除害対象ガス濃度ACGIH/TLV-TWA値以下を保証します。 ・吸着再生型は後処理筒の除害剤交換の必要がなく、ランニングコストの低減ができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• 分離装置

本装置は、エッチングプロセス用の湿式除害装置です。 Cl2、HBr、BCl3、HCl、HF、SiF4、etc対象ガスを、 従来の湿式除害では出来なかったTLV値以下まで除去することが可能です。 【特長】 ・吸着筒を水で再生するため、カートリッジは長寿命です。 ・水のみを使用するため、アルカリ汚染がありません。 ・水の使用量が少ないため、ランニングコストが低減できます。 ・気液接触部での詰まりが少ない構造です。 ・吸着筒の自動交互運転により連続除害が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• 分離装置
• ガス発生装置

毒性ガスボンベからの万一の噴出や半導体製造設備等（配管、継手、バルブ等）から毒性ガスが漏洩した場合に、付近の大気とともに吸引して有害成分を許容濃度以下に除害する保安装置です。 【特長】 ・緊急保安用パイオクリンは、大風量のもとでも極めて優れた処理能力を有します。 ・毒性の高いガス等を短時間で許容濃度以下に除害します。 ・本装置は圧力損失が極めて小さくブロワー動力を低減出来ます。 ・装置全体はコンパクトとなっており設置面積は小さくて済みます。 ・インバータを標準装備しており、漏洩信号入力により通常排気から緊急排気に 　自動切替え運転が可能です。 ・緊急保安用パイオクリン®は容易に交換が可能です。 ・本装置には、サンプリングカートリッジが装着されていますので、 　緊急保安用パイオクリンの残存能力を確認することが出来ます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• ガス発生装置

精製装置のパイオニア・日本パイオニクスの世界最高のガス精製技術と長年培った 多彩な技術で開発した“VPシリーズガス精製装置”は、究極の純度と、 環境・安全に配慮した製品創りを追求し、「安心」と「信頼」を提供します。 【特長】 ・当社が開発した独自の触媒によりガスの高純度精製が可能です。 ・精製系列の切換は、原料ガスの流量および不純物濃度に適応した最適な 　系列切換時間を設定できます。 ・精製ガスの流量積算値による系列切換もできますので、低流量で使用した場合は 　系列切換時間が延びるため、省エネとなります。 ・省設置スペースを実現しました。 ・メンテナンススペースは装置正面と背面を基本とし、装置側面は密着設置ができます。 　（但し、耐震金具用のスペースは必要です。） ・各規格に対応（SEMI、ASME、ML等） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• その他プロセス制御

【特長】 ・水素以外の物質は全く透過しないパラジウム合金膜透過による精製方法であり、 　ダストを含まない超高純度水素ガスが得られます。 ・当社のパラジウムセルは長寿命※1です。独自に開発したパラジウム合金細管を用いており 　高い強度、耐久性と大きな水素透過能力を持っています。 ・再生操作は不要であり、常に安定した高純度の水素ガスが得られます。 ・装置は自動運転です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• ガス発生装置

JAR型空気精製装置は主にステッパー、自動車排ガス測定用ゼロガス、 燃料電池用のガス精製を目的とした精製装置です。 【特長】 ・常温吸着式ガス精製装置です。（ただし、反応筒は加熱状態で使用します。） ・当社が開発した独自の触媒により各不純物濃度は1ppb以下です。 ・ニ系統以上の筒の自動切換により、高純度に精製された空気を安定して連続供給します。 ・自己再生式吸着筒で低ランニングコストを実現しました。 ・NOx,THCおよびVOCも除去が可能です。 ・ガス精製前、精製後の酸素濃度は変わりません。 ・大型機も製作が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• ガス発生装置

【特長】 ・シンプルなフロー設計と、極めて高い処理能力を誇るパイオクリンカートリッジの 　組合せにより、経済的かつ、安全に有毒ガスを除害することが出来ます。 ・ガス検知器などのオプションを取付けることにより、安全性を高めることが出来ます。 ・2筒式の場合は、カートリッジ交換時の装置ダウンタイムが低減出来ます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• ガス発生装置

本装置は半導体製造装置により排出されるSiH4等の水素化合物、C2F6、SF6等の フッ素化合物等の排ガスを燃焼バーナーの熱排ガスを利用して熱分解させることにより 処理します。また、熱分解後の生成物（SiO2粉、酸性ガス等）は同パッケージ内の ウェットスクラバーにて後処理します。 【特長】 ・燃焼ノズルと二次燃焼室を分離することにより、流量変動時に安定燃焼が可能です。 ・最大処理流量500ℓ/min（4ポートまで対応可）の排ガスに対応可能です。 ・壁Airにより、燃焼室内の副生成物付着を防止します。 ・燃焼筒直後の水噴霧による直接冷却方式の採用により、省スペース化を実現しました。 ・ウェットスクラバータンク内循環水の常時攪拌により、SiO2粉スラリーによる 　循環ポンプトラブルを防止します。 ・各種センサーを装備することにより、安全対策は万全です。 ・タッチパネルにより、操作および運転状態の確認が容易です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

• ガス発生装置