化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや 高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、 パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする事も行っています。 【加工詳細】 ■加工素材 ・SiC　・GaN　・GaP　・GaAs　・GaSb　・ZnS　・ZnSe　・ZnTe ・パターン付きウェーハの裏面加工など ■仕上がり厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。

弊社では、加工技術を量産で対応出来る能力を持ち合わせております。 又、青色発光ダイオードやレーザーダイオードに用いられる基板の研磨加工も行っています。 用途に応じた加工スペックを満足すべくラッピング、ポリッシング加工を量産ベースで行っています。 【加工詳細】 ■材料名：LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）、ZnO、 水晶、サファイア、サファイア再生、etc. ■加工素材：LiNbO3(LN)、LiTaO3(LT)　・ZnO　・水晶　・Al2O3(サファイア) 　　　　　　パターン付きウェーハの裏面加工、再生加工など ■対応サイズ ・Φ63mm～Φ150mm ・3mm×3mm～100mm×100mm ■仕上がり厚み：20μm～ ■平坦度：TTV：5μm以下 ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。

SOIウエーハに関しては大口径(12"φ)化が着実に進み、現在では小口径では出来ない最新技術が素材で開発されている一方、 後工程(デバイス工程)のラインは小口径(8"φ以下)での対応となり、大口径素材が持つ最新技術が生かせない状況です。 日本エクシードではこれらのニーズに応えるべく、たえず技術向上を図ると共に、量産ベースでの生産体制を確立しています。 また、SOIウエーハのサイズダウンも可能です。 【加工詳細】 ■材料名：各種口径Siウエーハ，SOIウエーハ，単結晶・多結晶シリコン部品材料（ドライエッチング装置用電極，フォーカスリングなど ■対応サイズ ・Φ12.5mm～Φ200mm ・3mm×3mm～156mm×156m ・矩形も対応可 ・仕上がり厚み：25μm～ ・平坦度：TTV1μm以下 ・パーティクル：0.2μm20個以下 ・表面粗さ：0.3nm以下 ・膜厚制御可能 ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。

加工素材実績 ・SUS　・Au　・Ag　・Cu　・W　・Ti　・Al

加工素材実績 ・Ge　・C　・MnZn　・フェライト　・TeO2　・SrTiO3　・LaGaO4 ・LaSrGaO4　・NGO　・Y2Fe5O12　・Y3Al5O12　・BGO　 ・樹脂材料

・SiO2、SiN膜等の膜厚制御 ・加工後の膜厚ばらつき：50 nm以下

サイズダウン加工実績 ・6インチ→4インチ ・6インチ→2インチ4枚　など 穴開け加工、ザグリ加工もお気軽にお問い合わせ下さい。

日本エクシードは、薄化加工技術や高清浄化技術などを用いた Si特殊加工を行っております。 Siウェーハをはじめ、SOIウェーハ、その他単結晶・多結晶シリコン 部品材料(ドライエッチング装置用電極、フォーカスリングなど)も 対応可能。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【Si特殊加工】 ■薄化加工技術 ■小口径高精度加工技術 ■高清浄化技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の 研磨加工を行っております。 パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが 可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能 ■お客様への納品方法を含め対応できる ■厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

日本エクシードは、金属材料などの精密研磨加工及び洗浄を 行っております。 光学研磨技術を応用した技術で、試作加工を行っており真空装置、 ガス関連装置などの各種分野でご利用いただいています。 また、磁性体材料・超伝導材料・新素材など、磨くことに関しては、 すべての材料に対してチャレンジします。 【特長】 ■光学研磨技術を応用した技術 ■試作加工を行っている ■真空装置などの各種分野で利用されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

日本エクシードは、酸化物材料などの精密研磨加工及び洗浄を 行っております。 対応サイズは、Φ63mm～Φ150mm、3mm×3mm～100mm×100mm。 当社は、パターン形成済みのウェーハ裏面を指定のRa値で、 ラッピング(バックラップ)し薄くする技術を有しております。 【酸化物ウェーハ】 ■対応サイズ：Φ63mm～Φ150mm、3mm×3mm～100mm×100mm ■厚み：20μm～ ■TTV：5μm以下 ■LTV(5mm×5mm)：0.4μm以下 ■表面粗さ：0.2nm以下 ■裏面粗さ：0.1μm～4.0μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料では、日本エクシードの加工素材・技術をご紹介しております。 薄化加工技術を用いたSi特殊加工をはじめ、加工素材「Siウェーハ」や レーザー顕微鏡を使用した微小形状評価技術などを掲載。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【掲載内容(抜粋)】 ■Si特殊加工 ■6H-SiC単結晶(Si面) ■金属材料・金属膜 ■レーザー顕微鏡を使用した微小形状評価技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料では、日本エクシードの各種ウェーハの研磨プロセス・洗浄・加工技術を写真や分析事例などで紹介しています。 長年にわたる研磨加工の経験の上に独自の研究開発を幾度も繰り返し、単結晶と名の付く様々な素材を手掛ける技術力を 高次元で実現し、今では数百種類以上の半導体素材の研磨を扱う存在となりました。 研磨加工プロセスの研磨工程をはじめ、薄化加工技術を用いたSi特殊加工や加工素材などを掲載。 当社は、様々な加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【加工素材一覧】 ■酸化物材料：LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）、ZnO、 水晶、サファイア、サファイア再生、etc ■化合物材料：GaN、 SiC、GaP、GaAs、GaSb、ZnS、ZnTe、etc ■金属素材：SUS、Au、Ag、Cu、W、Ti、Al、etc ■その他：Ge、C、MnZnフェライト、TeO2、樹脂材料、etc 【掲載内容(抜粋)】 ■研磨加工プロセス(代表例) ■研磨工程のご紹介 ■洗浄工程のご紹介 ■Si特殊加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。