化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや 高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、 パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする事も行っています。 【加工詳細】 ■加工素材 ・SiC　・GaN　・GaP　・GaAs　・GaSb　・ZnS　・ZnSe　・ZnTe ・パターン付きウェーハの裏面加工など ■仕上がり厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。

SOIウエーハに関しては大口径(12"φ)化が着実に進み、現在では小口径では出来ない最新技術が素材で開発されている一方、 後工程(デバイス工程)のラインは小口径(8"φ以下)での対応となり、大口径素材が持つ最新技術が生かせない状況です。 日本エクシードではこれらのニーズに応えるべく、たえず技術向上を図ると共に、量産ベースでの生産体制を確立しています。 また、SOIウエーハのサイズダウンも可能です。 【加工詳細】 ■材料名：各種口径Siウエーハ，SOIウエーハ，単結晶・多結晶シリコン部品材料（ドライエッチング装置用電極，フォーカスリングなど ■対応サイズ ・Φ12.5mm～Φ200mm ・3mm×3mm～156mm×156m ・矩形も対応可 ・仕上がり厚み：25μm～ ・平坦度：TTV1μm以下 ・パーティクル：0.2μm20個以下 ・表面粗さ：0.3nm以下 ・膜厚制御可能 ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。

加工実績 ・Si 4インチ 25um～ ・Si 6インチ 50um～ ・GaAs 3インチ 20um～ ・LT(タンタル酸リチウム) 2インチ 25um～